반도체 발광 소자와 그 제조 방법 및 광 장치 document_id 1019980010772

[청구항 1] 아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 컨택트층을 갖는 동시에, 이 컨택트층은 적어도 일부가 알칼리 금속 원소를 p형 불순물로서 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 컨택트층에 포함되는 알칼리 금속 원소는 나트륨(na) 및 칼륨(k)으로 이루어지는군중적어도1종인것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 컨택트층에 인접하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체층은 ⅱ족 원소의 아연과, ⅵ족 원소의 유황 및 셀레늄으로 이루어지는 군 중에서적어도1종포함하는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기p형 클래드층과 상기 컨택트층 사이에 ⅱ족 원소의 아연 및 ⅵ족 원소의 셀레늄을 포함하는 제1 ⅱ-ⅵ족 반도체층과, ⅱ족 원소의 아연 및 ⅵ족 원소의 텔루륨을 포함하는 제2 ⅱ-ⅵ족 반도체층을 교대로 적층한초격자층포함하는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기p형 클래등층과 상기 컨택트층 사이에 ⅱ족 원소의 아연과 ⅵ족 원소의 셀레늄 및 텔루륨을 포함하고, 셀레늄 및 텔루륨의 조성비를 적층 방향에서 변화시킨 ⅱ-ⅵ족화합물 반도체층구비한것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기p측 전극은 적어도 일부가 금 또는 금을 포함하는금속구성된것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기p측 전극은 적어도 일부에 상기 p측 전극을 구성하는 원소가 상기 컨택트층측으로 확산되는 것을 방지하기 위한확산방지층갖는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 확산 방지층은 금(au), 동(cu), 망간(mn), 몰리브덴(mo), 니오븀(nb), 니켈(ni), 팔라듐(pd), 백금(pt), 탄탈(ta) 및 티탄(ti)중적어도1종포함하는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 9] 아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물을 포함하고, 또는 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물 및 알칼리 화합물을 포함하는 컨택트층을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 알칼리 화합물은 알칼리 금속 원소와, ⅵ족 원소 및 인 중에서적어도1종과화합물인것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 알칼리 화합물은 나트륨(na) 및 칼륨(k)으로 이루어지는 군중에서 적어도 1종의 알칼리 금속 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se), 및 텔루륨(te)의 ⅵ족 원소 및 인(p)으로 이루어지는군중적어도1종으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 컨택트층에 인접하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체층은, ⅱ족 원소의 아연과, ⅵ족 원소의 유황 및 셀레늄으로 이루어지는 군중에서적어도셀레늄포함하는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기p형 클래드층과 상기 컨택트층 사이에 ⅱ족 원소의 아연 및 ⅵ족 원소의 셀레늄을 포함하는 제1 ⅱ-ⅵ족 반도체층과 ⅱ족 원소의 아연 및 ⅵ족 원소의 텔루륨을 포함하는 제2 ⅱ-ⅵ족 반도체층을 교대로 적층한초격자층포함하는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 14] 제9항에 있어서,상기p형 클래등층과 상기 컨택트층 사이에 ⅱ족 원소의 아연과 ⅵ족 원소의 셀레늄 및 텔루륨을 포함하고, 셀레늄 및 텔루륨의 조성비를 적층 방향에서 변화시킨 ⅱ-ⅵ족화합물 반도체층구비한것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 15] 제9항에 있어서,상기p측 전극은 적어도 일부가 금 또는 금을 포함하는금속구성된것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 16] 제9항에 있어서,상기p측 전극은 적어도 일부에 상기 p측 전극을 구성하는 원소가 상기 컨택트층측으로 확산되는 것을 방지하기 위한확산방지층갖는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 확산 방지층은 금(au), 동(cu), 망간(mn), 몰리브덴(mo), 니오븀(nb), 니켈(ni), 팔라듐(pd), 백금(pt), 탄탈(ta) 및 티탄(ti)으로 이루어지는 군 중에서적어도1종포함하는것을특징으로 하는반도체 발광 소자. [청구항 31] 아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된 반도체 발광 소자를 갖는 광장치에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 컨택트층을 갖는 동시에, 이 컨택트층은 알칼리 금속 원소를 p형 불순물로서 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체에 의해 적어도 일부가 구성되는 것을 특징으로 하는 광장치 [청구항 32] 아연(zn), 마그네슘(mg), 베릴륨(be), 카드뮴(cd), 망간(mn) 및 수은(hg)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅱ족 원소와, 산소(o), 유황(s), 셀레늄(se) 및 텔루륨(te)으로 이루어지는 군 중에서 적어도 1종의 ⅵ족 원소를 포함하는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 각각 이루어지는 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 적어도 순차 적층됨과 동시에, p형 클래드층에 대해 p측 전극이 전기적으로 접속된 반도체 발광 소자를 갖는 광장치에 있어서, 상기 반도체 발광 소자는 p형 클래드층과 상기 p측 전극 사이에 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물을 포함하고, 또는 알칼리 화합물과 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체와의 열반응 생성물 및 알칼리 화합물을 포함하는 컨택트층을 구비한 것을 특징으로 하는 광장치