문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 논리 게이트는 nand게이트인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 웰 바이어스는 상기 전원 전압이 소정의 레벨에 도달한 이후에는상기백바이어스전압인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기nmos 트랜지스터의 제1 전극이 소오스이고 상기 크램프 트랜지스터의 제2 전극이드레인인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 펌핑 캐패시터의 타단에 제1 전극과 게이트가 공통으로 연결되고 제2 전극은 접지 전압에 연결되며 상기 웰 바이어스 발생기의 출력단에 벌크가 연결되어 상기 펌핑 캐패시터를 상기 접지 전압보다 문턱 전압만큼 높은 전압으로 초기화시키는크램프트랜지스터더구비하는것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 크램프 트랜지스터는 nmos트랜지스터인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 접지 전압은 그전위영전위인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 크램프 트랜지스터의 제1 전극이 드레인이고 상기 크램프 트랜지스터의 제2 전극이소오스인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 웰 바이어스는상기 오실레이터에 일단이 연결된 제1 캐패시터;상기 제1 캐패시터의 타단에 제1 전극이 연결되고 게이트와 제2 전극은 접지되어 상기 제1 캐패시터를 상기 접지 전압보다 문턱 전압만큼 높은 전압으로 초기화시키는 제1 전계효과 트랜지스터; 및상기 제1 전계효과 트랜지스터의 제1 전극에 캐쏘우드가 연결되고 애노우드로부터 상기 웰 바이어스를 발생하는제1다이오드구비하는것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제1 전계효과 트랜지스터는 pmos트랜지스터인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 제1 전계효과 트랜지스터의 제1 전극은 소오스이고 상기 제1 전계효과 트랜지스터의 제2 전극은드레인인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 웰 바이어스는상기 오실레이터에 일단이 연결된 제2 캐패시터;상기 제2 캐패시터의 타단에 제1 전극이 연결되고 게이트와 제2 전극은 접지되어 상기 제2 캐패시터를 상기 접지 전압보다 문턱 전압만큼 높은 전압으로 초기화시키는 제2 전계효과 트랜지스터; 상기 제2 전계효과 트랜지스터의 제1 전극에 캐쏘우드가 연결되고 애노우드로부터 상기 웰 바이어스를 발생하는 제2 다이오드; 및상기 제2 다이오드의 캐쏘우드에 제1 전극과 게이트가 공통으로 연결되고 제2 전극에는 상기 백 바이어스가 인가되는제3전계효과트랜지스터구비하는것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 제2 전계효과 트랜지스터는 pmos트랜지스터인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 14]
제12항에 있어서,상기 제2 전계효과 트랜지스터의 제1 전극은 소오스이고 상기 제2 전계효과 트랜지스터의 제2 전극은드레인인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 15]
제12항에 있어서,상기 제3 전계효과 트랜지스터는 pmos트랜지스터인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
[청구항 16]
제12항에 있어서,상기 제3 전계효과 트랜지스터의 제1 전극은 드레인이고 상기 제2 전계효과 트랜지스터의 제2 전극은소오스인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치의 백 바이어스 발생기에서 펌핑 캐패시터를 접지 전압보다 문턱 전압만큼 높은 전압으로 초기화하기 위해 구비되는 크램프 트랜지스터의 구성 및 연결 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation펌핑 캐패시터를 초기화하기 위한 크램프 트랜지스터의 구성 요소와 각 전극의 연결 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 크램프 트랜지스터의 연결 관계를, 청구항 6과 8에서 트랜지스터의 종류 및 전극 구성을 추출한다.
- 상기 크램프 트랜지스터의 제1 전극이 드레인이고 상기 크램프 트랜지스터의 제2 전극이소오스인것을특징으로하는반도체 장치의 백 바이어스 발생기
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3근거 선택
evidence_selection크램프 트랜지스터가 NMOS이며, 제1 전극(드레인)과 게이트가 펌핑 캐패시터의 타단에 공통 연결되고, 제2 전극(소오스)은 접지 전압에 연결된다는 구절을 선택한다.
- 상기 크램프 트랜지스터의 제1 전극이 드레인이고 상기 크램프 트랜지스터의 제2 전극이소오스인것을특징으로하는
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4논리 통합
logical_integration크램프 트랜지스터는 NMOS이며, 펌핑 캐패시터의 한쪽 끝(타단)에 드레인과 게이트가 함께 연결되어 있고, 소오스는 접지 전압에 연결되어 초기화를 수행함을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 답변하기 위해 크램프 트랜지스터의 종류(NMOS)와 전극별 연결 대상(제1 전극/드레인 및 게이트: 펌핑 캐패시터 타단, 제2 전극/소오스: 접지 전압)을 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
크램프 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터로 구성되며, 펌핑 캐패시터의 타단에 제1 전극(드레인)과 게이트가 공통으로 연결되고, 제2 전극(소오스)은 접지 전압에 연결되는 구성 및 연결 관계를 갖는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
펌핑 캐패시터를 문턱 전압만큼 높은 전압으로 초기화하기 위해 NMOS 크램프 트랜지스터의 드레인과 게이트를 캐패시터에, 소오스를 접지에 연결하여 동작시키는 기술이다.