반도체장치 document_id 1019970049593

[청구항 1] 출력단자, 그의 소오스에 전원단자를 거친 동작전압이 인가되고 또한 그의 드레인에 의해 상기 출력단자에 출력신호를 부여하도록 그의 소오스 드레인통로가 상기 전원단자와 상기 출력단자 사이에 마련되어 이루어지는 제1출력 mos 트랜지스터 및 상기 제1출력 mos 트랜지스터의 게이트로 공급할 구동신호를 형성하는 제1진폭변환회로를 포함하는 출력회로를 갖고, 상기 제1진폭변환회로는 전압승압동작에 따라서 형성되는 승압전압을 진폭변환할 입력신호에 응답하여 스위치 출력하는 스위치소자를 포함하고, 상기 제1출력 mos 트랜지스터를 도통방향으로 구동시키는 신호레벨을 상기 승압전압에 따라서 형성되는 신홀벨로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1진폭변환회로는 용량소자 및 이러한 용량소자의 단자 사이에 충전전압을 인가하는 제1상태와 이러한 용량소자의 한쪽의 전극에 구동전압을 인가하는 것에 의해 이러한 용량소자의 다른쪽의 전극에 승압전압을 일으키게 하는 제2상태를 취하는승압회로포함하여이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 승압회로는 상기 진폭변환될 입력신호에 의해상기스위치소자와동기동작되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,외부전원전압을 받고 그것보다 작은 전압인 제1동작전압을 형성하는 강압회로와상기 강압회로로부터의 상기 동작전압에 의 동작되는 mos 트랜지스터를 포함하는 내부회로를 더 구비하여 이루어지고,상기 제1진폭변환회로는 상기 내부회로에서 출력되는신호를그신호로하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 5] 제4항상기 제1진폭변환회로는 용량소자 및 이러한 용량소자의 단자 사이에 충전전압을 인가하는 제1상태와 이러한 용량소자의 한쪽의 전극에 구동전압을 인가하는 것에 의해 이러한 용량소자의 다른쪽의 전극에 승압전압을 일으키게 하는 제2상태를 취하는승압회로포함하여이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 승압회로는 상기 진폭변환될 입력신호에 의해 상기 스위치소자와 동기에서 동작되는 것인 것특징으로 하는반도체장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 승압회로는 상기 강압회로로부터의 상기 동작전압에 의해 동작되는 cmos회로에 의해 상기 용량소자의 한쪽의 전극에 인가될상기구동전압형성하도록하는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기cmos회로는 cmos인버터회로로이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 승압회로는 상기 전원단자를 거친 상기 동작전압에 의해 동작되는 cmos회로에 의해 상기 용량소자의 한쪽의 전극에 인가될 상기 구동전압을 형성하도록있는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 10] 제1항~제9항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1출력트랜지스터는 그의 소오스가 회로의 기준전위점측의 제1전원단자에 결합된 n채널형 mos 트랜지스터로 이루어지고,상기 제1진폭변환회로는 상기 기준전위에 대해서 플러스전위인 승압전압을 형성하도록구성되어이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 출력회로는 그의 소오스에 제2전원단자를 거쳐서 상기 기준전위점에 대해 정의 전원전위가 인가되는 상태를 갖고 제2전원단자와 상기 출력단자 사이에 그의 소오스 드레인통로가 마련되는 p채널형 mos 트랜지스터로 이루어지는 제2출력 mos 트랜지스터 및 상기 제2출력 mos 트랜지스터의 게이트로 공급할 제2구동신호를 형성하는 제2진폭변환회로를 더 포함하고,상기 제2진폭변환회로는 상기 제2출력 mos 트랜지스터의 도통을 강하게 하는 방향의 전위인 승압전압을 형성하도록구성되어이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 제1진폭변환회로와 상기 제2진폭변환회로는 모두 상기 진폭변환할 입력신호에 응답해서 각각의 승압전압을 형성하는 것인 것특징으로 하는반도체장치. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 출력회로는 그의 드레인이 제2전원단자에 접속되고 그의 소오스에서 상기 출력단자로 출력신호를 부가하는 n채널형 mos 트랜지스터로 이루어지는 제2출력트랜지스터 및 상기 제2출력트랜지스터의 게이트로 공급할 제2구동신호를 형성하는 제2진폭변환히로를 더 포함하고,상기 제2진폭변환회로는 상기 제2출력트랜지스터의 도통을 강하게 하는 바양의 전위인 승압전압을 형성하도록구성되어이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 14] 제4항~제9항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 제1출력트랜지스턴은 그의 소오스가 회로의 기준전위점측의 제1전원단자에 결합된 n채널형 mos트랜지스터로 이루어지고,상기 제1진폭변환회로는 상기 기준전위에 대해서 플러스전위인 승압전압을 형성하도록구성되어이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 출력회로를 그의 소오스에 제2전원단자를 거쳐서 상기 기준전위점에 대해 정의 전원전위가 인가되는 상태를 갖고 상기 제2전원단자와 상기 출력단자 사이에 그의 소오스 드레인통로가 마련되는 p채널형 mos 트랜지스터로 이루어지는 제2출력 mos 트랜지스터 및 상기 제2출력 mos 트랜지스터의 게이트로 공급할 제2구동신호를 형성한은 제2진폭변환회로를 더 포함하고,상기 제2진폭변환회로는 상기 제2출력 mos 트랜지스터의 도통을 강하게 하는 방향의 전위인 승압전압을 형성하도록구성되어이루어지는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 제1진폭변환회로와 상기 제2진폭변환회로는 모두 상기 진폭변환할 입력신호에 응답해서 각각의 승압전압을 형성하는 것인 것특징으로 하는반도체장치. