화합물반도체발광장치 document_id 1019970046256

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 화합물 반도체 발광소자가이루어진것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 반도체 발광소자가 형성된 곳 위에 기판을 더 구비하여 구성되고, 방사된 광이 상기 기판을 통해지나가는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 캐패시터가상기화합물반도체 발광소자상형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,절연된 중첩영역을 갖춘 제1 및 제2배선층을 더 포함하고, 상기 캐패시터가 상기 제1 및 제2배선층 사이에 형성되며, 상기 제1배선층이 상기 제1전극에 연결됨과 더불어 상기 제2배선층이상기제2전극연결되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 화합물 반도체 발광소자가 탑재됨과 더불어 상기 제1 및 제2배선층이 형성된 곳 위에세라믹 기판더포함하여이루어진것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 캐패시터의 캐패시턴스가 상기 화합물 반도체 발광소자의 진성 캐패시턴스 보다 더 큰 것특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층과 상기 제2화합물 반도체층 사이에 형성된 활성층을 더 구비하여구성된것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층과 상기 제2화합물 반도체층이 inxalyga(1-x-y)n층(0≤x≤1, 0≤y≤1)을포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층과 상기 활성층 및 상기 제2화합물 반도체층중 적어도 하나가포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층 아래에 형성된 반사층을 더 구비하여구성된것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기 제2전극이투광성 전극과전극배선포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 전극 배선이 au, ti, ni로 이루어진 군과, au와 ti의 합금, au와 al의 합금 및, au와 cu의합금선택되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 15] 제9항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층이 단차의 바닥에 노출되고, 상기 제1전극 및 상기 제2전극이단차의바닥상형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,단차의 측벽을 덮는절연층더구비하여이루어진것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 17] 제9항에 있어서,상기 제1전극 또는 상기 제2전극이배선층포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 18] 제9항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치한 절연층을 더 구비하여 구성되고,상기 캐패시터가 상기 제2전극과 상기 절연층 및 상기 제1전극 사이에 형성된평행평판캐패시터인것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 제2전극이 투광성 전극과 상기 절연층의 상부로 연장된전극배선포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 절연층이 sio2, ta2o5, bto, sto, bsto, pzt로 이루어진 군으로부터 선택된재료포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 21] 제9항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극이본딩패드기능하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 22] 제9항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층과 상기 제2전극 사이에 위치한 절연층을 더 포함하고, 상기 캐패시터가상기제1화합물반도체층과상기제2전극사이형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 23] 제9항에 있어서,상기 캐패시터가 상기 제1화합물 반도체층과 상기 제2전극 사이에 형성되고, 쇼트키 장벽이상기제1화합물반도체층과상기제2전극사이형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 24] 제9항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층에 형성된 트렌치를 더 구비하여 구성되고, 상기 활성층 및 상기 제2화합물 반도체층과, 상기 캐패시터가상기트렌치형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 25] 제9항에 있어서,상기 제1화합물 반도체층이 단차의 바닥에 노출되고, 상기 제2전극이 상기 단차의 상부에 형성되며, 상기 캐패시터가상기제2전극상형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 26] 제9항에 있어서,표면상에서 배선 라인을 갖춘 배선판과;상기 제1전극 및 상기 제2전극을 상기 배선 라인에 연결하기 위한 도전성 페이스트를 더 구비하여구성된것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 장치가포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 전극배선이 au, ti, ni로 이루어진 군과, au와 ti의 합금, au와 al의 합금 및, au와 cu의합금선택되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 제1콘택트층이 단차의 바닥에 노출되고, 상기 절연층이단차의바닥상형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 31] 제27항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극이본딩패드기능하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 캐패시터가상기제2콘택트층상의상기제2전극상형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 33] 제27항에 있어서,표면상에서 배선 라인을 갖춘 배선판과;상기 제1전극 및 상기 제2전극을 상기 배선 라인에 연결하기 위한 도전성 페이스트를 더 구비하여구성된것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치한 절연층을 더 구비하여 구성되고,상기 캐패시터가 상기 제1전극과 상기 절연층 및 상기 제2전극 사이에 형성된평행평판캐패시터인것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 전류블럭이유전체층인것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 유전체층이 sio2로이루어진것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 39] 제36항에 있어서,상기 캐패시터가상기제2콘택트층상의상기제2전극상형성되는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치. [청구항 40] 제36항에 있어서,상기 제1콘택트층과, 상기 제1크래딩층, 상기 활성층, 상기 제2크래딩층, 상기 전류블럭 및,상기제2콘택트층중적어도하나포함하는것을특징으로 하는화합물 반도체 발광장치.