문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기a2/(a1＋a2)가 0. 15∼0. 25로설정되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,평면레이아웃에 있어서, 상기 가스유통로 및 상기 고주파안테나가 상기 재치면의 중심에 대하여 실질적으로선대칭또는점대칭배치되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 가스유통로가 복수의 브랜치를 구비하고, 상기 브랜치의 단부에만 상기 가스공급구멍이 설치되며, 상기 가스유통로의 입구로부터 상기 가스공급구멍까지의 각각의 콘덕턴스가 실질적으로 동일하게설정되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 브랜치의 단면적이 실질적으로 동일한 동시에 상기 가스유통로의 입구로부터 상기 가스공급구멍까지의 각각의 길이가 실질적으로 동일하게설정되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,과 대향하고, 또한 상기 처리실내의 내면에 접촉하도록 설치된 안테나블록을 구비하고, 상기 고주파안테나가상기안테나블록내설치되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 샤워헤드를 규정하는 상기 유전체제 패널이 상기 재치면과 상기 고주파안테나의 사이에 위치하고, 또한 상기 재치면과 대향하는상기안테나블록의유전체제의대향벽구성하는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 안테나블록이 상기 대향벽과는 별도로 유전체제매립층을 구비하고, 상기 고주파안테나가상기매립층내매립되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,상기 안테나블록이 접촉하는 상기 처리실내의 내면과 상기 매립층의 사이에서 상기 안테나블록이 실질적으로중실체로이루어지는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 10]
제 7 항에 있어서,상기 안테나블록이 중공이며 기밀한 안테나실을 형성하고, 상기 장치가 상기 안테나실을 배기하는 동시에 상기 안테나실내를 진공으로 설정하기 위한부배기계구비하는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 처리실과 상기 안테나실의 차압을 소정값 이하로 유지하기 위해 상기 부배기계에 접속된압력콘트롤러구비하는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 12]
제 1 항에 있어서,상기 처리용기가 실질적으로도전성재료로이루어지는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 처리용기를 접지하는접지수단구비하는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 대향벽은 유전체중실부와, 상기 가스유통로를 포함하는 중공부로 실질적으로 이루어지고, 상기 재치면의 평면외부윤곽내에 있어서의 상기 중실부 및 상기 중공부의 투영면적을 각각 a1 및 a2로 했을 때 a2/(a1＋a2)가 0. 4 미만으로 설정되는 것을구비하는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 16]
제 15 항에 있어서,상기a2/(a1＋a2)가 0. 15∼0. 25로설정되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 17]
제 14 항에 있어서,평면레이아웃에 있어서, 상기 가스유통로 및 상기 고주파안테나가 상기 재치면의 중심에 대하여 실질적으로선대칭또는점대칭배치되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 18]
제 14 항에 있어서,상기 가스유통로가 복수의 브랜치를 구비하고, 상기 브랜치의 단부에만 상기 가스공급구멍이 설치되며, 상기 가스유통로의 입구로부터 상기 가스공급구멍까지의 각각의 콘덕턴스가 실질적으로 동일하게설정되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 19]
제 18 항에 있어서,상기 브랜치의 단면적이 실질적으로 동일한 동시에 상기 가스유통로의 입구로부터 상기 가스공급구멍까지의 각각의 길이가 실질적으로 동일하게설정되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 20]
제 14 항에 있어서,상기 안테나블록이 상기 대향내벽과는 별도로 유전체제매립층을 구비하고, 상기 고주파안테나가상기매립층내매립되는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 21]
제 20 항에 있어서,상기 안테나블록이 접촉하는 상기 처리실내의 내면과 상기 매립층의 사이에서 상기 안테나블록이 실질적으로중실체로이루어지는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
[청구항 22]
제 14 항에 있어서,상기 안테나블록이 중공이고 기밀한 안테나실을 형성하고, 상기 장치가 상기 안테나실을 배기하는 동시에 상기 안테나실내를 진공으로 설정하기 위한부배기계구비하는것을특징으로 하는플라스마처리장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
플라스마처리장치의 대향벽이 유전체 중실부와 가스유통로를 포함하는 중공부로 이루어진 경우, 재치면의 평면 외부 윤곽 내에서 중실부와 중공부의 투영면적(a1, a2) 사이의 비율인 a2/(a1+a2)는 어떻게 설정되어야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation플라스마처리장치의 대향벽 구성 시 중실부와 중공부의 투영면적 비율인 a2/(a1+a2)의 설정 범위를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 15에서 대향벽이 유전체 중실부와 가스유통로를 포함하는 중공부로 이루어질 때, a2/(a1+a2)가 0.4 미만으로 설정된다는 내용을 추출한다.
- 상기 대향벽은 유전체중실부와, 상기 가스유통로를 포함하는 중공부로 실질적으로 이루어지고, 상기 재치면의 평면외부윤곽내에 있어서의 상기 중실부 및 상기 중공부의 투영면적을 각각 a1 및 a2로 했을 때 a2/(a1＋a2)가 0. 4 미만으로 설정되는 것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 조건(대향벽의 구성 및 면적 비율)에 직접적으로 대응하는 청구항 15의 구절을 선택한다.
- 상기 중실부 및 상기 중공부의 투영면적을 각각 a1 및 a2로 했을 때 a2/(a1＋a2)가 0. 4 미만으로 설정되는 것
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4논리 통합
logical_integration청구항 15에 따르면 대향벽이 중실부와 중공부로 구성될 경우, 해당 면적 비율은 0.4 미만이어야 한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 면적 비율이 0.4 미만으로 설정되어야 함을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
0.4 미만으로 설정되어야 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
플라스마처리장치의 대향벽 설계 시, 가스 유통을 위한 중공부와 유전체 중실부 사이의 면적 비율을 0.4 미만으로 제한하여 구조적 특성을 정의한다.