플라즈마처리장치 document_id 1019970040090

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스열 중의, 플라즈마 착화시의 고주파 전력 펄스에 대하여, 상기 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스열 중의, 플라즈마가 착화된 후의 상기 고주파 펄스열 중의, 각 고주파 전력 펄스에 대하여, 각 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스열 중의, 플라즈마 착화시의 고주파 전력 펄스 및 플라즈마가 착화된 후의 각 고주파 전력 펄스에 대하여, 각 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안에 있어서, 상기 고주파 펄스의 주파수를 높은 주파수로부터 서서히 감소시켜, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수로 되도록 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마원은 2개 이상의 플라즈마원이고,상기 주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스열 중 적어도 하나의 고주파 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안에 있어서의 상기 고주파 펄스의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정함과 동시에, 상기 2개 이상의 플라즈마원의 각 플라즈마원에 인가되는 상기 고주파 전력 펄스열의 타이밍을 서로 어긋나도록 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 소정값은 플라즈마 중의 이온의 충돌에 의해 피처리체에 부여되는 손상을 경감하는관점설정된값인플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스용 전력 제어 수단은, 상기 탑재대에 대하여 일정 진폭의 바이어스용 고주파 전력을 인가한 경우에, 상기 피처리체의 처리면상에 발생되는 전위에 상당하는 전위의 요철의 변화에 대하여 상대적으로 반전된 파형과 서로 유사한 포락선 파형을 상기 바이어스용 고주파 전력이 갖도록 제어함으로써, 상기 피처리체의 처리면상에서의 전위가 일정해지도록, 바이어스용 고주파 전력을 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스용 전력 제어 수단은, 상기 바이어스용 고주파 전력의 주파수를 제어함으로써, 상기 피처리체의 처리면상에서의 전위가 일정해지도록, 바이어스용 고주파 전력을 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스용 전력 제어 수단은, 상기 탑재대에 대하여 일정 진폭의 바이어스용 고주파 전력을 인가한 경우에 상기 피처리체의 처리면상에 발생하는 전위에 상당하는 전위의 요철의 변화에 대하여 상대적으로 반전된 파형과 서로 유사한 포락선 파형을 상기 바이어스용 고주파 전력이 갖도록, 상기 바이어스용 고주파 전력의 주파수를 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 8 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스 전력 제어 수단은, 상기 피처리체의 처리면상에서의 전위에 상당하는 전위의 최대값, 최소값 및 평균값 중 하나가 소정값 이하로 되도록, 바이어스용 고주파 전력을 제어하기 위한 바이어스용 전력 제어 수단으로서, 상기 바이어스용 고주파 전력이 상기 플라즈마원에 인가되는 고주파 전력 펄스열보다도 소정의 지연을 갖도록 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스열 중의, 플라즈마 착화시의 고주파 전력 펄스에 대하여, 상기 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스열 중의, 플라즈마가 착화된 후의 각 고주파 전력 펄스에 대하여, 각 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 플라즈마 착화시의 고주파 전력 펄스 및 플라즈마가 착화된 후의 각 고주파 전력 펄스에 대하여, 각 고주파 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,상기 주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안에 있어서, 상기 고주파 펄스의 주파수를 높은 주파수에서부터 서서히 감소시켜서, 펄스 플라즈마 여기되어 있는정상시의주파수제어하는수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제 13 항에 있어서,상기 플라즈마원은 2개 이상의 플라즈마원이고,상기 주파수 제어 수단은, 상기 고주파 전원으로부터의 상기 고주파 펄스열 중 적어도 하나의 고주파 펄스의 포락선 파형이 상승하는 당초의 소정 기간 동안에 있어서의 상기 고주파 펄스의 주파수를, 펄스 플라즈마 여기되어 있는 정상 시의 주파수보다 높게 설정함과 동시에, 상기 2개 이상의 플라즈마원의 각 플라즈마원에 인가되는 상기 고주파 전력 펄스열의 타이밍을 서로 어긋나도록 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제 13 항에 있어서,상기 소정값은 플라즈마 중의 이온의 충돌에 의해 피처리체에 부여되는 손상을 경감하는관점설정된값인플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제 13 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스용 전력 제어 수단은, 상기 탑재대에 대하여 일정 진폭의 바이어스용 고주파 전력을 인가한 경우에, 상기 피처리체의 처리면상에 발생하는 전위에 상당하는 전위의 요철의 변화에 대하여 상대적으로 반전된 파형과 서로 유사한 포락선 파형을 상기 바이어스용 고주파 전력이 갖도록 제어함으로써, 상기 피처리체의 처리면상에서의 전위에 상당하는 전위의 최대값, 최소값 및 평균값 중 하나가 소정값 이하로 되도록, 바이어스용 고주파 전력을 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제 13 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스용 전력 제어 수단은, 상기 바이어스용 고주파 전력의 주파수를 제어함으로써, 상기 피처리체의 처리면상에서의 전위에 상당하는 전위의 최대값, 최소값 및 평균값 중 하나가 소정값 이하로 되도록, 바이어스용 고주파 전력을 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제 13 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스용 전력 제어 수단은, 상기 탑재대에 대하여 일정 진폭의 바이어스용 고주파 전력을 인가한 경우에 상기 피처리체의 처리면상에 발생하는 전위에 상당하는 전위의 요철의 변화에 대하여 상대적으로 반전된 파형과 서로 유사한 포락선 파형을 상기 바이어스용 고주파 전력이 갖도록, 상기 바이어스용 고주파 전력의 주파수를 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제 13 항에 있어서,상기 바이어스용 전력원에 접속된 상기 바이어스 전력 제어 수단은, 상기 피처리체의 처리면상에서의 전위에 상당하는 전위의 최대값, 최소값 및 평균값 중 하나가 소정값 이하로 되도록, 바이어스용 고주파 전력을 제어하기 위한 바이어스용 전력 제어 수단으로서, 상기 바이어스용 고주파 전력이 상기 플라즈마원에 인가되는 고주파 전력 펄스열보다도 소정의 지연을 갖도록 설정하는 제어수단인플라즈마 처리 장치.