전면 고밀도 플라즈마 증착 제공 방법 및 그 장치 document_id 1019970031254

[청구항9] 상부 표면과 후면을 가지는 기판상에 스퍼터링된 재료를 증착하기 위한 장치에 있어서 스퍼터링 재료용 타겟을 가지고 플라즈마 를 포함하기 위한 스퍼터링 챔버 상기 스퍼터링된 재료의 적어도 1% 이상을 이온화하기 위해 rf 에너지로 상기 플라즈마 를 이온화하도록 배치된 rf 코일 및 자유 부동 전위에 있는 기판 지지용 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치 [청구항10] 제9항에 있어서,상기 부재는 단지 상기 기판의 후면을 구속하고 상기 기판의 전체 상부 표면은 이온화 스퍼터링된재료증착되는것을하는증착 장치. [청구항11] 제10항에 있어서,상기 부재는 상부 표면과 상기 부재의 상부 표면상의 소정 거리에 기판을 지지하기 위한다수의디플가지는것을특징으로 하는증착 장치. [청구항12] 제9항에 있어서,티타늄으로형성되는것을특징으로 하는증착 장치. [청구항13] 기판상의 티타늄 증착 장치에 있어서 플라즈마, 티타늄 타겟, 및 상기 타겟으로부터 티타늄을 스퍼터링하기 위한 수단을 포함하는 스퍼터링 챔버 상기 스퍼터링된 티타늄 원자를 이온화하기 위해 rf 에너지로 상기 플라즈마 를 에너지화하기 위한 rf 코일 수단 및 지배적으로 (002)가 되는 결정 방향을 가지는 티타늄 막을 형성하기 위해 상기 기판상에 상기 이온화된 티타늄을 증착하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판상의 티타늄 막 증착 장치 [청구항14] 기판상의 질화 티타늄 증착 장치에 있어서 플라즈마를 를 포함하는 스퍼터링 챔버 상기 챔버내에 질화 티타늄의 소스를 제공하기 위한 수단 사이 질화 티타늄을 이온화하기 위해 rf 에너지로 상기 플라즈마 를 에너지화하기 위한 rf 코일 수단 및 지배적으로 (200)와 (111)가 되는 결정 방향을 가지는 질화 티타늄막을 형성하기 위해 상기 기판상에 상기 이온화된 질화 티타늄을 증착하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판상의 질화 티타늄 막 증착 장치 [청구항20] 상부 표면과 후면을 가지는 기판상에 스퍼터링된 재료를 증착하기 우한 장치에 있어서 플라즈마와 재료가 스퍼터링되는 타겟을 포함하는 스퍼터링 챔버 상기 스퍼터링된 재료의 적어도 1% 이상을 이온화하기 위해 rf 에너지로 상기 플라즈마 를 에너지화하도록 배치된 rf 코일 및 기판을 지지하기 위한 부재를 포함하며, 상기 부재는 접지되는 것을 특징으로 하는 기판상의 스퍼터링된 재료 증착 장치 [청구항21] 제20항에 있어서,상기 부재는 단지 상기 기판의 후면을 구속하고 상기 기판의 전체 상부 표면은 이온화 스퍼터링된 재료가 증착되는 것을 특징으로 하는 기판상의스퍼터링된재료 증착 장치. [청구항22] 제21항에 있어서,상기 부재는 상부 표면과 상기 부재의 상부 표면상의 소정 거리에 상기 기판을 지지하기 위한 다수의 딤플을 가지는 것을 특징으로하는 기판상스퍼터링된재료 증착 장치. [청구항23] 제20항에 있어서,티타늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판상의스퍼터링된재료 증착 장치.