문맥 (context)
[청구항 1]
기판 표면에 서로 이격되어 형성되고, 측면에 실리콘 산화막으로 이루어지는 측벽을 갖는 제1 단차 및 제2 단차와,
제1, 제2 단차중 적어도 어느 한쪽의 상측에 테두리의 일부가 오버랩하고 또한 제1, 제2 단차에 끼워진 영역에서 제1 기판 표면까지 관통하는 개구와,
제1 개구 외부에서 제1, 제2 단차 표면을 덮게 되고, 또한 제1 개구 내벽에서 제1, 제2 단차와 완만히 표면이 접속하여 제1, 제2 단차의 측면과 함께 제1 개구 내측면을 이루는 실리콘 질화막을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,제1 실리콘 질화막은 적어도 제1 개구폭의 1/2이상의두께갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,제1 개구 내벽으로부터 제1 개구 외부까지 연재(延在)하는도전막을피착형성하여이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,제1 도전막을 축적 전극으로 하여, 제1 도전막에 커패시터 절연막 및 대향 전극막을 순서대로피착형성하여이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,제1 개구를 복수가지며, 제1 개구에서 상기 도전막을 비트선으로 이용하고 또한 제2 개구에서상기도전막커패시터로하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서,상기제1, 제2 단차는 각각 게이트 전극 및 상기 게이트 전극의 상면 및 측면을 둘러싸는실리콘 산화막으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 실리콘 질화막의 표면에, 보로(boro)·포스포·실리케이트·유리막(bpsg막)과 포스포·실리케이트·유리막(psg막)과 보로·실리케이트·유리막(bsg막)과 teos막 중에서 선택된 절연막이 피착 형성되고, 그 표면이실질적평탄한것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1 개구의 내벽과 제1, 제2 단차의 측면을 포함하여 제1 개구 내측면을 형성하는 막은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 개구의 내벽과 제1, 제2 단차의 측면을 포함하여 제1 개구 내측면을 형성하는 구성 요소(막)를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 제1 개구 내측면을 구성하는 요소에 대한 설명을 추출한다.
- 제1 개구 내벽에서 제1, 제2 단차와 완만히 표면이 접속하여 제1, 제2 단차의 측면과 함께 제1 개구 내측면을 이루는 실리콘 질화막
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '제1 개구 내측면을 형성하는 막'에 직접적으로 대응하는 구절을 선택한다.
- 제1 개구 내벽에서 제1, 제2 단차와 완만히 표면이 접속하여 제1, 제2 단차의 측면과 함께 제1 개구 내측면을 이루는 실리콘 질화막
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4논리 통합
logical_integration실리콘 질화막이 제1 개구 외부에서 단차 표면을 덮고, 제1 개구 내벽에서 단차와 접속하여 내측면을 형성한다는 논리적 관계를 확인한다.
- 제1 개구 내벽에서 제1, 제2 단차와 완만히 표면이 접속하여 제1, 제2 단차의 측면과 함께 제1 개구 내측면을 이루는 실리콘 질화막
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 '실리콘 질화막'을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
실리콘 질화막
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 실리콘 질화막이 제1 개구의 내벽 및 단차의 측면과 결합하여 제1 개구의 내측면을 형성하는 구조를 특징으로 하는 반도체 장치에 관한 것이다.