하이브리드컨덕터및다중반경돔실링을갖는RF플라즈마반응기 document_id 1019970077839

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기rf 신호 애플리케이터는환상분포가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 처리가스는 (a) 금속 에칭 플라즈마 공정, (b) 실리콘 산화물 에칭 플라즈마 공정, (c) 폴리실리콘 에칭 플라즈마 공정, (d) 실리사이드 에칭공정, (e) 질화물 에칭 공정 및 (f) 중합체 에칭공정중 하나에 사용될 수있는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 실링높이는 상기 이온밀도 분포가 주로 중앙에서 높거나중앙제공되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 분포는 m형인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 실링높이는 200㎜를 초과하는 챔버 직경에 대해3인치내지11인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 실링높이는 300㎜를 초과하는 챔버 직경에 대해4인치내지12인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 8] 제 6항에 있어서,상기 실링은 상기 웨이퍼 페데스탈과 대향하는 평평한내부면가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 9] 제 6항에 있어서,상기 실링은 상기 웨이퍼 페데스탈과 대향하는 평탄한3차원내부면가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 내부면중가장 높은 부분은상기중간 높이배치되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 11] 제 7항에 있어서,상기 실링은 상기 웨이퍼 페데스탈과 대향하는 평평한내부면가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 12] 제 7항에 있어서,상기 실링은 상기 웨이퍼 페데스탈과 대향하는 평탄한3차원내부면가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 내부면중가장 높은 부분은상기중간 높이배치되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 14] 제 6항에 있어서,상기 실링높이는대략7인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 15] 제 6항에 있어서,상기 실링nan은상기챔버의다중반경내부면형성하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 16] 제 6항에 있어서,상기 내부면은 약 2 내지 10의 비율을 형성하는최대반경및최소반경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 17] 제 13항에 있어서,상기 내부면은 정점을 가지며, 상기 정점은상기중간높이가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 18] 제 1항에 있어서,상기 챔버는 약12내지24인치의직경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 19] 제 18항에 있어서,상기 웨이퍼는대략6내지12인치의직경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 20] 제 3항에 있어서,상기 처리가스는 금속에칭공정에 사용될 수 있으며, 염소, bcl2, hcl 및 hbr과 같은 에천트들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 21] 제 20항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부 위에서 약 3인치 내지 11인치의 높이를 가지며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 22] 제 20항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부 위에서 약 4인치 내지 12인치의 높이를 가지며, 상기 챔버는 300㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 23] 제 21항에 있어서,상기rf 신호는 약 2㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 24] 제 3항에 있어서,상기 처리가스는 실리콘 산화물 에칭공정에 사용될 수 있으며, 플루오르화탄소 및 플루오르화탄화수소와 같은 에천트선구물질들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 25] 제 24항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부 위에서 약 3인치 내지 11인치 범위의 높이를 가지며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 26] 제 24항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부 위에서 약 4인치 내지 12인치의 높이를 가지며, 상기 챔버는 300㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 27] 제 24항에 있어서,상기rf 신호는 약 2㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 28] 제 3항에 있어서,상기 처리가스는 폴리실리콘 에칭공정에 사용될 수 있으며, 산소, 비반응가스 및 불활성 가스중 적어도 하나와 혼합되는 염소 및 hbr과 같은 에천트중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 29] 제 28항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부에서 약 3인치 내지 11인치 범위의 높이를 가지며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 30] 제 28항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부에서 약 4인치 내지 12인치의 높이를 가지며, 상기 챔버는 300㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 31] 제 