이중 벽 마이크로파 플라즈마 기초 어플리케이터 document_id 1019970004345

[청구항 1] 플라즈마를 를 발생하는 제1부재 상기 제1부재를 둘러싸는 제2부재를 포함하는데, 상기 제1부재와 상기 제2부재 사이에 상기 제1부재내의 상기 플라즈마에 의해 발생되는 열적 에너지가 방출될 수 있는 제1갭이 한정되고, 또한 상기 열적 에너지는 상기 제2부재를 통해 방출하며 상기 제2부재를 둘러싸는 제3부재를 포함하는데, 상기 제2부재와 상기 제3부재 사이에 상기 제1갭을 가로질러 상기 제1부재로부터 방사된 상기 열적 에너지를 흡수하는 냉각제 유체가 순환하는 제2갭이 한정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 내부의 제1부재는 피크 열적 에너지가 방출되는 파장의 높은방사율가지는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제2부재는 피크 열적 에너지가 방출되는 파장의 낮은흡수율가지는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제1부재는 대략 1.2미크론파장의피크방사율가지는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제2부재는대략4내지5파장의피크 흡수율가지는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2부재는사파이어제조되는것을특징으로하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 사파이어는 제조 동안에 상기 부재 결정 구조내의 변화를 형성하고 상기 부재의 방사율을 증진시키는 벌크 결함을 유발하도록자외선방사선노출되는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제1사파이어 부재는 상기 벌크 결함을 유발하도록자외선방사선노출되는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제1부재는대략11내지12인치의길이가지는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2부재는 대략 인치의 30 내지 70/1000의두께가지는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 제3부재는유전체재료제조되는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 유전체 재료는 수정, 세라믹 또는 테프론tm으로 구성되는그룹선택되는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 냉각제 유체는액체인것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 냉각제 유체는 수소화 처리된증류액인것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 제3부재를 둘러싸는금속벽더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 16] 제1항의 어플리케이터에 있어서,상기 제1부재를 고정하기 위한 장착 수단을 더 포함하는데, 상기 장착 수단은 열전달을 최소화하는 반면 상기 제1부재의 열적으로 유발된 팽창을 수용하기에 충분한 공차를 제공하도록포함되는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 장착 수단은 상기 제1부재를 수용하고 유지하도록 변형된디스크더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 디스크는사파이어제조되는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 디스크 상에 배치되는 탄성 재료를 더 포함하는데, 상기 제1및상기제2사파이어부재사이의상기갭감소되는것을특징으로 하는플라즈마 어플리케이터. [청구항 23] 제20항에 있어서,상기 제1부재는 단파장의 피크 방사율을 가지고, 상기 제2부재는장파장의피크 흡수율가지는것을특징으로 하는플라즈마 발생 방법.