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 출력회로는 그의 드레인이 제2전원단자에 접속되고 그의 소오스에서 상기 출력단자로 출력신호를 부가하는 n채널형 mos 트랜지스터로 이루어지는 제2출력트랜지스터 및 상기 제2출력트랜시터의 게이트로 공급할 제2구동신호를 형성하는 제2진폭변환회로를 더 포함하고,상기 제2진폭변환회로는 상기 제2출력트랜지스터의 도통을 강하게 하는 방향의 전위인 승압전압을 형성하도록구성되어이루어진것을특징으로하는반도체장치. [청구항 18] 제14항에 있어서,상기 출력트랜지스터는 그의 게이트산화막이 상기 내부회로를 구성하는 mos트랜지스터고내압인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 19] 내부회로와 상기 내부회로로부터의 신호를 그의 입력에 받는 출력회로를 갖는 반도체장치로서, 상기 내부회로로는 제1전원접속점과 제2전원접속점을 거쳐서 전원이 공급되고, 상기 출력회로는 제3전원접속점과 제4전원접속점 사이에 직렬접속된 제1도전형의 제1 및 제2mos트랜지스터, 상기 제1mos트랜지스터와 제2mos 트랜지스터와의 공통접속노드에 접속되는 출력단자, 상기 제1전원접속점의 전위와 상기 제2전원접속점의 전위 사이에 전압진폭을 갖는 제1신호를 상기 내부회로에서 받고 상기 제1mos 트랜지스터의 게이트를 구동하기 위한 제2신호로 변환하는 제1진폭변환회로 및 상기 내부회로로부터의 상기 제1신호를 받고 상기 제2mos 트랜지스터의 게이트를 구동하기 위한 제3신호로 변환하는 제2진폭변환회로를 구비하고, 상기 제2 및 제3신호의 진폭은 상기 제1신호의 그것보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치 [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 제2전원접속점의 전위와 상기 제4전원접속점의 전위가동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기제2 및 제3신호의 로우레벨은상기제1신호의로우레벨동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기제1 및 제2진폭변환회로는 용량에 따라 다이나믹하게 전위레벨을 승압하는승압회로갖는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 제1전원접속점의 전위와 상기 제3전원접속점의 전위가동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 제3전원접속점에는 상기 반도체장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 상기 제1전원접속점의 전위는 상기 제3전원접속점의 전위를 받는 상기 반도체장치 내의 강압회로에 의해상기제3전원접속점의전위형성되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 25] 내부회로와 상기 내부회로로부터의 신호를 그의 입력에 받는 출력회로를 갖는 반도체장치로서, 상기 출력회로는 제3전원접속점과 제4전원접속점 사이에 직렬접속된 제1도전형의 제1mos 트랜지스터, 제2도전형의 제2mos 트랜지스터, 상기 제1mos 트랜지스터와 상기 제2mos 트랜지스터와의 공통접속노드에 접속되는 출력단자, 상기 제1전원접속점의 전위와 상기 제2전원접속점의 전위 사이의 전압진폭을 갖는 제1신호를 상기 내부회로에서 받고 상기 제1mos 트랜지스터의 게이트를 구동하기 위한 제2신호로 변환하는 제1진폭변환회로 및 상기 내부회로로부터의 상기 제1신호를 받고 상기 제2mos 트랜지스터의 게이트를 구동하기 위한 제3신호로 변환하는 제2진폭변환회로를 구비해서 이루어지고, 상기 제2 및 제3신호의 전압진폭은 상기 제1신호의 그것보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체장치 [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 제1전원접속점의 전위와 상기 제3전원접속점의 전위가 동일하고,상기제2전원접속점의전위와상기제4전원접속점의전위동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 제2신호의 하이레벨은 상기 제1신호의 하이레벨과 동일하고,상기 제3신호의 로우레벨은상기제1신호의로우레벨동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,용량에 따라 다이나믹하게 전위레벨을 승압하는승압회로갖는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 29] 제19항에 있어서,상기제2, 제3 신호진폭레벨의 신호가 게이트에 부가되는 제1, 제2도전형의 mos 트랜지스터의 그의 게이트 산화막이 상기 내부회로를 구성하는 mos트랜지스터고내압인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 30] 제25항에 있어서,상기제2, 제3 신호진폭레벨의 신호가 게이트에 부가되는 제1, 제2도전형의 mos 트랜지스터는 그의 게이트 산화막이 상기 내부회로를 구성하는 제1, 제2도전형 mos트랜지스터고내압인것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 31] 제19항 또는 제20항에 있어서,상기제1, 제2진폭변환회로는 칩내 또는 칩외에서 발생한 상기 제3전원접속점의 전위보다 높은 제5전원접속점의 전위, 상기 제4전원접속점의 전위보다 낮은 제6전원접속점의 전위를 사용하는수단갖는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 제2신호의 로우레벨은 상기 제4전원접속점의 전위와 동일하고,상기 제3신호의 하이레벨은상기제3전원접속점의전위동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 33] 제31항에 있어서,상기 제2신호와 상기 제3신호는 그의 하이레벨,로우레벨동일한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 34] 제26항에 있어서,상기 제2신호의 로우레벨은 상기 제1신호의 로우레벨과 동일하고,상기 제3신호의 하이레벨은상기제1신호의하이레벨동일한것을특징으로 하는반도체장치.