28항에 있어서,상기rf 신호는 적어도 10㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 32] 제 28항에 있어서,상기 챔버내의 압력을 20mt이하유지하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 33] 제 32항에 있어서,상기 압력은 약 1mt 내지 5mt사이유지되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 35] 제 34항에 있어서,상기 환상 분포는 내부 반경 및 외부 반경을 가지며, 상기 평균반경은상기내부및외부반경평균인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 36] 제 34항에 있어서,상기 처리가스는 (a) 금속에칭 플라즈마 공정, (b) 실리콘 산화물 에칭 플라즈마 공정 및 (c) 폴리실리콘 에칭 플라즈마 공정중 하나에 사용될 수있는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 37] 제 34항에 있어서,상기 신호 애플리케이터의 상기 평균반경은 상기 이온밀도 분포가주로중앙제공되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 38] 제 37항에 있어서,상기 분포는 m자형인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 39] 제 34항에 있어서,상기 실링은 대략 2 내지 10의 비율을 가진 최대 및 최소 반경을 가진상기챔버의다중반경돔형내부면형성하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 40] 제 39항에 있어서,상기 챔버 직경은 대략 12인치 내지20인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 41] 제 40항에 있어서,상기 웨이퍼는대략6인치내지12인치의직경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 42] 제 39항에 있어서,상기 챔버 직경은 약 14인치이며,상기신호애플리케이터의상기평균반경7인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 43] 제 36항에 있어서,상기 처리가스는 금속에칭공정에 사용될 수 있으며, 염소, bcl2, hcl 및 hbr과 같은 에천트들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 44] 제 43항에 있어서,상기 평균반경은 3인치 내지 9인치 이며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 45] 제 43항에 있어서,상기 평균반경은 4인치 내지 12인치이며, 상기 챔버는 300㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 46] 제 43항에 있어서,상기rf 신호는 약 2㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 47] 제 36항에 있어서,상기 처리가스는 실리콘 산화물 에칭공정에 사용될 수 있으며, 플루오르화탄소 및 플루오르화탄화수소와 같은 에천트선구물질들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 48] 제 47항에 있어서,상기 평균반경은 4인치 내지 12인치이며, 상기 챔버는 200m 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 49] 제 47항에 있어서,상기 평균 반경은 약 5인치 내지 15인치이며, 상기 챔버는 300㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 50] 제 47항에 있어서,상기rf 신호는 약 2㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 51] 제 36항에 있어서,상기 처리가스는 폴리실리콘 에칭공정에 사용될 수 있으며, 산소, 비반응 가스 및 불활성 가스중 적어도 하나와 혼합되는 염소 및 hbr과 같은 에천트들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 52] 제 51항에 있어서,상기 평균반경은 약 6인치 내지 12인치이며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 53] 제 51항에 있어서,상기 평균 반경은 약 7인치 내지 15인치이며, 상기 챔버는 300㎜를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 54] 제 51항에 있어서,상기rf 신호는 적어도 10㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 142] 제 2항에 있어서,상기 플라즈마는 상기 신호 애플리케이터의 제 1 평균반경에 대해 중앙에서 높은 방사상 분포를 가지며 상기 신호 애플리케이터의 제 2 평균반경에 대해 중앙에서 낮은 방사상 분포를 가지는 상기 실링의 대칭축에 대한 방사상 이온밀도 분포를 가지며 - 상기 애플리케이터의 상기 제 1 평균 반경은 상기 애플리케이터의 상기 제 2 평균 반경 보다 작음 - , 상기 신호 애플리케이터의 상기 평균반경은 상기 이온밀도 분포가 상기 중앙에서 높은 방사상 분포와 상기 중앙에서 낮은 방사상 분포의 중간이 되도록상기제1평균반경및상기제2평균반경중간인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 143] 제 142항에 있어서,상기 환상 분포는 내부반경 및 외부반경을 가지며, 상기 평균반경은상기내부및외부반경평균인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 144] 제 142항에 있어서,상기 처리가스는 (a) 금속에칭 플라즈마 공정, (b) 실리콘 산화물 에칭 플라즈마 공정 및 (c) 폴리실리콘 에칭 플라즈마 공정중 하나에 사용될 수있는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 145] 제 142항에 있어서,상기 신호 애플리케이터의 상기 평균반경은 상기 이온밀도 분포가 주로 중앙에서 높거나중앙제공되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 146] 제 145항에 있어서,상기 분포는 m자형인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 147] 제 142항에 있어서,상기 실링은 대략 