문맥 (context)
[청구항 1]
제1 도전형의 반도체기판에 형성된 제1 도전형의 드레인영역
상기 드레인영역 내에 형성된 제2 도전형의 베이스영역
상기 베이스영역 내에 형성된 제1 도전형의 소오스영역
상기 반도체기판 상에, 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극; 및
상기 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역으로 이루어진 제2 도전형의 불순물영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 영역의 농도는,5 × 1013원자/㎠ ∼ 5 ×1014원자인것을특징으로 하는전력 반도체장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제2 영역의 농도는,7 ×1014원자이상인것을특징으로 하는전력 반도체장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1 도전형은 n형이고,상기제2도전형인것을특징으로 하는전력 반도체장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 소오스영역은 비소(arsenic) 또는 인(phosphorus)으로 도우프되어 있고,상기 제1 영역 및 제2 영역은 보론(boron)으로도우프있는것을특징으로 하는전력 반도체장치.
[청구항 6]
제2 도전형의 반도체기판;
상기 반도체기판에 형성된 제1 도전형의 반도체층
상기 반도체층의 표면 아래에 형성된 제2 도전형의 웰
상기 웰내에 형성된 제1 도전형의 소오스영역
상기 반도체층 상에, 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극; 및
상기 웰내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역으로 이루어진 제2 도전형의 불순물영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체장치
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 제1 영역의 농도는,5 × 1013원자/㎠ ∼ 5 ×1014원자인것을특징으로 하는전력 반도체장치.
[청구항 8]
제6항에 있어서,상기 제2 영역의 농도는,7 ×1014원자이상인것을특징으로 하는전력 반도체장치.
[청구항 9]
제6항에 있어서,상기 제1 도전형은 n형이고,상기제2도전형인것을특징으로 하는전력 반도체장치.
[청구항 10]
제6항에 있어서,상기 소오스영역은 비소(arsenic) 또는 인(phosphorus)으로 도우프되어 있고,상기 제1 영역 및 제2 영역은 보론(boron)으로도우프있는것을특징으로 하는전력 반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1에 따른 전력 반도체장치에서 제2 도전형의 불순물영역을 구성하는 제1 영역과 제2 영역의 각각의 형성 위치 및 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1을 바탕으로 제2 도전형 불순물영역을 구성하는 제1 영역과 제2 영역의 위치 및 특징을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 제1 영역은 소오스영역의 저면을 감싸며, 제2 영역은 게이트전극에 자기정합되도록 형성된다는 정보를 추출한다.
- 상기 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역
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3근거 선택
evidence_selection제1 영역의 위치/특징과 제2 영역의 위치/특징에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역
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4논리 통합
logical_integration두 영역 모두 베이스영역 내에 형성된다는 공통점과 각각의 개별적 특징(소오스 저면 감쌈, 게이트전극 자기정합)을 결합한다.
- 상기 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역
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5결론 도출
conclusion_formulation제1 영역은 베이스영역 내에서 소오스영역의 저면을 감싸는 특징을 갖고, 제2 영역은 베이스영역 내에서 게이트전극에 자기정합되도록 형성된다는 결론을 도출한다.
- 상기 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역
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6답변 생성
answer_generation질문에 답변하기 위해 구조화된 형식으로 제1 영역과 제2 영역의 정보를 정리한다.
- 상기 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역
최종 답변 (final_answer)
청구항 1에 따른 제2 도전형의 불순물영역은 베이스영역 내에 형성되며, 각 영역의 특징은 다음과 같다.
1. 제1 영역: 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 특징을 가진다.
2. 제2 영역: 베이스영역 내에 형성되며, 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성되는 특징을 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 베이스영역 내에 소오스영역의 저면을 감싸는 제1 영역과 게이트전극에 자기정합되는 제2 영역으로 구성된 제2 도전형 불순물영역을 통해 전력 반도체장치의 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.