문맥 (context)
[청구항 1]
(a) 반도체기판;
(b) 상기 반도체기판에 소정의 간격으로 이격되어 위치해 있는 필드산화막
(c) 상기 필드산화막 사이의 기판 상에 형성되어 있으며 상기 필드산화막과는 소정 간격으로 이격되어 위치해 있는 게이트 적층물
(d) 상기 게이트 적층물의 측면 전체를 감싸는 게이트 스페이서
(e) 상기 게이트 스페이서와 게이트 적층물이 형성된 기판의 전면에 형성되어 있으되, 상기 필드산화막과 게이트 적층물 사이의 기판의 일부영역을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 복수개의 절연막; 및
(f) 상기 콘택홀을 통해서 상기 반도체 기판과 접촉되어 있고 그 양단은 상기 필드산화막의 일부영역과 상기 게이트 적층물의 일부영역 상에 까지 확장되어 있는 제2 도전층 패턴들이 구비된 것을 특징으로 하는 스트링어 방지수단을 구비하는 반도체장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 게이트 적층물이 순차적으로 형성된 게이트 산화막, 제1 도전층 패턴, 실리사이드층 패턴, 제1 절연막 패턴 및 반사방지막 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스트링어 방지수단구비하는반도체장치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제1 도전층 패턴, 실리사이드층 패턴, 제1 절연막 패턴이 각각 도핑된 폴리실리콘층 패턴, 텅스텐 실리사이드층 패턴, 플라즈마 산화막 패턴인 것을 특징으로 하는 스트링어 방지수단구비하는반도체장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 복수개의 절연막이 순차적으로 형성된 제2, 제3 및 제4 절연막인 것을 특징으로 하는 스트링어 방지수단구비하는반도체장치.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기제2, 제3 및 제4 절연막이 각각 제1 hto막, 질화막 및 제2 hto막인 것을 특징으로 하는 스트링어 방지수단구비하는반도체장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 게이트 스페이서가 hto막인 것을 특징으로 하는 스트링어 방지수단구비하는반도체장치.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 제2 도전층 패턴이 도핑된 폴리실리콘층 패턴이며 그 확장된 부분의 일부가 다른 물질층과 접촉됨이 없이 상기 제3 절연막과 소정의 간격 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 스트링어 방지수단구비하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
스트링어 방지수단을 구비하는 반도체장치에서 게이트 적층물을 구성하는 세부 패턴들과 각 패턴에 대응하는 구체적인 물질층은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation스트링어 방지수단을 구비하는 반도체장치 내 게이트 적층물을 구성하는 세부 패턴과 각 패턴에 대응하는 물질층을 식별해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 게이트 적층물의 구성 패턴인 게이트 산화막, 제1 도전층 패턴, 실리사이드층 패턴, 제1 절연막 패턴 및 반사방지막 패턴을 추출한다.
- 게이트 적층물이 순차적으로 형성된 게이트 산화막, 제1 도전층 패턴, 실리사이드층 패턴, 제1 절연막 패턴 및 반사방지막 패턴으로 이루어진
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3근거 선택
evidence_selection청구항 3에서 각 패턴에 대응하는 구체적인 물질층 정보를 추출한다.
- 상기 제1 도전층 패턴, 실리사이드층 패턴, 제1 절연막 패턴이 각각 도핑된 폴리실리콘층 패턴, 텅스텐 실리사이드층 패턴, 플라즈마 산화막 패턴인
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4논리 통합
logical_integration청구항 2의 패턴 목록과 청구항 3의 물질 정보를 결합하여 패턴-물질 간의 대응 관계를 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation게이트 산화막은 물질 정보가 명시되지 않았으며, 제1 도전층 패턴은 도핑된 폴리실리콘층 패턴, 실리사이드층 패턴은 텅스텐 실리사이드층 패턴, 제1 절연막 패턴은 플라즈마 산화막 패턴, 반사방지막 패턴은 물질 정보가 명시되지 않았음을 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 게이트 적층물의 세부 패턴과 대응 물질을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
- 게이트 산화막: (물질 정보 미제시)
- 제1 도전층 패턴: 도핑된 폴리실리콘층 패턴
- 실리사이드층 패턴: 텅스텐 실리사이드층 패턴
- 제1 절연막 패턴: 플라즈마 산화막 패턴
- 반사방지막 패턴: (물질 정보 미제시)
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 스트링어 방지를 위한 반도체장치로서, 게이트 적층물을 게이트 산화막, 도핑된 폴리실리콘층, 텅스텐 실리사이드층, 플라즈마 산화막 및 반사방지막 패턴의 적층 구조로 구성하는 기술에 관한 것이다.