문맥 (context)
[청구항 1]
복수의 반도체 기판 상에 불순물 도핑된 폴리실리콘막들을 성장하기 위한 폴리실리콘막 성장 장치에 있어서
상기 반도체 기판들 상에 폴리실리콘막들을 성장하기 위한 반응 노(reaction furnace)와
상기 반응 노 내에서 상기 반도체 기판들 중의 인접한 기판들 간에 소정의 일정한 간격으로 적층된 상기 반도체 기판들을 지지하기 위한 보트(boat)와
상기 반도체 기판들 상에 상기 폴리실리콘막들을 성장하기 위한 재료 가스를 상기 반응 노에 도입하기 위한 재료 가스 도입구(material gas introducting port)
및 상기 폴리실리콘막들을 성장시키는 동안, 상기 반도체 기판들 상에 상기 폴리실리콘막들을 도핑하기 위한 불순물 가스를 상기 반응 노에 도입하기 위한 것으로, 상기 반도체 기판들의 적층 방향에 따라 배치되는 한 쌍의 불순물 가스 도입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 성장 장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 재료 가스 도입구 및 상기 불순물 가스 도입구는 상기 반도체 기판들의 적층 방향에 따라 다른 위치에 배치되며, 상기 재료 가스 및 상기 불순물 가스의 혼합 가스는 상기 재료 도입구를 통하여상기반응노도입되는것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 반응노는 수직형 노이고, 복수의 상기 반도체 기판은 상기 반도체 기판들 간에 소정의 일정한 간격을 두고 수직으로 적층되며, 상기 불순물 가스 도입구는상기반도체기판들중의최하단기판의부근및상기반도체기판들중의최상단기판의부근각각배치되는것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 재료 가스는 모노실란 가스이며, 불순물 가스는포스핀과질소의혼합가스인것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 반응노는 수직형 노이고, 복수의 상기 반도체 기판은 상기 반도체 기판들 중의 인접한 기판들 간에 소정의 일정한 간격을 두고 수직으로 적층되며, 상기 불순물 가스 도입구는상기반도체기판들중의최하단기판의부근및상기반도체기판들중의최상단기판의부근각각배치되는것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 재료 가스는 모노실란이며, 상기 불순물 가스는포스핀과질소의혼합가스인것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 7]
반응 노 내에서 상기 반도체 기판들 중의 인접한 기판들 간에 소정의 일정한 간격으로 적층된 복수의 반도체 기판을 지지하고 상기 반도체 기판들 상에 폴리실리콘막들을 성장하기 위한 폴리실리콘막 성장 장치에 있어서
상기 폴리실리콘막들을 성장하기 위한 재료 가스를 상기 반응 노에 도입하기 위한 재료 가스 도입구
및 상기 반도체 기판의 적층 방향에 따라 배치되고, 상기 폴리실리콘막들을 성장하는 동안 상기 폴리실리콘막들을 도핑하기 위한 불순물 가스를 상기 반응 노에 도입하기 위한 복수의 불순물 가스 도입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 성장 장치
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 반응노는 수직형 노이고, 복수의 상기 반도체 기판은 상기 반도체 기판들 중의 인접한 기판들 간에 소정의 일정한 간격을 두고 수직으로 적층되며, 상기 불순물 가스 도입구들은상기반도체기판들중의최하단기판의부근및상기반도체기판들중의최상단기판의부근각각배치되는것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 반응노는 수직형 노이고, 복수의 상기 반도체 기판은 상기 반도체 기판들 중의 인접한 기판들 간에 일정한 간격을 두고 수직으로 적층되며, 상기 재료 가스와 상기 불순물 가스의 혼합 가스는 상기 재료 가스 도입구를 통하여 상기 반응 노에 도입되고, 상기 재료 가스 도입구 및 상기 불순물 가스 도입구는상기반도체기판들중의최하단기판의부근및상기반도체기판들중의최상단기판의부근각각배치되는것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 재료 가스는 모노실란 가스이며, 상기 불순물 가스는포스핀과질소의혼합가스인것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 재료 가스는 모노실란 가스이며, 상기 불순물 가스는포스핀과질소의혼합가스인것을특징으로 하는폴리실리콘막 성장 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
불순물 도핑된 폴리실리콘막 성장 장치에서 재료 가스와 불순물 가스의 혼합 가스가 도입되는 경로와, 불순물 가스 도입구의 구체적인 배치 위치는 무엇인가요?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation재료 가스와 불순물 가스의 혼합 가스가 도입되는 경로와 불순물 가스 도입구의 구체적인 배치 위치를 파악해야 합니다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 혼합 가스의 도입 경로를, 청구항 3 및 5에서 불순물 가스 도입구의 배치 위치를 추출합니다.
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 '혼합 가스 도입 경로'와 '불순물 가스 도입구 위치'에 관한 구절을 선택합니다.
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4논리 통합
logical_integration혼합 가스는 재료 가스 도입구를 통해 반응 노로 도입되며, 불순물 가스 도입구는 기판 적층 구조의 최하단과 최상단 부근에 각각 배치됨을 결합합니다.
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5결론 도출
conclusion_formulation혼합 가스의 도입 경로는 재료 가스 도입구이며, 불순물 가스 도입구는 최하단 기판 부근과 최상단 기판 부근에 각각 배치된다는 결론을 도출합니다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성합니다.
최종 답변 (final_answer)
재료 가스와 불순물 가스의 혼합 가스는 재료 가스 도입구를 통하여 반응 노에 도입되며, 불순물 가스 도입구는 반도체 기판들 중의 최하단 기판의 부근 및 최상단 기판의 부근에 각각 배치됩니다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 재료 가스 도입구를 통해 혼합 가스를 공급하고, 불순물 가스 도입구를 기판 적층 구조의 상단과 하단에 배치함으로써 폴리실리콘막의 균일한 도핑을 가능하게 하는 장치에 관한 것입니다.