가열장치및열처리장치 document_id 1019970006787

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,주가열수단은 그의 표면측에 여러개의 가열원이 배열된 테이블을 구비하는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,보조가열수단은 주가열수단과 함께 지지수단에 대해서 상대적으로 회전하는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,보조가열수단은 주가열수단과 일체로 되어 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,보조가열수단은 주가열수단의 테이블의 표면측에 배열된 여러개의 가열원과 함께 배열된 적어도 1개의 가열원인 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,개의 가열원은 피처리체의 표면을 동심원형상으로 분할된 여러개의 영역의 각각을 가열하기 위한 여러개의 가열원 군으로 구획되어 있고, 각 군은 별개로 독립해서 제어할 수 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,개의 가열원 군은 테이블의 표면측에 동심원형상으로 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,가장 외측에 마련된 가열원 군중에 보조가열수단으로서의 가열원이 적어도 1개 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 9] 제 2 항에 있어서,개의 가열원은 여러개의 동심원의 원주상에 배열되어 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,개의 동심원중 적어도 1개의 원의 원주상에 형성된 여러개의 가열원은 다른 원주상의 가열원과는 별개로 독립해서 함께 제어할 수 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,개의 원중 적어도 1개의 원의 원주상에는 보조가열수단으로서의 가열원이 적어도 1개 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,보조가열원으로서의 가열원은 가장 외측의 원의 원주상에 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,보조가열수단은 상기 보조가열수단으로부터의 열선의 조사위치가 상기 피처리체의 표면에 발생한 온도불균일영역이 통과하는 동안에만 상기 주가열수단과는 다른 출력으로 상기 피처리체를 가열하는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,보조가열수단은 상기 보조가열수단으로부터의 열선의 조사위치를 상기 피처리체의 표면의 다른 영역보다 온도가 낮은 영역이 통과하는 동안에만 상기 주가열수단보다 높은 출력으로 상기 피처리체를 가열하는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,보조가열수단은 상기 보조가열수단으로부터의 열선의 조사위치를 상기 피처리체의 표면의 다른 영역보다 온도가 높은 영역이 통과하는 동안에만 상기 주가열수단보다 낮은 출력으로 상기 피처리체를 가열하는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,피처리체의 표면온도를 측정하는 온도센서와 상기 온도센서로부터의 측정신호에 따라서 보조가열수단을 제어하는 제어수단을 더 구비하는 반도체디바이스의 제조위한가열장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,주가열수단은 그의 표면측에 여러개의 가열원이 배열된 테이블을 구비하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,보조가열수단은 주가열수단과 함께 지지수단에 대해서 상대적으로 회전하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 20] 제 17 항에 있어서,보조가열수단은 주가열수단과 일체로 되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,보조가열수단은 주가열수단의 테이블의 표면측에 배열된 여러개의 가열원과 함께 배열된 적어도 1개의 가열원인 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 22] 제 18 항에 있어서,개의 가열원은 피처리체의 표면을 동심원형상으로 분할된 여러개의 영역의 각각을 가열하기 위한 여러개의 가열원 군으로 구획되어 있고, 각 군은 별개로 독립해서 제어할 수 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,개의 가열원 군은 테이블의 표면측에 동심원형상으로 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,가장 외측에 마련된 가열원 군중에는 보조가열수단으로서의 가열원이 적어도 1개 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 25] 제 18 항에 있어서,개의 가열원은 동일점을 중심으로 하고 또한 서로 반경이 다른 여러개의 원의 원주상에 배열되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,개의 원중 적어도 1개의 원의 원주상에 형성된 여러개의 가열원은 다른 가열원과는 별개로 독립해서 함께 제어할 수 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,개의 원중 적어도 1개의 원의 원주상에는 보조가열수단으로서의 가열원이 적어도 1개 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,보조가열원으로서의 가열원은 가장 외측의 원의 원주상에 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 29] 제 17 항에 