불휘발성 반도체 메모리 및 그 리페어 방법 document_id 1019970036260

[청구항 1] 불휘발성 반도체 메모리에 있어서 행방향으로 각기 배열되는 복수개의 워드라인들과 상기 워드라인들에 대해 수직으로 각기 배열되는 복수개의 비트라인들과 행방향으로 각기 배열되는 복수개의 소오스라인들과 상기 비트라인들중 한 비트라인에 접속되는 제1전극과, 상기 소오스라인들중 한 소오스라인에 접속되는 제2전극과, 상기 워드라인들중 한 워드라인에 접속되는 컨트롤 게이트를 각기 포함하는 복수개의 메모리 셀들과 행방향으로 배열되는 복수개의 리던던트 워드라인들과 상기 비트라인들중 한 비트라인에 접속되는 제1전극과, 상기 소오스라인들중 한 소오스라인에 접속되는 제2전극과, 상기 리던던트 워드라인들중 한 워드라인에 접속되는 컨트롤 게이트를 각기 포함하는 복수개의 리던던트 메모리 셀들과 상기 메모리 셀들중 결함이 발생된 메모리 셀이 포함되는 워드라인과 이 워드라인과 상기 소오스라인을 공유하는 인접 워드라인을 한 단위로 하여, 상기 리던던트 워드라인들중 대응되는 두 리던던트 워드라인으로 리페어를 수행하는 워드라인 리던던트 제어부를 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 열방향으로 배열된 메모리 셀들중 두 메모리 셀 단위로상기소오스라인공유함을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 워드라인리던던트 제어부는상기 공유되는 소오스라인들 마다 채널이 직렬로 접속되며, 게이트가 상기 워드라인들중 대응되는 한 워드라인에 접속되는 복수개의 스위칭 트랜지스터들과;상기 메모리 셀들중 결함있는 메모리 셀이 발생되면, 디코딩된 로우어드레스에 응답하여 상기 결함이 발생된 메모리 셀의 워드라인과, 이 워드라인과 상기 소오스라인을 공유하는 인접 워드라인에 제1레벨의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 리페어제어부구성됨을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터는 엔모오스 트랜지스터특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제1레벨은 그라운드 레벨특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 리페어 제어부는 데이터 래치와; 상기 데이터 래치의 일측에 접속되며 셋업신호에 응답하여 상기 데이터 래치의 초기레벨값을 설정하는 제1트랜지스터와; 상기 데이터 래치의 타측에 접속되며 상기 디코딩된 로우어드레스에 응답하여 상기 데이터 래치의 논리값을 설정하는 제1논리게이트와; 상기 데이터 래치의 일측에 접속되는 레벨천이기와; 상기 레벨천이기의 출력단자에 접속되며, 각종 프로그램이나 독출동작에 요구되는 제어전압에 의해 스위칭 동작을 수행하는 복수개의 인버어터들구성됨을특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1트랜지스터는 엔형 모오스 트랜지스터특징으로 하는불휘발성 반도체 메모리.