플라즈마처리를 위한 선형 아크방전 발생장치 document_id 1019970703347

[청구항 1] 1x 10 -7 과 5x 10 4 pa 사이의 가스압에서 반응기내에 설치되며, 교류전류 및 펄스전력 발생기(10)에 의해 전력을 공급받는 고체기판의 플라즈마처리, 특히 표면처리를 위한 선형 아크방전 발생장치에 있어서 0.4mm와 1000mm 사이의 거리를 두고 서로 대향 위치하며, 대향전극(3)에 접속된 대향극을 갖는 상기 발생기와 동극(same pole)에 접속된, 적어도 한 쌍의 제1전극판(1) 및 제2전극판(2) 상기 제1전극판에 선형열대(5)를 그리고 상기 제2전극판에 선형열대(6)를 나타내며, 상기 제1전극판과 제2전극판 사이의 슬릿(slit)을 가로지르는 적어도 10 -3 테슬러(tesla) 이상 10 3 테슬러 이하의 성분을 가지는 자계를 생성하는 자석(4); 및 상기 제1전극판과 제2전극판 사이에 포함된 작업가스(8)를 포함하고, 아크방전(9)이 생성되는 상기 제1전극판 및 제2전극판과 그리고 상기 대향전극과 전기적 접촉을 이루는 이온화 환경부(7)를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리를 위한 선형 아크방전 발생장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1전극판 및 제2전극판은 횡방향 조정요소(13)로 상기 제1전극판과 제2전극판 사이의 거리를 조정할 수 있고, 각도조정요소(14)로 상기 제1전극판과 제2전극판의 경사를 조정할 수 있는 조정시스템(12)과 연결된 메인전극본체(11)에 고정되는 있는 것임을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 작업가스가 그의 최적분배를 위해 가스흐름 분배기(16)를 통해 상기 제1전극판과 제2전극판 사이의 슬릿내로 들어가게 하도록 상기 메인전극본체와 상기 조정시스템의 측부들로부터 상기 작업가스의 유출을 방지하는 외측 카트리지(15)를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치. [청구항 4] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 대향전극은 반응기 챔버 벽의 일부 및 상기 아크방전으로 처리되는 기판을 가지는 기판홀더로 되어 있는 것임을 특징으로 하는 플라즈마처리를 위한 선형 아크방전의 발생위한장치. [청구항 5] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 자석의 위치는 조정장치(17)에 의해 상기 상기 제1전극판 및 제2전극판과 관련하여 조정되며, 상기 제1전극판 및 제2전극판을 따라 그를 가로지르는 상기 자계의 분포는 상기 자석 및 다른 자석(18)에 의해 조정되어 있는 것임을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치. [청구항 6] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1전극판 및 상기 제2전극판은 다른 측부(19)를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치. [청구항 7] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1전극판과 상기 제2전극판은 다른 야금성분비를 갖는 재료로 제조되어 있는 것임을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치. [청구항 8] 1x 10 -7 과 5x 10 4 pa 사이의 가스압에서 반응기내에 설치되며, 교류전류 및 펄스전력 발생기(10)에 의해 전력을 공급받는 고체기판의 플라즈마처리, 특히 표면처리를 위한 선형 아크방전 발생장치에 있어서 0.4mm와 1000mm 사이의 거리를 두고 서로 대향 위치하며, 대향전극(3)에 접속된 대향극을 갖는 상기 발생기와 동극(same pole)에 접속된, 적어도 한 쌍의 제1전극판(1) 및 제2전극판(2) 상기 제1전극판에 선형열대(5)를 그리고 상기 제2전극판에 선형열대(6)를 나타내며, 상기 제1전극판과 제2전극판 사이의 슬릿을 가로지르는 적어도 10 -3 테슬러 이상 10 3 테슬러 이하의 성분을 가지는 자계를 생성하는 자석(4); 및 상기 제1전극판과 제2전극판 사이에 포함된 작업가스(8)를 포함하고, 아크방전(9)이 생성되는 상기 제1전극판 및 제2전극판과 그리고 상기 대향전극과 전기적 접촉을 이루는 이온화 환경부(7)를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리를 위한 선형 아크방전 발생장치 [청구항 9] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 대향전극은 반응기 챔버 벽의 일부 또는 상기 아크방전으로 처리되는 기판을 가지는 기판홀더로 되어 있는 것임을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치. [청구항 10] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 자석의 위치는 조정장치(17)에 의해 상기 상기 제1전극판 및 제2전극판과 관련하여 조정되며, 상기 제1전극판 및 제2전극판을 따라 그를 가로지르는 상기 자계의 분포는 상기 자석 또는 다른 자석(18)에 의해 조정되어 있는 것임을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치. [청구항 11] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1전극판 또는 상기 제2전극판은 다른 측부(19)를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리위한선형 아크방전 발생장치.