문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 센스앰프는 p채녈형 mosfet와 n채널형 mosfet로 이루어지는 2개의 cmos인버터회로의 입력과 출력이 교차접속되어 이루어지는 cmos래치회로 및 상기 cmos래치회로에 동작전압과 회로의 접지전위를 각각 인가하는 제1, 제2 파워스위치회로로 이루어지고,상기 동작전압을 공급하는 제1 파워 스위치회로는 상기 내부전압을 공급하는 제1 mosfet 및 센스동작 개시시의 일정기간만 온상태로 되어 상기 외부 전원전압을 인가하는 제2 mosfet로 이루어지는 것인 것특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 센스앰프는 그것을 중심으로 해서 좌우에 각각 배치되는 상보비트선쌍에 대해서 공통으로 마련되는 공용 센스앰프이고,상기 상보 비트선쌍과 상기 센스앰프의 입출력노드 사이에는 각각 공용스위치 mosfet가 마련되는 것인 것특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 어드레스 선택용mosfet는 n채널형 mosfet로 이루어지고, 상기 워드선이나 상보비트선에 대한 어드레스선택을 실행하는 어드레스 선택회로를 포함한 주변회로를 구성하는 n채널형 mosfet와 동일한 제조프로세스에 의해 형성되는 것인 것특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 워드선의 선택신호를 형성하는 워드선 선택회로중 적어도 메모리셀이 접속된 워드선의 선택신호를 형성하는 워드 드라이버는 상기 외부 전원전압과 상기 부전압을 동작전압으로 하는 것이고,상보비트선에 대한 선택신호를 형성하는 컬럼 선택회로는 상기 외부 전원전압과 회로의 접지전위에 의해 동작하는 것인 것특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 다이나믹형 메모리셀이 매트릭스 배치되어 이루어지는 메모리셀 어레이, 센스앰프, 상기 상보비트선의 프리차지를 실행하는 프리차지회로, 상기 상보비트선의 선택을 실행하는 컬럼스위치로 이루어지는 메모리블럭을 구성하는 mosfet가 형성되는 웰영역은 공통의 n형 웰영역상에 형성되는 것에 의해서 n채널형 mosfet가 형성되는 p형 웰영역이 전기적으로 분리되는 것이고, 상기 메모리셀이 형성되는 p형 웰영역에는 상기 부전압이 백바이어스 전압으로서 공급되고 다른 p형 웰영역에는 회로의 접지전위가 인가되는 것인 것특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 다이나믹형 메모리셀이 매트릭스 배치되어 이루어지는 메모리셀어레이, 센스앰프, 상기 상보비트선의 프리차지를 실행하는 프리차지회로, 상기 상보비트선의 선택을 실행하는 컬럼스위치로 이루어지는 메모리블럭을 구성하는 mosfet가 형성되는 웰영역은 공통의 p형 반도체기판상에 형성되는 것이고, 이 공통의 p형 반도체 기판에는 상기 부전압이 백바이어스전압으로서 공급되는 것인 것특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 워드선의 선택회로는 상기 부전압이 공통소스로 공급되고 게이트와 드레인이 교차접속된 제1 및 제2 n채널형 mosfet, 상기 제1 n채널형 mosfet의 드레인과 입력단자 사이에 소스-드레인경로가 접속되고 그의 게이트에 회로의 접지 전위가 인가된 제1 p채널형 mosfet 및 상기 외부 전원전압과 상기 제2 n채널형 mosfet의 드레인 사이에 소스-드레인경로가 접속되고 그의 게이트가 상기 입력 단자에 접속된 제2 p채널형 mosfet로 이루어지며, 상기 입력단자에는 상기 외부 전원전압에 대응하는 하이레벨과 접지전위에 대응하는 로우레벨중의 한쪽이 공급되며, 상기 제2 n채널형 mosfet와 p채널형 mosfet의 드레인접속점에서 상기 외부 전원전압에 대응하는 하이레벨과 상기 부전압에 대응하는 로우레벨중의 한쪽을 형성하는레벨변환회로를사용이루어지는것을특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 워드선은 메인 워드선을 따라서 여러개로 분할되어 이루어지고, 상기 메인워드선에 대해 상기 외부 전원전압에 대응한 선택레벨과 상기 부전압으로 된 비선택레벨을 공급하는 메인워드선선택회로구비한것을특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 다이나믹형 메모리는 강압회로를 더 포함하고,상기 강압회로는 상기 어드레스 선택 mosfet를 구성하는 n채널형 mosfet의 임계값전압에 상당하는 전압을 상기 전원전압에서 강압하여상기내부전압형성하는것을특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 다이나믹형 메모리는 강압회로를 더 포함하고,상기 강압회로는 상기 어드레스 선택 mosfet를 구성하는 n채널형 mosfet의 임계값전압에 상당하는 전압을 상기 전원전압에서 강압하여상기내부전압형성하는것을특징으로 하는다이나믹형 메모리.
[청구항 16]
제15항에 있어서,개의 메모리셀내의 n채널형 mosfet의 소스 및 드레인이 형성되는 제1의 p형 웰영역과 상기 여러개의 센스앰프부내의 n채널형 mosfet의 소스 및 드레인이 형성되는 제2의 p형 웰영역은 공통의 n형 웰영역내에 형성되고, 상기 여러개의 서브 워드선 구동부내의 p채널형 mosfet의 소스 및 드레인은 상기 공통의 n형 웰영역에 형성되고, 상기 제1의 p형 웰영역에는 상기 부전압이 공급되고, 상기 제2의 p형 웰영역에는 상기 접지전위가 공급되고, 상기 공통의 n형 웰영역에는상기전원전압공급되는것을특징으로 하는다이나믹형 메모리.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
다이나믹형 메모리의 센스앰프를 구성하는 제1 파워 스위치회로는 어떠한 구성 요소들로 이루어져 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation다이나믹형 메모리의 센스앰프 내에 포함된 '제1 파워 스위치회로'를 구성하는 구체적인 요소들을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 제1 파워 스위치회로에 대한 정의와 구성 요소를 기술하고 있다.
- 상기 동작전압을 공급하는 제1 파워 스위치회로는 상기 내부전압을 공급하는 제1 mosfet 및 센스동작 개시시의 일정기간만 온상태로 되어 상기 외부 전원전압을 인가하는 제2 mosfet로 이루어지는 것
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3근거 선택
evidence_selection제1 파워 스위치회로의 구성 요소로 명시된 '제1 mosfet'과 '제2 mosfet' 구절을 선택한다.
- 상기 동작전압을 공급하는 제1 파워 스위치회로는 상기 내부전압을 공급하는 제1 mosfet 및 센스동작 개시시의 일정기간만 온상태로 되어 상기 외부 전원전압을 인가하는 제2 mosfet로 이루어지는 것
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4논리 통합
logical_integration제1 파워 스위치회로는 제1 mosfet과 제2 mosfet이라는 두 가지 구성 요소로 이루어져 있음을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 제1 mosfet과 제2 mosfet을 나열한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 구성 요소를 리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제1 파워 스위치회로는 내부전압을 공급하는 제1 mosfet와 외부 전원전압을 인가하는 제2 mosfet로 구성되어 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
다이나믹형 메모리의 센스앰프 동작전압 공급을 위한 제1 파워 스위치회로가 내부전압을 공급하는 제1 mosfet와 외부 전원전압을 인가하는 제2 mosfet으로 구성됨을 나타낸다.