정전기 입자 제거기 document_id 1019970003265

[청구항 1] 반도체 기판 가공 장치의 표면으로부터 오염 입자를 정전기적으로 모으는 장치에 있어서 a) 전원에 전기적으로 연결된 전극판 b) 상기 전극판의 표면 위에 형성된 비전도성충 및 c) 상기 표면 및 전극판 사이가 일정한 간격을 가지도록 하는 위치설정 부재를 포함하며, 상기 전원은 상기 표면으로부터 오염 입자를 모으기에 충분한 전압을 상기 전극과 기판 사이에 제공하는 것을 특징으로 하는 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 표면은 기판표면인것을특징으로 하는장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 위치설정 부재는 상기 전극판 근처의 기판을 통과하는로버트암포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 위치설정 수단은 전극판에 인접하고 평행하게 배치된 기판 수용 표현 및 상기 기판수용 표면 위에 기판을 배치하는로버트암포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 위치설정 수단은 기판 수용 표현 및 상기 전극판이 장착된 로버트 암을 포함하며, 상기 기판 수용 표면은 그 상부에 기판을 수용하여, 상기 로버트 암은 상기 기판 표면과 일정한 간격으로금속전극판통과하는것을특징으로 하는장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 전극은 금속이며, 그 상부에 비전도성충가지는것을특징으로 하는장치. [청구항 7] 오염 입자를 정전기적으로 모으는 장치에 있어서 a) 내부에 이온화 가스를가지며, 상부에 기판을 배치하기 위한 기판 수용 표면을 가진 챔버 b) 상기 챔버 내에 배치되어 상기 챔버와 전기적으로 절연되고, 기판으로부터 오염 입자를 모으기에 충분한 전압을 인가하는 전원과 전기적으로 연결되는 전극판 및 c) 상기 전극판표면 위에 형성된 비전도성층을 포함하며, 상기 비전도성층은 상부에 모아진 하전된 입자로부터 전극판으로전자가 이동하는 것을 방지할 만큼 충분한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 장치 [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 비전도성층은 상기 기판에 인접하고 평행하게 배치된표면가지는것을특징으로 하는장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 전극 표면nan은로버트브레이드표면포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 전극은금속판인것을특징으로 하는장치. [청구항 11] 제7항에 있어서,상기 챔버에 기판을 배치하는슬릿밸브를추가포함하는것을특징으로 하는장치. [청구항 12] 제7항에 있어서,상기 전극 및 기판 사이의 상기 전압은 1,000 및 15,000볼트사이인것을특징으로 하는장치. [청구항 13] 제7항에 있어서,상기 전극 및 기판 사이의 상기 전압nan은000볼트인것을특징으로 하는장치. [청구항 30] 반도체 가공 장치의 내부 영역으로부터 입자를 제거하는 장치에 있어서 a) 수집 부재 b) 상기 수집 부재에 연결된 바이어스 부재 및 c) 챔버 장치 내에 상기 수집 부재를 배치하는 위치설정 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치 [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 수집 부재는정지부재인것을특징으로 하는장치. [청구항 32] 제30항에 있어서,상기 수집 부재는 상기 가공 장치 내에서이동가능한것을특징으로 하는장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 가공 장치는 이송 챔버, 가공 챔버 및 상기 이송 챔버 및 상기 가공 챔버 사이에서 기판을 이동하도록 배치될 수 있는 기판 조정 부재를 포함 하며, 상기 위치설정 부재는상기기판조정부재위제공되는것을특징으로 하는장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,기판이 수용되는 지지 부재를 추가로 포함하며, 상기 위치설정 부재는 상기 지지 부재에 인접하게 상기 수집 부재를 배치하기 위한 제1위치 및 상기 지지 부재로부터 멀리 위치한제2위치가지는것을특징으로 하는장치. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 지지 부재는 상기 지지 부재에 기판을 지지하기 위한정전기흡인부재포함하는것을특징으로 하는장치.