반도체장치 및 그 제조방법 document_id 1019970032027

[청구항 3] 제2항에 있어서,상기제 1의 절연막은, 상기 도전층패턴의 측벽부와 상부에서 다른막구성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기제 1의 절연막은, 상기 도전층패턴의 측벽부에 위치하는 상기 실리콘질화막으로서 되는 제2의절연막의하부있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 도전층패턴은 mis트랜지스터의게이트전극구성하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기제 1의 절연막은실리콘산화막으로서되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제2항에 있어서,상기제1의 절연막은 도전층패턴 상면에는측면형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 실리콘질화막으로서 되는 제 2의 절연막상에 형성된, 실리콘질화막과 에칭 특성이 다른 제3의 절연막과, 상기 제3의 절연막에 형성되고, 그 저부의 일부가 상기 실리콘질화막에 걸리도록 형성된콘택트창갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기제 3의 절연막의 표면은, 상기 반도체기판에 대하여거의평행형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기제2의 콘택트창은 상기 제2의 도전층의 외측의 상기 제2의절연막상의영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기제3의 도전층은 도전체와, 실리콘질화막으로서 되는 제4의 절연막의 적층제로서 구성되고, 상기 제4의 절연막은 상기 제2의 절연막의 두께보다 큰 것특징으로 하는반도체 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기제3의 절연막을 관통하고, 상기 제2의 불순물확산층 영역에 접속된 상기 제3의 도전층에 도달하는 제4의 콘택트창과, 상기 제4의 콘택트창을 통하여 상기 제3의 도전층과 접속하는, 축적전극으로 되는 제5의 도전층과, 상기 제5도의 도전층과 대향하여, 캐퍼시터 절막을 통하여 형성된, 대향 전극으로 되는 제6의도전층더갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기제5의 도전층은 저면부와, 기판에 대하여 수직으로 형성되는원통상의형상갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기제3의 콘택트창은 상기 제2의 도전층의 외측의 상기 제2의절연막상의영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기제4의 콘택트창은 상기 제3의 도전층의 외측의 상기 제2의절연막상의영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 18] 제14항에 있어서,상기제5의 도전층의 저면부의 일부가 상기 제2의 절연막의 상부와, 접촉하는부분갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 19] 제14항에 있어서,상기 제6도의 도전층의 단부가 상기 제2의 절연막의 단부가평면적일치하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 20] 제13항에 있어서,상기제4의 도전층은 도전체를 실리콘 질화막으로서 되는 제4의 절연막의 적층체로서 구성되고, 상기 제4의 절연막은 상기 제2의 절연막의 두께보다 큰 것특징으로 하는반도체 장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기제4의 도전층의 단부와 상기 제3의 절연막의 단부가평면적일치하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기제2의 도전층의 아래에는, 상기 제1의 절연막과 에칭 특성이 다른 제2의절연막갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기제2의 콘택트창은 상기 제1의 절연막과 상기 제2의 도전층과 상기 제2의 절연막을 관통하도록형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 26] 제24항 또는 제25항에 있어서,상기제2의 절연막은실리콘질화막인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기제2 및 제3의절연막의실리콘질화막인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 29] 제23항 또는 제27항에 있어서,상기제1의 절연막의 표명이 기판과 거의 평행하게 되도록평탄화된것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 30] 제23항 또는 제27항에 있어서,상기제2의 도전층의 메모리셀의 캐퍼시터대향전극인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기제2의 절연막을 설치되고, 그 저부의 일부가 상기 제1의 절연막상에 걸리도록 형성된콘택트창갖는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 34] 제31항 또는 제32항에 있어서,상기제1의절연막실리콘 질화막인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 35] 제32항에 있어서,상기 기판으로부터의 거리의 레벨이 큰 제1의 절연막은 필드 절연막상에 형성되고, 상기 기판으로 부터의 거리의 레벨이 가장 작은 제1의 도전층은활성영역상형성되어있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 36] 제31항에 있어서,상기제1의 도전층은 dram의비트라인구성하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 37] 제32항에 있어서,상기제1의 도전층은 dram의워드라인구성하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 69] 제 67항에 있어서 상기 제 2의 불순물의 이온주입의 도즈량은 상기 제 1의 불순물의 이온주입의 도즈량보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용공개하는 것임