반도체압력센서 document_id 1019970050855

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 압력 감지 정전 용량 및 상기 기준 정전 용량로부터의 신호를 처리하는 신호처리회로는 상기 복수의 용량이 형성된 면과 동일한측면형성되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 3] 제 1항에 있어서,절대압력은 상기 압력 감지 정전 용량 중 제1의 압력감지 정전용량의 용량 변화로부터 검출되고, 대기압력은 상기 압력 감지 정전 용량 중 제2의 압력감지 정전용량의 용량변화로부터 검출되고, 온도는상기기준 용량의용량 변화검출되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 4] 제 3항에 있어서,대기압력에 대한 상대압력은상기제1압력감지정전전극의용량 변화와상기제2압력감지용량의용량 변화사이의차검출되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 5] 제 1항에 있어서,압력에 응답하여 가동되는 이동 전극으로 작동하는 다이아프램과, 상기 다이아프램과 고정전극 사이에 형성되는 공간을 통해 상기 다이아프램에 대향하여 형성되고, 상기 다이아프램으로부터 절연되는 상기 고정전극으로 구성된 정전용량 쌍, 및압력 도입 구멍을 구비한 기판에 접합되도록 상기 다이아프램의 둘레에 형성되는 막을 포함하고,상기 압력 도입용 기판은 상기 막을 통해 기밀하게접합되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 접합막은 도전성 막 재료로 만들어지고, 막과 유리로 만들어진 기판 중 어느 하나를 통해 압력 도입 구멍을 구비한 상기 보강 실리콘판에정전기적접합되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 가동 전극인 다이아프램은 접합 막과 상기 막 및 유리로 만들어진 기판 중 어느 하나 사이에 형성된 기밀 공간에 의해외부분리되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 8] 제 4항에 있어서,신호처리회로는 상기 복수의 용량이 형성된 실리콘 칩의 주요측면 또는 동일한 표면에 일체로 형성되고, 상기 신호처리 회로의 둘레에 형성된 전도성 접합 막 및 유리 막과 유리 기판 중 어느 하나에 의해 기밀하게정전기적접합되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 9] 제 8항에 있어서,실리콘 칩의 동일 표면 상에 형성된 두 센서의 정전 용량 변화는 전압 신호로 변환되고 그 후 대기압력에 대한 상대압력이상기전압 신호들사이의차검출되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 10] 제 1항에 있어서,온도 센서는 실리콘 칩의 동일한주요측면상의상기기준용량인것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 각각의 압력 감지 정전 용량는:기판 상의 고정 전극, 및상기 고정 전극에 대향하여 배치되고, 둘레에서 지지대에 의해 지지되는 가동 전극을 포함하고,상기 가동 전극은 중앙부와 상기 중앙부 보다 더 많이 변형가능한 주변부로 구성되는 변위부를 구비하고, 상기 고정 부분은 상기 가동 전극의 상기 중앙부의 범위보다 크지 않은치수갖는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 13] 제 12항에 있어서,신호 처리 수단은 정전 용량의 역수를 연산하기 위해 제공되고, 상기 가동 전극의 상기 중앙부는 상기 주변부 보다 더 큰 탄성 또는 더 두꺼운두께갖는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 14] 제 12항에 있어서,상기 가동 전극의 중앙부는 화학적 증착 방법 또는 기상 에피텍셜 성장방법으로 형성된 후 에칭에 의해형상화되는것을특징으로 하는반도체 압력 센서. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 가동 전극은 중앙부와 상기 중앙부 보다 더 많이 변형가능한 주변부로 구성되는 변위부를 구비하고, 상기 고정부는 상기 가동 전극의 상기 중앙부의 범위 보다 크지 않은치수갖는것을특징으로 하는반도체 압력 센서.