불휘발성메모리장치및그것의제조방법 document_id 1019970055034

[청구항 13] 제12항에 있어서,상기 기입 수단은 상기 강유전 물질의 분극 방향이 반전되도록 또는 초기의 분극 방향이 유지되도록 함으로써 상기 메모리 셀에 데이터를 기입하기 위해 상기 제 1 전극에 기입 전압을 인가하고 상기 반전 영역에 제 1 구동 전압을 인가함으로써 상기 기입 전계가 상기 강유전체 커패시터인가되도록 하는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 기입 수단은 상기 기입 동작이 수행되는 동안에 상기 메모리 셀의 소오스/드레인 영역을 플로팅 상태유지시키는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 기입 전압은 상기 강유전 물질의 분극을 충분히 포화시킬 수 있는 레벨의전압인불 휘발성 메모리 장치. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 제 1 구동 전압은 접지 전압의 레벨갖는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 17] 제12항에 있어서,상기 독출 수단은 상기 전계 효과 트랜지스터의 소오스/드레인 영역에 감지전압을 인가하는 수단 및; 상기 전계 효과 트랜지스터의 소오스/드레인 영역의 전위 변화를 검출하기 위한 수단포함하는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 독출 수단은 상기 메모리 셀로부터 데이터를 독출하는 동안 상기 워드라인을 제 2 구동 전압으로 구동하되, 기입 전압과 접지 전압 사이의 레벨을 갖는 상기 제 2 구동 전압구동하는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 기입 전압은 상기 강유전 물질의 분극을 충분히 포화시킬 수 있는 레벨의전압인불 휘발성 메모리 장치. [청구항 20] 제12항에 있어서,상기 기입 수단은 상기 강유전 물질의 분극 방향을 바꾸기 위해서 상기 제 1 전극에 소거 진압을 인가하고 상기 채널 영역에 상기 제 1 구동 전압을 인가하여 상기 강유전체 커패시터에 소거 전계가 인가되도록 함으로써 상기 메모리 셀의 데이터소거하는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 소거 전압은 상기 강유전 물질의 분극을 충분히 포화시킬 수 있는 레벨의전압인불 휘발성 메모리 장치. [청구항 22] 제19항 또는 제20항에 있어서,상기 소거 전압은 상기 기입 전압과 반대의 극성갖는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 23] 제20항에 있어서,상기 기입 수단은 상기 소거 전계가 생성되는 동안에 상기 소오스/드레인 영역들을 플로팅 상태유지시키는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 메모리 셀들은 절연층 상에 반도체 물질층이 적층된 소이 기판형성되는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 비트 라인들은 상기 소이 기판의 절연층 사이에 형성되며, 상기 반도체 물질층의 채널 영역들에 전기적으로 연결된 플러그들구비한불 휘발성 메모리 장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 강유전 물질은 단지 상기 메모리 셀들이 형성되는 영역의 상기 반도체 물질층 상부 전면형성되는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기 제 1 전압은 접지 전압의 레벨갖는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 29] 제24항에 있어서,상기 기입 전압은 상기 선택된 메모리 셀의 강유전체 커패시터를 구성하는 강유전 물질의 분극을 충분히 포화시킬 수 있는 레벨갖는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 30] 제24항에 있어서,상기 기입 수단은 상기 선택된 메모리 셀에 데이터를 기입하는 동안에 상기 제 1 구동 라인들을 플로팅 상태로 유지시키기 위한 수단을 부가적포함하는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 기입 수단은 상기 선택된 메모리 셀에 데이터를 기입하는 동안에 비선택된 워드 라인들과, 상기 선택된 메모리 셀의 제 2 구동 라인을 제외한 나머지 제 2 구동 라인들을 플로팅 상태유지시키는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 32] 제24항에 있어서,상기 독출 수단은 상기 선택된 메모리 셀로부터 데이터를 독출하는 동안에 상기 선택된 워드 라인을 제 3 전압으로 구동하는 수단을 부가적포함하는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 제 3 전압은 상기 선택된 메모리 셀의 강유전체 커패시터를 구성하는 강유전 물질의 분극을 충분히 포화시킬 수 있는 레벨의 전압과 접지 전압 사이의 레벨갖는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 34] 제32항에 있어서,상기 독출 수단은 상기 선택된 메모리 셀로부터 데이터를 독출하는 동안에 비선택된 워드 라인들, 비선택된 메모리 셀의 제 1 구동 라인들 및 상기 모든 제 2 구동 라인들을 플로팅 상태유지시키는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 35] 제24항에 있어서,상기 기입 수단은 상기 선택된 메모리 셀에 대응하는 워드 라인을 선택한 후 상기 선텍된 워드 라인에 소거 전압을 인가하고, 그리고 상기 선택된 메모리 셀의 제 2 구동 라인을 제 3 전압으로 구동하여서, 상기 강유전 물질의 분극 방향을 반전시키기 위한 또는 초기의 분극 방향을 유지하기 위한 소거 전계가 상기 강유전체 커패시터에 인가되도록 함으로써 상기 메모리 셀에 저장된 데이터소거하는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 36] 제35항에 있어서,상기 제 3 전압은 접지 전압의레벨인불 휘발성 메모리 장치. [청구항 37] 제35항에 있어서,상기 소거 전압은 상기 선택된 메모리 셀의 강유전체 커패시터를 구성하는 강유전 물질의 분극을 충분히 포화시킬 수 있는 레벨갖는불 휘발성 메모리 장치. [청구항 38] 제29항 또는 제35항에 있어서,상기 소거 전압은 상기 기입 전압에 반대의 극성의 레벨갖는불 휘발성 메모리 장치.