반도체소자제조용가스디퓨져및이를설치한반응로 document_id 1019970079196

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 두꺼워지는 확산판의 두께 증가분이 중심으로부터의 길이에 비례하여증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 두꺼워지는 확산판의 두께 증가분이 중심으로부터의 길이의 제곱에 비례하여증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 두꺼워지는 확산판의 두께 증가분이 중심으로부터의 길이의 제곱 이상의 차수에 비례하여증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 확산판을 관통하는 노즐의 형태는 수직으로 형성된직관형상인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,노즐의 반경이동일한것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 가스가 통과하는 상기 노즐의 관통길이가 상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 증가되게 하기 위하여 상기 확산판의 두께가 상기 확산판의 중심으로부터반경방향지는것을특징으로 하는반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 13] 제 10 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 14] 제 10 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 점차로 짧아지거나 점차로 넓어지는 감소분 또는 증가분이 상기 확산판의 중심으로부터의 길이에 비례하여감소증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 17] 제 15 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 점차로 짧아지거나 점차로 넓어지는 감소분 또는 증가분이 상기 확산판의 중심으로부터의 길이의 제곱 이상의 차수에 비례하여감소증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 18] 제 15 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 19] 제 15 항에 있어서,상기 확산판을 관통하는 노즐의 형태는 수직으로 형성된직관형상인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 20] 제 15 항에 있어서,노즐의 반경이동일한것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 21] 제 15 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 22] 제 15 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 노즐과 노즐사이의 상기 확산판 반경방향으로의 배치밀도가 상기 확산판의 중심부는 낮고, 중앙부는 높고, 주변부는 낮도록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 상기 확산판의 중심에서 멀어질수록 점차로 짧아지다가 다시 멀어지는경향갖는것을특징으로 하는반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 26] 제 23 항에 있어서,상기 확산판을 관통하는 노즐의 형태는 수직으로 형성된직관형상인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 27] 제 23 항에 있어서,노즐의 반경이동일한것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 28] 제 23 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 29] 제 23 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 두꺼워지는 확산판의 두께 증가분이 중심으로부터의 길이에 비례하여증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 32] 제 30 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 두꺼워지는 확산판의 두께 증가분이 중심으로부터의 길이의 제곱에 비례하여증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 33] 제 30 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 두꺼워지는 확산판의 두께 증가분이 중심으로부터의 길이의 제곱 이상의 차수에 비례하여증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 34] 제 30 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 점차로 짧아지거나 점차로 넓어지는 감소분 또는 증가분이 상기 확산판의 중심으로부터의 길이에 비례하여감소증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 35] 제 30 항에 있어서,상기 확산판은,상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 점차로 짧아지거나 점차로 넓어지는 감소분 또는 증가분이 상기 확산판의 중심으로부터의 길이의 제곱 이상의 차수에 비례하여감소증가하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 36] 제 30 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 37] 제 30 항에 있어서,상기 확산판을 관통하는 노즐의 형태는 수직으로 형성된직관형상인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 38] 제 30 항에 있어서,노즐의 반경이동일한것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 39] 제 30 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 40] 제 30 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 가스가 통과하는 상기 노즐의 관통길이가 상기 확산판의 중심으로부터 반경방향으로 멀어질수록 증가되게 하기 위하여 상기 확산판의 두께가 상기 확산판의 중심으로부터반경방향지는것을특징으로 하는반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 43] 제 41 항에 있어서,상기 노즐과 노즐사이의 상기 확산판 반경방향으로의 배치밀도가 상기 확산판의 중심부는 낮고, 중앙부는 높고, 주변부는 낮도록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 상기 확산판의 중심에서 멀어질수록 점차로 짧아지다가 다시 멀어지는경향갖는것을특징으로 하는반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 44] 제 41 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 45] 제 41 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 46] 제 41 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 가스디퓨져. [청구항 48] 제 47 항에 있어서,상기 가스디퓨져는,상기 노즐과 노즐사이의 상기 확산판 반경방향으로의 배치밀도가 상기 확산판의 중심부는 낮고, 중앙부는 높고, 주변부는 낮도록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 상기 확산판의 중심에서 멀어질수록 점차로 짧아지다가 다시 멀어지는경향갖는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 49] 제 47 항에 있어서,진공압이 형성되어 하방으로 가스를 배출하는가스배출구를상기웨이퍼의하방설치하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 50] 제 47 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 51] 제 47 항에 있어서,상기 확산판을 관통하는 노즐의 형태는 수직으로 형성된직관형상인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 52] 제 47 항에 있어서,노즐의 반경이동일한것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 53] 제 47 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 54] 제 48 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 56] 제 55 항에 있어서,상기 가스디퓨져는,상기 노즐과 노즐사이의 상기 확산판 반경방향으로의 배치밀도가 상기 확산판의 중심부는 낮고, 중앙부는 높고, 주변부는 낮도록 상기 노즐과 노즐사이의 반경방향 거리가 상기 확산판의 중심에서 멀어질수록 점차로 짧아지다가 다시 멀어지는경향갖는것을특징으로 하는반도체소자 제조용 반응로. [청구항 57] 제 55 항에 있어서,진공압이 형성되어 하방으로 가스를 배출하는가스배출구를상기웨이퍼의하방설치하는것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 58] 제 55 항에 있어서,상기 확산판은,외부와 접하는상기확산판의밑면수평면인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 59] 제 55 항에 있어서,상기 확산판을 관통하는 노즐의 형태는 수직으로 형성된직관형상인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 60] 제 55 항에 있어서,노즐의 반경이동일한것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 61] 제 55 항에 있어서,상기 가스는식각가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로. [청구항 62] 제 55 항에 있어서,상기 가스는증착가스인것을특징으로 하는상기 반도체소자 제조용 반응로.