2 내지 10의 비율을 가진 최대 및 최소 반경을 가진상기챔버의다중반경돔형내부면형성하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 148] 제 147항에 있어서,상기 챔버 직경은 약 14인치이며,상기신호애플리케이터의평균반경7인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 149] 제 142항에 있어서,상기 실링높이는 200㎜를 초과하는 챔버 직경에 대해3내지11인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 150] 제 142항에 있어서,상기 실링높이는 300㎜를 초과하는 챔버 직경에 대해4내지12인치인것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 151] 제 142항에 있어서,상기 실링은 상기 웨이퍼 페데스탈과 대향하는 평평한내부면포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 152] 제 142항에 있어서,상기 실링은 상기 웨이퍼 페데스탈과 대향하는 평탄한3차원내부면포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 153] 제 152항에 있어서,상기 내부면중가장 높은 부분은상기중간 높이배치되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 154] 제 142항에 있어서,상기 실링nan은상기챔버의다중반경내부면형성하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 155] 제 154항에 있어서,상기 내부면은 약 2 내지 10의 비율을 형성하는최대반경및최소반경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 156] 제 152항에 있어서,상기 내부면은 정점을 가지며, 상기 정점은상기중간높이가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 157] 제 142항에 있어서,상기 챔버는 약12인치및24인치의직경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 158] 제 157항에 있어서,상기 웨이퍼는대략6내지12인치의직경가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 159] 제 144항에 있어서,상기 처리가스는 금속 에칭공정에 사용될 수 있으며, 염소, bcl2, hcl 및 hbr와 같은 에천트가스들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 160] 제 159항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부위에서 약 3인치 내지 11인치의 높이를 가지며, 상기 평균반경은 약 3인치 내지 9인치이며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 161] 제 159항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부위에서 약 4인치 내지 12인치의 높이를 가지며, 상기 평균반경은 약 5인치 내지 14인치이며, 상기 챔버는 300㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 162] 제 159항에 있어서,상기rf 신호는 약 2㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 163] 제 144항에 있어서,상기 처리가스는 실리콘 산화물 에칭공정에 사용될 수 있으며, 플루오르화탄소 및 플루오르화탄화수소와 같은 에천트선구물질들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 164] 제 163항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부위에서 약 3인치 내지 11인치의 높이를 가지며, 상기 평균반경은 약 5인치 내지 11인치 이며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 165] 제 163항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부위에서 4인치 내지 12인치의 높이를 가지며, 상기 평균반경은 약 6인치 내지 14인치이며, 상기 챔버는 300㎜를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 166] 제 163항에 있어서,상기rf 신호는 약 2㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 167] 제 144항에 있어서,상기 처리가스는 폴리실리콘 에칭공정에 사용될 수 있으며, 산소, 비반응 가스 및 불활성화 가스중 적어도 하나와 혼합되는 염소 및 hbr와 같은 에천트들중적어도하나포함하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 168] 제 167항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부위에서 약 3인치 내지 11인치의 높이를 가지며, 상기 평균 반경은 약 4인치 내지 12인치이며, 상기 챔버는 200㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 169] 제 167항에 있어서,상기 실링은 상기 지지부위에서 약 4인치 내지 12인치의 높이를 가지며, 상기 평균 반경은 약 6인치 내지 15인치이며, 상기 챔버는 300㎜ 웨이퍼를 수용할 수 있도록 충분히 큰 것특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 170] 제 167항에 있어서,상기rf 신호는 적어도 10㎒의주파수가지는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 171] 제 167항에 있어서,상기 챔버의 압력을 유지하는 것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 172] 제 171항에 있어서,상기 압력은 약 1mt 내지 5mt사이유지되는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기. [청구항 173] 제 142항에 있어서,상기 웨이퍼 페데스탈 위에서의 상기 실링의 높이와 상기 rf 신호 애플리케이터의 상기 평균반경은 대략 0.8 내지 1.5의비율형성하는것을특징으로 하는rf 플라즈마 반응기.