문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 도전막상에 형성된 절연막; 및상기 절연막상에 형성된 제2 도전막을 포함하며,상기 제1 도전막은 플로팅 게이트이고, 상기 제2 도전막은 제어 게이트인불휘발성메모리구성하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 소자 분리 홈이 상기 제1 도전층을 관통하여형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 소자 분리 홈에 의하여 분단되어 있는 상기 불순물 확산층은 상기 소자 분리 홈에 대하여 서로 인접해 있는메모리소자의각각의소스선또는드레인선구성하고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 소스선과 드레인선을 공통으로 하는 불휘발성 메모리 소자가, 상기 소스선과 드레인선이 뻗어 있는 방향을 따라복수개배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 분리 절연막 및 상기 소자 분리 홈상에 실리콘 질화막을 포함하는 절연층이 형성되어 있고,상기 절연층상에 게이트가 되는상기제1도전막형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 소자 분리 홈이 대략 직사각형 또는 저부로 갈수록 점차 폭이 넓어지는단면형상갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 소자 분리 홈의 저부에 채널 스토퍼가 되는불순물영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,메모리 셀에 있어서의 메모리 소자간의 분리에 상기 소자 분리 홈이 사용되고 있으며,메모리 셀 이외의 주변 회로부분에 locos에 의한소자분리사용되고있는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 마스크층상에 절연막을 형성하는 공정;상기 절연막상에 도전막을 형성하는 공정; 및상기 도전막, 절연막, 마스크층을 동시에 에칭함으로써 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하며,상기 마스크층은 도전성 재료로 형성된 플로팅 게이트이고,상기 도전막은 제어 게이트이며,상기한 공정들에 의하여불휘발성메모리형성하는것을특징으로 하는반도체 장치의 제조 방법
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 2에 기재된 불휘발성 메모리 구성에서 제1 도전막과 제2 도전막은 각각 어떠한 역할을 수행하는 게이트인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 2에 기재된 불휘발성 메모리 구성 요소 중 제1 도전막과 제2 도전막이 각각 수행하는 게이트의 역할을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 제1 도전막과 제2 도전막에 대한 정의를 추출한다.
- 상기 제1 도전막은 플로팅 게이트이고, 상기 제2 도전막은 제어 게이트인불휘발성메모리구성하고있는것을특징으로 하는반도체 장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 제1 도전막과 제2 도전막의 역할을 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 제1 도전막은 플로팅 게이트이고, 상기 제2 도전막은 제어 게이트
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 결합하여 제1 도전막은 플로팅 게이트, 제2 도전막은 제어 게이트임을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 제1 도전막은 플로팅 게이트, 제2 도전막은 제어 게이트라고 결론을 내린다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1 도전막은 플로팅 게이트이고, 제2 도전막은 제어 게이트이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
불휘발성 메모리 구성에서 제1 도전막과 제2 도전막이 각각 플로팅 게이트와 제어 게이트의 역할을 수행함을 정의하고 있다.