직렬식처리챔버 document_id 1019970060325

[청구항 1] 처리 장치로서, (a) 그 내부에 형성된 다수의 독립 챔버를 갖는 외장체와, (b) 각각의 처리 챔버내에 위치된 가스 분배 조립체와, (c) 다수의 독립 챔버에 연결된 가스 공급원과, (d) 각각의 가스 분배 조립체에 연결된 전력 공급원을 포함하는 처리 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 각각의 독립 챔버내에 위치된 웨이퍼 받침대더 포함하는장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 각각의 독립 챔버 내에 위치된 펌프 채널더 포함하는장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 각각의 독립 챔버의 펌프 채널에 연결된 배기 포오트더 포함하는장치. [청구항 5] 제 3항에 있어서,상기 각각의 독립 챔버의 펌프 채널에 단일의 배기 포오트연결되는장치. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 배기 포오트에 연결된 펌프더 포함하는장치. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 각각의 웨이퍼 받침대는 그 내부에 위치된 가열 부재포함하는장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 가열 부재는 저항성 가열부재인장치. [청구항 9] 제 7항에 있어서,상기 가열 부재는램프인장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,각각의 독립 챔버는 그 내부에 위치된 챔버 라이너더 포함하는장치. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 챔버 라이너는 세라믹구성되는장치. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 챔버 라이너는 처리 영역과 펌프 채널을 연결시키기 위해 관통하여 위치된 다수의 배기 채널포함하는장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,각각의 독립 챔버에 연결된 원격의 플라즈마 시스템더 포함하는장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 원격의 플라즈마 시스템은(a) 챔버와,(b) 상기 챔버 내부에 위치된 입구 및 출구를 갖는 가스 관과,(c) 상기 챔버에 연결된 전력 공급원포함하는장치. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 챔버내에 위치된 팬더 포함하는장치. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 가스 관은 세라믹구성되는장치. [청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 가스 관은 알루미늄 산화물구성되는장치. [청구항 18] 제 1항에 있어서,상기 각각의 가스 분배 조립체는(a) 기저 판과,(b) 상기 기저판 아래에 위치된 차단판과,(c) 상기 차단판 아래에 위치된 표면판과,(d) 상기 차단판에 하나 이상의 가공 가스를 전달하기 위한 하나 이상의 가스 유입구와,(e) 상기 원격의 플라즈마로부터 상기 표면판까지 하나 이상의 가스를 전달하기 위한 가스 유입구포함하는장치. [청구항 19] 제 1항에 있어서,상기 각각의 가스 분배 조립체는 하나 이상의 가스 공급원으로부터 가공 가스분할하는장치. [청구항 20] 제 19항에 있어서,각각의 가스 분배 조립체는 전력 공급원연결되는장치. [청구항 21] 제 20항에 있어서,각각의 가스 분배 조립체는 개별적인 전력 공급원연결되는장치. [청구항 22] 제 20항에 있어서,각각의 처리 영역에 위치된 웨이퍼 받침대더 포함하는장치. [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기 각각의 웨이퍼 받침대는 가열 부재포함하는장치. [청구항 24] 제 23항에 있어서,상기 가열 부재는 저항성 가열 부재포함하는장치. [청구항 25] 제 23항에 있어서,상기 가열 부재는 램프포함하는장치. [청구항 26] 제 23항에 있어서,상기 각각의 받침대는 독립적인 온도 제어기포함하는장치. [청구항 27] 제 20항에 있어서,상기 각각의 독립 챔버에 연결된 원격의 플라즈마 시스템더 포함하는장치. [청구항 28] 제 27항에 있어서,상기 원격의 플라즈마 시스템은(a) 챔버와,(b) 상기 챔버 내에 위치된 가스를 갖는 가스 관과,(c) 상기 챔버에 연결된 전력 공급원포함하는장치. [청구항 29] 제 28항에 있어서,기저판과,(b) 상기 기저판 아래에 위치된 차단판과,(c) 상기 차단판 아래에 위치된 표면판과,(d) 상기 차단판에 하나 이상의 가공 가스를 전달하기 위한 하나 이상의 가스 유입구와,(e) 상기 원격의 플라즈마 공급원에서 상기 표면판까지 하나 이상의 가스를 전달하기 위한 하나 이상의 가스 유입구포함하는장치.