조절 및 제거 가능한 플라즈마 침착 반사 방지 코팅 document_id 1019980016828

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기barc는 광반응성 물질층코팅되는구조체. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 기판은 반도체, 폴리머, 유리, 금속 그리고 이들의 임의의 조합, 자기 헤드, 전자 칩, 회로 기판, 반도체 디바이스로 이루어진물질의그룹중선택된하나인구조체. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기barc의 변동비의 감소인구조체. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 광반응성 물질은 건식 판 형태의 포토레지스트인구조체. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,상기 광반응성 물질과 상기barc의 계면에서의 반사도인구조체. [청구항 7] 제 3 항에 있어서,상기 기판nan은실리콘포함하는반도체인구조체. [청구항 8] 제 2 항에 있어서,상기 포토 레지스트는 uv 파장 범위에 민감한 조성물, duv 파장 범위에 민감한 조성물, uv 및 duv 파장 범위에 민감한 조성물로 이루어진물질의그룹중선택된하나인구조체. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,기상 침착된물질로 이루어진barc 구조체. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기barc는 두께가 균일하고 광학적으로 불균일하며 굴절율의 구배지니는barc 구조체. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 굴절율은 365, 248, 193 nm에서 약 1.4 내지 약 2.1사이에서 조절가능한barc 구조체. [청구항 13] 제 9 항에 있어서,상기 흡광율은 365, 248, 193 nm에서 약 0.1 내지 약 0.6사이에서 조절가능한barc 구조체. [청구항 14] 제 9 항에 있어서,제 1 주 표면에서의 굴절율은, 상기 제 1 주 표면과 접촉하고 있는 상기 기판의 주 표면의 그것에 매칭시키기 위해 약 1.5로 조절되며, 제 2 주표면에서의 굴절율은 상기 제 2 주 표면과 접촉하고 있는 상기 포토 레지스트의 그것에매칭위해조절되는barc 구조체. [청구항 15] 제 10 항에 있어서,상기barc를 구성하는 상기 기상 침착된 물질은 다이아몬드 유사 탄소(diamond-like carbon: dlc), 불화 다이아몬드 유사 탄소(fluorinated diamond-like carbon: fdlc), 불화/수소화된 다이아몬드 유사 탄소(fluorinated hydrogenated diamond-like carbon: fhdlc), 질화 다이아몬드 유사 탄소(nitrogenated diamond-like carbon: ndlc), 비정질 불화 수소화 탄소, 비정질 불화탄소, 불화 4면체 탄소, 비정질 질화탄소, 비정질 질화 수소화 탄소, 질화 4면체 탄소, 이들의 조합물로 이루어진그룹중선택된하나인barc 구조체. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 기상 침착된 물질은 산소, 실리콘, 이들의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나인 도핑 물질포함하는barc 구조체. [청구항 17] 제 10 항에 있어서,상기 기상 침착된 물질은 산소, 불소, 이들의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나의 가스 내에서 반응성 이온 식각에 의해 패터닝할 수제거할수있는barc 구조체. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,두께를 갖는 단일층 막을 포함하며, 상기 단일층막은 365, 248, 193 nm 파장에서, 약 1.42 내지 약 2.1에 이르는 굴절율과 약 0.3 내지 약 0.6에 이르는 흡광율가지는barc 구조체. [청구항 19] 제 10 항에 있어서,파장에서 약 1.9의 굴절율과 약 0.4의 흡광율가지는barc 구조체. [청구항 20] 제 10 항에 있어서,파장에서 약 1.8의 굴절율과 약 0.3의 흡광율가지는barc 구조체. [청구항 21] 제 11 항에 있어서,상기 구배를갖는굴절율은 약 1.4 내지 약 2.1인 barc 구조체. [청구항 22] 제 11 항에 있어서,상기 흡광율은 약 0.2 내지6 사이인barc 구조체. [청구항 23] 제 11 항에 있어서,기판상에서 약 100 내지 약 2000 옹스트롱(angstroms :a)사이의 균일한 두께갖는barc 구조체. [청구항 24] 제 11 항에 있어서,기판상에서 약 400 a의 균일한 두께갖는barc 구조체. [청구항 25] 제 11 항에 있어서,기판상에서 약 900 a의 균일한 두께갖는barc 구조체. [청구항 27] 제 14 항에 있어서,상기 두께는 약 100 a 내지 약 2000 a인barc 구조체. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기barc의 2 층은 dlc, fdlc, fhdlc, ndlc, 비정질 불화 수소화 탄소, 비정질 불화탄소, 불화 4면체 탄소, 비정질 질화탄소, 비정질 질화 불화탄소, 질화 4면체 탄소, 이들의 조합으로이루이진그룹중선택된하나인2층 구조체. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기barc 물질은 산소, 실리콘, 이들의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나인 도핑 물질포함하는2층 구조체. [청구항 31] 제 28 항에 있어서,의 굴절율과 약 0.3의 흡광율을 가지며 약 200 a 내지 약 1000a사이의 두께를 가지는 barc의 제 2 층이 상기 기판의 제 2 주 표면위에 침착되고, 반응성 이온 식각에 의해 제거 가능한광반응성물질로덮여지는2층 구조체. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,적어도 하나의 barc 층을 포함하며, 이 barc 층의 굴절율이 약 20 a 내지 약 300 a사이의 균일한 층두께에 걸쳐서, 약 1.8 내지 약 2.0 사이에서 완만하게 구배가지는다층 구조체. [청구항 34] 제 32 항에 있어서,의 굴절율과 약 0.5의 흡광율을 가지며 약 100 a 내지 약 1000a사이의 두께를 가지는 적어도 하나의 추가적인 barc 층포함하는다층 구조체. [청구항 35] 제 32 항에 있어서,의 굴절율과 약 0.3의 흡광율을 가지며 약 100 a 내지 약 1000a사이의 두께를 가지는 적어도 하나의 추가적인 barc 층포함하는다층 구조체. [청구항 36] 제 32 항에 있어서,굴절율이 약 1.5 내지 약 1.8 사이에서 완만하게 구배를 가지는 적어도 하나의 barc 층포함하는다층 구조체.