있어서,보조가열수단은 상기 보조가열수단으로부터의 열선의 조사위치를 상기 피처리체의 표면에 발생한 온도불균일영역이 통과하는 동안에만 상기 주가열수단과는 다른 출력으로 상기 피처리체를 가열하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,보조가열수단은 상기 보조가열수단으로부터의 열선의 조사위치를 상기 피처리체의 표면의 다른 영역보다 온도가 낮은 영역이 통과하는 동안에만 상기 주가열수단보다 높은 출력으로 상기 피처리체를 가열하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 31] 제 29 항에 있어서,보조가열수단은 상기 보조가열수단으로부터의 열선의 조사위치를 상기 피처리체의 표면의 다른 영역보다 온도가 높은 영역이 통과하는 동안에만 상기 주가열수단보다 낮은 출력으로 상기 피처리체를 가열하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 32] 제 17 항에 있어서,피처리체의 표면온도를 측정하는 온도센서와 상기 온도센서로부터의 측정신호에 따라서 보조가열수단을 제어하는 제어수단을 더 구비하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,정류체는 가열램프의 램프본체와 봉지부 사이에 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 35] 제 33 항에 있어서,정류체는 송풍통로내를 송풍통과하는 냉각가스의 흐름을 제한하는 평판형상 부재로 구성되고, 상기 평판형상 부재의 일부에는 통기구멍이 형성되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 36] 제 35 항에 있어서,평판형상부재의 일부는 가열램프의 봉지부에 접속되고 또한 상기 평판형상 부재의 다른 일부는 테이블에 접속되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 37] 제 36 항에 있어서,상기 평판형상 부재는 열전도성을 갖는 탄성체로 이루어지는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 38] 제 37 항에 있어서,평판형상 부재의 일부는 가열램프의 봉지부에 그의 탄성응력에 의해 눌려접촉되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 39] 제 33 항에 있어서,테이블내부에 형성되고 또한 내부를 냉매가 송풍통과하는 냉매통로와 상기 냉매통로로 상기 냉매를 공급 및 배출하는 냉매공급/배출수단을 더 구비하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 40] 제 33 항에 있어서,가열수단을 둘러싸는 가열실을 더 구비하고, 상기 가열실은 테이블에 의해 상기 테이블의 표면측의 제1 공간영역과 상기 테이블의 이면측의 제2 공간영역으로 분할되고, 냉각가스공급/배출수단은 상기 제2 공간영역으로 냉각가스를 공급하는 한편 상기 제1 공간영역에서 냉각가스를 배기하도록 되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 41] 제 33 항, 제 39 항, 제 40 항중 어느 한항에 있어서,가열램프의 정류체에 마련된 온도센서, 상기 온도센서로부터의 측정신호에 따라서 상기 가열램프의 온도를 제어하는 제어수단을 더 구비하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 42] 제 33 항에 있어서,가열램프의 램프본체의 하면측에 정류체를 거친 냉각가스를 규제하는 핀이 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 43] 제 35 항에 있어서,평판형상 부재의 상면측으로서 통기구멍의 가열램프측의 끝부를 따라서 대략 수직으로 마련된 가이드를 더 구비하는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 44] 제 35 항에 있어서,평판형상 부재에 보조통기구멍이 마련되고, 가열램프의 램프본체의 하면측을 향해서 소량의 냉각가스를 뿜어내도록 되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 46] 제 45 항에 있어서,곡선의 피크는 피처리체의 둘레가장자리 끝부보다 외측 5∼25mm의 범위내에 위치하고 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 47] 제 45 항에 있어서,개의 가열원은 테이블의 표면상에 동심원형상의 여러개의 영역으로 구획되어 마련되며, 상기 여러개의 영역중 1개의 영역에 속하는 여러개의 가열원과 다른 영역에 속하는 여러개의 가열원에 의한 열선의 지향방향이 서로 다른 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 48] 제 47 항에 있어서,개의 가열원은 테이블의 표면상에 동심원형상의 3개의 영역으로 구획되어 마련되며, 상기 3개의 영역중 최내주의 영역에 속하는 가열원의 지향방향은 피처리체의 중심으로부터 상기 피처리체의 반경의 30/100±4%의 위치에, 중앙의 영역에 속하는 가열원의 지향방향은 70/100±4%의 위치에, 또한 최외주의 영역에 속하는 가열원의 지향방향은 105/100±4%의 위치를 향하도록 되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 49] 제 47 항 또는 제 48 항에 있어서,가열원은 가열램프와 상기 가열램프를 둘러싸는 반사부로 구성되고, 개구각도는 가장 외측의 영역에 속하는 가열원의 상기 반사부의 개구각도가 다른 영역에 속하는 가열원의 개구각도보다 작게 설정되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치. [청구항 50] 제 45 항에 있어서,테이블은 단일체로 구성되고 또한 상기 테이블의 내부에는 냉매를 송풍통과시키기 위한 공극이 마련되어 있는 반도체디바이스의 제조위한열처리장치.