노이즈의 전파없이 서지를 방전시키기 위하여 기능 블럭들간에 분배되는 개별 전원선을 갖는 반도체 장치 document_id 1019970022318

[청구항 1] 제1전원선(32g;55a) 및 제2전원선(32h;56a)를 가지며, 상기 제1전원선 및 상기 제2전원선 중의 하나 이상에 가해지는 노이즈의 원인이 되는 제1기능블럭(32a;52a) 제3전원(32i;55b) 및 제4전원선(32j;56b)를 가지며, 상기 노이즈에 민감한 제2기능블럭(32b) 제1전원 전위를 상기 제1기능블럭에 인가하기 위하여 상기 제1전원선에 접속되는 제1전원 공급 패드(vdd10;vdd21) 상기 제1전원 전위와는 다른 제2전원 전위를 상기 제1기능블럭에 인가하기 위하여 상기 제2전원선에 접속되는 제2전원 공급 패드(gnd10 : gnd21) 제3전원 전위를 상기 제2기능블럭에 인가하기 위하여 상기 제3전원선에 접속되는 제3전원 공급 패드(vdd11;vdd22) 상기 제3전원 전위와은 다른 제4전원 전위를 상기 제2기능블럭에 인가하기 위하여 상기 제4전원선에 접속되는 제4전원 공급 패드(gnd11 : gnd22) 및 상기 제1, 제2, 제3 및 제4전원선에 선택적으로 접속되는 방전 수단을 구비하는 반도체 집적회로 장치에 있어서 상기 방전수단은 상기 제1기능블럭과 상기 제2기능블럭 중의 하나를 통하여 전파되는 비정상 전위의 존재시에 그들 사이에 도전경로를 형성하기 위하여 오프상태로부터 온상태로 변환되는 스위칭수단(35;41 57)들에 의해 구현되며, 상기 스위칭 수단은 상기 제1 및 제2전원선 중의 하나 이상을 통하여 전파되는 상기 노이즈의 존재시에 상기 오프상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기제1, 제2, 제3 및 제4전원선에 각각 제1양의 전압, 전지전압, 제2양의 전압 및 상기 접지전압이 인가되며, 상기 스위칭 수단(35)은, 상기 제2전원선과 상기 제3전원선 사이에 접속되며 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 상기 비정상 전위를 상기 제2전원선으로부터 상기 제3전원선으로 방전시키는 제1스위칭 트랜지스터(qn3) ; 상기 제2전원선과 상기 제4전원선으로 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 상기 비정상 전위를 상기 제2전원으로부터 상기 제4전원선으로 방전시키는 제2스위칭 트랜지스터(qn1) ; 및 상기 제2전원선과 상기 제4전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 상기 비정상 전위를 상기 제4전원선으로부터 상기 제2전원선으로 방전시키는제3스위칭트랜지스터포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제1스위칭 트랜지스터, 상기 제2스위칭 트랜지스터 및 상기 제3스위칭 트랜지스터는 각각 제1n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터, 제2n채널 인핸스먼트 전계효과 트랜지스터 및 제3n채널 인핸스먼트형전계효과트랜지스터인것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 스위치 수단(35)은, 상기 제2전원선과 상기 제1n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제1저항기(r13); 상기 제2전원선과 상기 제2n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제2저항기(r11); 및 상기 제4전원선과 상기 제3n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제3저항기(r12)를추가포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기제1, 제2, 제3 및 제4전원선에 각각 제1양의 전압, 전지전압, 제2양의 전압 및 상기 전지전압이 인가되며, 상기 스위칭 수단(41;57a)은, 제1전원선과 상기 제3전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에서 상기 비정상 전위를 방전시키는 제1스위칭 트랜지스터(qp1;qp12) ; 제1전원선과 상기 제3전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에서 상기 비정상 전위를 방전시키는 제2스위칭 트랜지스터(qp2;qp11) ; 제1전원선과 상기 제4전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에서 상기비정상 전위를 방전시키는 제3스위칭 트랜지스터(qn4;qn11) ; 제1전원선과 상기 제4전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에서 상기 비정상 전위를 방전시키는 제4스위칭 트랜지스터(qp3;qp13) ; 제2전원선과 상기 제3전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에서 상기 비정상 전위를 방전시키는 제5스위칭 트랜지스터(qp4;qp17) ; 제2전원선과 상기 제3전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에서 상기 비정상 전위를 방전시키는 제6스위칭 트랜지스터(qp5;qn12) ; 제2전원선과 상기 제4전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에서 상기 비정상 전위를 방전시키는 제7스위칭 트랜지스터(qp6;qp15) ; 및 제2전원선과 상기 제4전원선 사이에 접속되며, 턴온이 되도록 상기 비정상 전위에 반응함으로서, 그들 사이에 상기 비정상 전위를 방전시키는제8스위칭트랜지스터포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제1스위칭 트랜지스터, 상기 제2스위칭 트랜지스터, 상기 제3스위칭 트랜지스터, 상기 제4스위칭 트랜지스터, 상기 제5스위칭 트랜지스터, 상기 제6스위칭 트랜지스터, 상기 제7스위칭 트랜지스터 및 상기 제8스위칭 트랜지스터는 각각 제1p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터, 제2p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터, 제1n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터, 제3p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터, 제4p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터, 제2n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터, 제3n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터 및 제4n채널 인핸스먼트형전계효과트랜지스터인것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 스위칭 수단은, 상기 제3전원선과 상기 제1p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제1저항기(r4;r22) ; 상기 제1전원선과 상기 제2p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제2저항기(r5;r21) ; 상기 제4전원선과 상기 제1n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제3저항기(r6;r24) ; 상기 제1전원선과 상기 제3p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제4저항기(r7;r23) ; 상기 제3전원선과 상기 제4p채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제5저항기(r8;r30) ; 상기 제2전원선과 상기 제2n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제6저항기(r9;r29) ; 상기 제4전원선과 상기 제3n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제7저항기(r10;r32) ; 및 상기 제2전원선과 상기 제4n채널 인핸스먼트형 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속되는 제8저항기(r11;r31)를추가포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제1기능블럭은 상기 제1 및 제2전원선을 통하여 전원공급되는 하나 이상의 디지털회로(32c;52d) 및 제1신호패드, 상기 하나 이상의 디지털 회로와 상기 제2전원선 사이에 접속되어 상기 비정상 전위를 상기 제2전원선을 방전시키는 보호회로(32e;52g)를 포함하고, 상기 제2기능블럭은 상기 제3 및 제4전원선을 통하여 전원공급되는 하나 이상의 아날로그 회로(32d;52e) 및 하나 이상의 제2신호패드, 상기 제4전원선과 상기 하나 이상의 아날로그 회로 사이에 접속되어 상기 비정상 전압을 상기 제4전원선으로 방전시키는하나이상의보호회로포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로 장치.