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저항값이 일정한 에피 핀치 저항 document_id 1019980001006

출원번호
1019980001006
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 제 1 도전형의 반도체 기판; 상기 기판의 소정 영역에 고농도로 형성된 제 2 도전형의 매립층(buried layer) 상기 매립층이 형성된 기판 상에 저농도로 형성된 제 2 도전형의 애피택셜층 상기 매립층 상의 애피택셜층에 고농도로 형성된 제 1 도전형의 제 1 바닥(bottom) 영역 상기 제 1 바닥 영역의 가장 자리에서 상기 애피택셜층의 표면까지 고농도로 형성된 제 1 도전형의 제 1 소자 분리 영역 상기 소자분리 영역 사이에서 서로 소정 간격 이격되고 고농도로 형성된 제 2 도전형의 제 2 웰들 상기 제 2 웰들 사이에서 상기 제 2 웰들과 소정 간격 이격되고 고농도로 형성된 제 1 도전형의 제 1 웰 상기 에피택셜층에서 상기 제 1 소자 분리 영역과 소정 간격 이격되어 상기 제 1 소자 분리 영역을 둘러싸며 제 1 도전형으로 형성되고 상기 반도체 기판과 전기적으로 연결되는 제 2 소자 분리 영역/제 2 바닥 영역; 및 상기 제 1 소자 분리 영역과 상기 제 2 소자분리 영역 사이의 애피택셜층에서 고농도의 제 2 도전형으로 형성되고 상기 제 2 웰들의 전압 중 높은 전압보다 소정 전압이 작은 전압이 인가되는 제 3 웰을 포함하는 저항값이 일정한 에피 핀치 저항 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 3 웰에는상기 제 2 웰들의 전압 중 높은 전압이 인가되는 것을 특징으로하는 저항값일정한에피 핀치 저항. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제 3 웰과 이웃한 제 1 소자 분리 영역에는상기 제 2 웰들의 전압 중 높은 전압보다 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(vbe) 만큼 작은 전압이 인가되는 것을 특징으로하는 저항값일정한에피 핀치 저항.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 3에 기재된 내용을 바탕으로, 제 3 웰과 인접한 제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압의 크기를 제 2 웰들의 높은 전압과 비교하여 설명하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 1과 3을 참조하여 제 3 웰과 인접한 제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압을 제 2 웰들의 높은 전압과 비교하여 설명해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3에서 제 3 웰과 이웃한 제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압에 대한 정보를 추출한다.

    • 상기 제 3 웰과 이웃한 제 1 소자 분리 영역에는상기 제 2 웰들의 전압 중 높은 전압보다 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(vbe) 만큼 작은 전압이 인가되는 것을 특징으로하는 저항값일정한에피 핀치 저항
  3. 3근거 선택evidence_selection

    비교 대상인 '제 2 웰들의 높은 전압'과 '제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압' 사이의 관계를 나타내는 구절을 선택한다.

    • 상기 제 3 웰과 이웃한 제 1 소자 분리 영역에는상기 제 2 웰들의 전압 중 높은 전압보다 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(vbe) 만큼 작은 전압이 인가되는 것을 특징으로하는 저항값일정한에피 핀치 저항
  4. 4논리 통합logical_integration

    제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압은 제 2 웰들의 높은 전압에서 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(vbe)을 뺀 값임을 논리적으로 연결한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    따라서 제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압은 제 2 웰들의 높은 전압보다 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(vbe)만큼 작다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 비교 결과가 포함된 문장으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제 3 웰과 인접한 제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압은 제 2 웰들의 전압 중 높은 전압보다 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(vbe)만큼 작은 전압이 인가된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제 2 웰들의 높은 전압과 제 1 소자 분리 영역에 인가되는 전압 사이에 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(vbe)만큼의 전압 차를 형성하여 저항 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.