캐리어 가스로서 헬륨을 사용하여 유전체 막을 형성하기 위한 방법 및 시스템 document_id 1019970012916

[청구항 17] 기판 처리 시스템에 있어서 챔버를 형성하기 위한 하우징 상기 기판을 홀딩하기 위해 상기 하우징내에 배치되는 서셉터 상기 챔버내에 처리 가스를 유입하기 위해 상기 하우징내에 배치되고 상기 서셉터 에 평행하게 위치되는 가스 분배 매니폴드 상기 가스 분배 매니폴드에 결합되고, 제1다수의 가스가 상기 처리 가스를 형성하기 위해 헬륨 캐리어 가스를 사용하여 유입되는 가스 혼합 챔버 상기 가스 혼합 챔버내에 상기 제1다수의 가스가 유입하도록 상기 가스 혼합 챔버에 결합되고, 상기 헬륨 캐리어 가스의 소스를 포함하는 소스 분배 장치 상기 기판을 가열하기 위한 가열기 상기 소스 분배 장치와 상기 가열기를 제어하기 위한 프로세서 및 상기 프로세서에 결합되고, 상기 화학 기상 중착 반응기 장치의 동작을 명령하기 위한 프로그램을 저장하는 메모리를 포함하며, 상기 프로그램은 세정을 수행하도록 기판의 연속 실행의 처리를 중지하기 위해 사용자 입력에 응답하여, 상기 사용자 입력은 축적되어 증착된 막 두께가 350㎛ 이상일때까지 사용되지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 프로그램은 상기 기판상에 도핑된 실리케이트 글라스의 막을 증착하기 위한 제1시간 주기 동안 상기 제1다수의 가스와 상기 헬륨 캐리어 가스를 유입하도록 하는 제1명령 세트를 포함하고, 상기 제1명령 세트는, 상기 제1시간 주기 동안 약 100-750℃의 온도까지 상기 기판을 가열하도록 상기 가열기를 제어하기 위한 제1부명령 세트; 및 보론 함유 소스, 포스포러스 함유 소스, 실리콘 함유 소스 및 산호 함유 소스를 선택된 유입 속도로 상기 가스 혼합 장치내로 유입하기 위해 상기 소스 분배 장치를 제어하기 위한제2부명령세트포함하는것을특징으로 하는기판 처리 시스템. [청구항 19] 제18항에 있어서,진공 챔버를 형성하기 위해 상기 챔버를 가압하기 위한 진공 장치를 더 포함하며, 상기 제1명령 세트는 상기 제1시간 주기 동안 약 10-760torr의 압력으로 상기 진공 챔버를 설정하고 유지하도록 상기 진공 시스템을 제어하기 위한제3부명령세트더포함하는것을특징으로 하는기판 처리 시스템. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 보론 함유 소스는 teb를 포함하고, 상기 포스포러스 함유 소스는 tepo를 포함하고, 상기 실리콘 함유 소스는 teos를 포함하며,상기산소 함유소스포함하는것을특징으로 하는기판 처리 시스템.