케미컬을 이용한 반도체소자 제조장치 document_id 1019970035186

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 공급라인 상에는 통과되는 액상의 물질 또는 기상의 물질의 흐름을 차단할 수 있는 단속밸브가 각각 설치됨을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 케미컬 공급원과 연결된 상기 공급라인 상에 설치된 단속밸브는 3-웨이 밸브임을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 탈이온수 공급원과 연결된 공급라인 상에 설치된 상기 단속밸브와 상기 희석장치 사이에서 주분기라인이 형성되어 분배기와 연결되며, 상기 분배기와 상기 3-웨이 밸브가 분기라인에 의해서 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 희석장치는, 양측단부에서 내부중앙으로 갈수록 내부단면적이 감소하며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 희석장치는, 횡방향으로 내부공간을 양분하는 믹스 스크린이 형성되어 있으며, 다수의 상부판이 종방향으로 상기 믹스 스크린에 의해서 양분된 일측 내부공간에 설치되어 있으며, 다수의 하부판이 상기 상부판관 서로 교차하며 상기 믹스 스크린에 의해서 양분된 타측 내부공간에 종방향으로 설치되어 있으며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 7] 제 4 항에 있어서,상기 희석장치는, 횡방향으로 내부공간을 3등분하는 상부 스크린과 하부 스크린이 형성되어 있으며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 8] 제 4 항에 있어서,상기 희석장치는, 다수의 가로홈이 형성된 가로판과 다수의 세로홈이 형성된 세로판이 일정간격 서로 이격되며 교대로 다수개 설치되어 있으며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 9] 제 5 항 내지 제 8 항에 있어서,싱기 희석장치의 몸체에 형성된 다수의 공급구 내부에는 상기 몸체 내부중앙에 일정간격 돌출된 돌출공급라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 돌출공급라인의 단부는 상기 방출구 방향으로소정각도경사커팅처리있는것을특징으로 하는상기 반도체장치 제조용 케미컬 및 가스 혼합장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 돌출공급라인은 상기 몸체방향으로 소정길이 만큼 절곡연장되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 돌출공급라인의 단부는 상기 방출구 방향으로 소정각도 경사커팅처리 되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 다수의 케미컬 공급라인 및 상기 탈이온수 공급라인 상에는 각각 단속밸브가 설치됨을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 방출라인 상에는 단속밸브가 설치됨을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 단속밸브와 희석장치 사이에 펌프가 설치됨을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 단속밸브와 상기 펌프 사이에는 필터가 설치됨을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 단속밸르와 상기 필터 사이에서 분기되어 상기 희석장치와 합쳐지는 순환라인이 형성됨을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 희석장치는, 양측단부에서 내부중앙으로 갈수록 내부단면적이 감소하며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 희석장치는, 횡방향으로 내부공간을 양분하는 믹스 스크린이 형성되어 있으며, 다수의 상부판이 종방향으로 상기 믹스 스크린에 의해서 양분된 일측 내부공간에 설치되어 있으며, 다수의 하부판이 상기 상부판관 서로 교차하며 상기 믹스 스크린에 의해서 양분된 타측 내부공간에 종방향으로 설치되어 있으며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 21] 제 18 항에 있어서,상기 희석장치는, 횡방향으로 내부공간을 3등분하는 상부 스크린과 하부 스크린이 형성되어 있으며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 22] 제 18 항에 있어서,상기 희석장치는, 다수의 가로홈이 형성된 가로판과 다수의 세로홈이 형성된 세로판이 일정간격 서로 이격되며 교대로 다수개 설치되어 있으며, 주변부 및 일측 단부에 다수의 공급구가 형성되며, 타측 단부에 방출구가 형성된 몸체로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 23] 제 18 항 내지 제 22 항에 있어서,싱기 희석장치의 몸체에 형성된 다수의 공급구 내부에는 상기 몸체 내부중앙에 일정간격 돌출된 돌출공급라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 돌출공급라인의 단부는 상기 방출구 방향으로소정각도경사커팅처리있는것을특징으로 하는상기 반도체장치 제조용 케미컬 및 가스 혼합장치. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 돌출공급라인은 상기 몸체방향으로 소정길이 만큼 절곡연장되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 돌출공급라인의 단부는 상기 방출구 방향으로 소정각도 경사커팅처리 되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 케미컬이용한반도체소자 제조장치.