문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판 상에 형성된 층간절연층
상기 층간절연층을 관통하여 형성된 콘택홀을 매립하고, 상기 층간절연층 상면을 기준으로 일정 높이 솟아오른 기둥 모양의 플러그 도전층
상기 층간 절연층 상에 형성되고, 상기 플러그 도전층과는 일정거리 이격된 제1 박막 트랜지스터 게이트
상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트와 일정거리 이격되고, 상기 플러그 도전층의 상단 측벽 일부를 둘러싸는 스페이서 형태를 갖는 제2 박막 트랜지스터 게이트; 및
상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터 게이트와 층간 절연층 상부에 게이트 절연막을 개재하여 형성되고, 소오스, 채널, 드레인 오프셋 및 드레인을 포함하는 제1 박막 트랜지스터의 바디(body)를 구비하며,
상기 드레인은, 제1 박막 트랜지스터 게이트의 반대편에 위치한 제2 박막 트랜지스터의 게이트 및 플러그 도전층과 전기적으로 접속되고, 제1 박막 트랜지스터의 게이트 편에 위치한 제2 박막 트랜지스터의 게이트 상면은 드레인 오프셋으로 제공되는 것을 특징으로 하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 플러그 도전층은 텅스텐 또는 불순물이 도우프된폴리실리콘형성된것을특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1 박막 트랜지스터의 바디는 300å∼500å의두께형성된것을특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,태틱 랜덤 억세스 메모리 소자는, 상기 층간절연층과 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 게이트 사이에 형성된식각저지층더구비하는것을특징으로 하는스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자에서 제1 박막 트랜지스터의 드레인이 전기적으로 접속되는 대상들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자 내 제1 박막 트랜지스터의 드레인이 전기적으로 연결되는 대상을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 제1 박막 트랜지스터의 드레인과 전기적으로 접속되는 구성 요소를 추출한다.
- 상기 드레인은, 제1 박막 트랜지스터 게이트의 반대편에 위치한 제2 박막 트랜지스터의 게이트 및 플러그 도전층과 전기적으로 접속되고
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3근거 선택
evidence_selection드레인의 접속 대상에 대한 직접적인 근거 구절을 선택한다.
- 제2 박막 트랜지스터의 게이트 및 플러그 도전층과 전기적으로 접속되고
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거를 바탕으로 드레인이 접속되는 대상이 '제2 박막 트랜지스터의 게이트'와 '플러그 도전층'임을 확인한다.
- 제2 박막 트랜지스터의 게이트 및 플러그 도전층과 전기적으로 접속되고
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 접속 대상들을 리스트 형식으로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
제2 박막 트랜지스터의 게이트, 플러그 도전층을 박막 트랜지스터의 드레인에 전기적으로 연결시킨다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제1 박막 트랜지스터의 드레인을 제2 박막 트랜지스터의 게이트 및 플러그 도전층과 전기적으로 연결하여 구성하는 스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자에 관한 것이다.