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낮은 결함 밀도의 복합 유전체 document_id 1019970062833

출원번호
1019970062833
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 복합 유전층에 있어서 질소 함유율이 1％ 이하인 제1 유전층과 도펀트들의 침투를 저지하기에 충분한 질소 함유율을 가지는 제2 유전층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 유전층 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 유전층은 트랜지스터의 채널 영역에 인접하여 위치되고 상기 제2 유전층은 상기 채널 영역으로부터이격되는것을특징으로 하는복합 유전층. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제1 유전층nan은실리콘 다이옥사이드포함하는것을특징으로 하는복합 유전층. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제2 유전층은 질소가 도핑된옥사이드포함하는것을특징으로 하는복합 유전층. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제2 유전층nan은옥시나이트라이드포함하는것을특징으로 하는복합 유전층. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 제1 유전층은 약 15-25å의 두께특징으로 하는복합 유전층. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 제2 유전층은 약 10-20å의 두께특징으로 하는복합 유전층. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제2 유전층은 5-15％의 범위의 질소 농도특징으로 하는복합 유전층. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제1 유전층은 제1 폴리실리콘층과 상기 제2 유전층 사이에 위치되고, 상기 제2 유전층은상기제1유전층과제2폴리실리콘층사이위치됨을특징으로 하는복합 유전층. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2 유전층은커패시터의제1플레이트와제2플레이트사이위치됨을특징으로 하는복합 유전층. [청구항 11] mosfet 트랜지스터에 있어서 반도체 바디 내에 위치된 소오스 영역과 상기 반도체 바디 내에 위치된 드레인 영역과 상기 반도체 바디 내에서 상기 소오스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치된 채널 영역과 상기 채널 영역 상에 놓여진 도핑된 게이트 전극과 상기 도핑된 게이트 전극과 상기 채널 영역 사이에 놓여진 게이트 유전체 를 포함하고, 상기 게이트 유전체는: 상기 채널 영역에 인접하여 위치되며 상기 채널 영역 내에서의 캐리어 이동도에 영향을 미치지 않도록 충분히 작은 질소 농도를 가지는 제1 층과 상기 게이트 전극에 인접하여 위치되며 상기 도핑된 게이트 전극으로 부터의 도펀트들의 침투를 저지하기에 충분한 질소 농도를 가지는 제2 층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 mosfet 트랜지스터 [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 제1 층은 0％와 1％사이의질소 농도포함하는것을특징으로 하는mosfet 트랜지스터. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 제2 층은 5％와 15％사이의질소 농도가지는것을특징으로 하는mosfet 트랜지스터. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 도핑된 게이트 전극은보론도핑되는것을특징으로 하는mosfet 트랜지스터. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 제1 층nan은실리콘 다이옥사이드포함하는것을특징으로 하는mosfet 트랜지스터. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 제2 층은 질소가 도핑된옥사이드포함하는것을특징으로 하는mosfet 트랜지스터. [청구항 17] 제11항에 있어서,상기 제2 층nan은옥시나이트라이드포함하는것을특징으로 하는mosfet 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
MOSFET 트랜지스터의 게이트 유전체 구성에서, 채널 영역에 인접한 제1 층과 게이트 전극에 인접한 제2 층은 각각 어떠한 질소 농도 특성을 가지며, 제2 층의 역할은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    MOSFET 게이트 유전체의 제1 층과 제2 층의 질소 농도 특성 및 제2 층의 기능을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 11을 통해 제1 층은 채널 영역에 인접하며 작은 질소 농도를 가지고, 제2 층은 게이트 전극에 인접하며 도펀트 침투를 저지하는 질소 농도를 가짐을 추출한다.

    • 상기 채널 영역에 인접하여 위치되며 상기 채널 영역 내에서의 캐리어 이동도에 영향을 미치지 않도록 충분히 작은 질소 농도를 가지는 제1 층과 상기 게이트 전극에 인접하여 위치되며 상기 도핑된 게이트 전극으로 부터의 도펀트들의 침투를 저지하기에 충분한 질소 농도를 가지는 제2 층
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제1 층의 농도 특성, 제2 층의 농도 특성, 제2 층의 역할을 명시한 구절을 선택한다.

    • 상기 채널 영역에 인접하여 위치되며 상기 채널 영역 내에서의 캐리어 이동도에 영향을 미치지 않도록 충분히 작은 질소 농도를 가지는 제1 층과 상기 게이트 전극에 인접하여 위치되며 상기 도핑된 게이트 전극으로 부터의 도펀트들의 침투를 저지하기에 충분한 질소 농도를 가지는 제2 층
  4. 4논리 통합logical_integration

    제1 층은 채널 이동도 유지를 위해 낮은 질소 농도를 유지하고, 제2 층은 게이트 전극으로부터의 도펀트 침투를 막기 위해 충분한 질소 농도를 가짐을 통합한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    제1 층은 채널 이동도에 영향을 미치지 않을 만큼 충분히 작은 질소 농도를 가지며, 제2 층은 도핑된 게이트 전극으로부터의 도펀트 침투를 저지하기에 충분한 질소 농도를 가진다.

    • 상기 채널 영역에 인접하여 위치되며 상기 채널 영역 내에서의 캐리어 이동도에 영향을 미치지 않도록 충분히 작은 질소 농도를 가지는 제1 층과 상기 게이트 전극에 인접하여 위치되며 상기 도핑된 게이트 전극으로 부터의 도펀트들의 침투를 저지하기에 충분한 질소 농도를 가지는 제2 층
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 명시된 두 층의 농도 특성과 제2 층의 역할을 구조화하여 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제1 층은 채널 영역 내에서의 캐리어 이동도에 영향을 미치지 않도록 충분히 작은 질소 농도를 가지며, 제2 층은 도핑된 게이트 전극으로부터의 도펀트들의 침투를 저지하기에 충분한 질소 농도를 가진다. 제2 층의 역할은 도핑된 게이트 전극으로부터의 도펀트들의 침투를 저지하는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
MOSFET의 게이트 유전체를 채널 인접층(저질소 농도)과 게이트 전극 인접층(고질소 농도)으로 구성하여, 채널의 캐리어 이동도를 유지하면서도 게이트 전극으로부터의 도펀트 침투를 차단하는 기술이다.