문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 다중 상태 물질은 캘코족인것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 다중 상태 물질은 캘코겐족포함하는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 5]
제3항에 있어서,상기 전극은 유전체 물질에 의해 분리된트렌치내위치되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 6]
제3항에 있어서,다중 상태의 소자 어셈블리는 상기 전극의 위에 복수의 트렌치를 형성하는 단계를 더 구비하는 공정에 의해제조되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 7]
제3항에 있어서,상기 제1 도전층nan은확산장벽의역할하는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 다중 상태의 소자 어셈블리는 상기 제1 도전층의 적어도 일부상에 제2 도전층을 도포시키는 단계를 더 포함하는 공정에 의해제조되는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 제2 도전층nan은상기복수의다중 상태의소자와전기적연결되어있는것을특징으로 하는메모리 장치.
[청구항 32]
제31항에 있어서,상기 복수의 제2 전극 중 적어도 일부를 에워싸는유전체볼륨더구비하는것을특징으로 하는메모리 어레이.
[청구항 33]
제32항에 있어서,상기 유전체 볼륨은 최상면을 구비하고, 상기 각각의 에워싸인 전극이상기최상면상연장되는것을특징으로 하는메모리 어레이.
[청구항 34]
제33항에 있어서,코겐족층은 상기 유전체 볼륨의 상기 최상면상에 및 상기 에워싸인전극상형성되는것을특징으로 하는메모리 어레이.
[청구항 35]
제34항에 있어서,각각의 상기 전극은 최상면과 측면을 포함하고, 상기 메모리 어레이는 상기 유전체 볼륨의 상기 최상면상으로 연장하는 각 전극의 상기 측면 둘레에 형성되는절연스페이서더구비하는것을특징으로 하는메모리 어레이.
[청구항 36]
제3항에 있어서,상기 다중 상태 소자 어셈블리를 제조하는 공정은 상기 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거해서 상기 거의 연속하는 층의 제2 부분을 남기는 단계를 더 구비하고, 그 남겨진 제 2부분이 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장하고 있고, 상기 복수의 제2 전극은 상기 제공된복수의전극의서브세트나타내는것을특징으로 하는메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제3항의 메모리 장치를 제조하는 공정 중, 다중 상태의 소자 어셈블리를 형성하기 위해 수행되는 단계들과 그 과정에서 남겨지는 부분의 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제3항의 메모리 장치 제조 공정 중 다중 상태 소자 어셈블리를 형성하기 위한 단계와 남겨진 부분의 특징을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 36에서 제조 공정 단계와 남겨진 부분의 특징에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 다중 상태 소자 어셈블리를 제조하는 공정은 상기 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거해서 상기 거의 연속하는 층의 제2 부분을 남기는 단계를 더 구비하고, 그 남겨진 제 2부분이 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장하고 있고, 상기 복수의 제2 전극은 상기 제공된복수의전극의서브세트나타내는것을특징으로 하는메모리 장치
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3근거 선택
evidence_selection공정 단계(제1 부분 제거 및 제2 부분 잔류)와 남겨진 부분의 특징(제2 전극과 전기 접속 및 연장)을 포함하는 구절을 선택한다.
- 상기 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거해서 상기 거의 연속하는 층의 제2 부분을 남기는 단계를 더 구비하고, 그 남겨진 제 2부분이 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장하고 있고
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4논리 통합
logical_integration제거 단계를 통해 특정 부분이 남겨지며, 이 남겨진 부분이 제2 전극과 전기적으로 연결되어 연장된다는 논리를 결합한다.
- 상기 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거해서 상기 거의 연속하는 층의 제2 부분을 남기는 단계를 더 구비하고, 그 남겨진 제 2부분이 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장하고 있고
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5결론 도출
conclusion_formulation공정은 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거하여 제2 부분을 남기는 것이며, 남겨진 제2 부분은 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장된다는 결론을 도출한다.
- 상기 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거해서 상기 거의 연속하는 층의 제2 부분을 남기는 단계를 더 구비하고, 그 남겨진 제 2부분이 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장하고 있고
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 공정 단계와 남겨진 부분의 특징을 명확히 기술하여 답변을 생성한다.
- 상기 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거해서 상기 거의 연속하는 층의 제2 부분을 남기는 단계를 더 구비하고, 그 남겨진 제 2부분이 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장하고 있고
최종 답변 (final_answer)
다중 상태의 소자 어셈블리를 제조하는 공정은 대체로 연속하는 층의 제1 부분을 제거하여 거의 연속하는 층의 제2 부분을 남기는 단계를 수행하며, 이때 남겨진 제2 부분은 복수의 제2 전극과 전기 접속하여 연장되는 특징을 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
메모리 장치 제조 시 층의 일부를 제거함으로써 특정 부분(제2 부분)을 남기고, 이를 제2 전극과 전기적으로 연결하여 소자 어셈블리를 형성하는 공정 기술을 나타낸다.