문맥 (context)
[청구항 1]
반도체기판 상에 형성된 콘택홀 을 포함하는 하부구조
상기 콘택홀을 매몰시키며 상기 하부구조 상에 형성되고, 상기 콘택홀 저면부에서 상부로 갈수록 불순물의 농도가 감소되어 있는 스토리지 전극
상기 스토리지전극 상에 형성된 hsg(hemi spherical grain)막
상기 hsg막 상에 형성된 유전체막; 및
상기 유전체막 상에 형성된 플레이트전극
을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 커패시터
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 커패시터의 스토리지전극의 구조는 핀(fin)형태와 실린더(cylinder)형태를 포함하는스텍구조인것을특징으로 하는상기 반도체소자의 커패시터.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 콘택홀 하부에는 셀패드형성된것을특징으로 하는상기 반도체소자의 커패시터.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,패드의 재질은 폴리실리콘인것을특징으로 하는상기 반도체소자의 커패시터.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 스토리지전극의 재질은 인(p)을 불순물로 포함하는폴리실리콘인특징으로 하는상기 반도체소자의 커패시터.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 유전체막은 no (나이트라이드(n)/옥사이드(o))막 또는 ono(옥사이드(o)/나이트라이드(n)/옥사이드막인것을특징으로 하는상기 반도체소자의 커패시터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 스토리지 전극과 청구항 5의 스토리지 전극의 재질 및 불순물 특성을 결합하여 설명할 때, 스토리지 전극의 불순물 농도는 위치에 따라 어떻게 변화하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 청구항 5를 결합하여 스토리지 전극의 재질과 위치에 따른 불순물 농도 변화를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 스토리지 전극은 콘택홀 저면부에서 상부로 갈수록 불순물 농도가 감소한다고 명시되어 있다.
- 콘택홀 저면부에서 상부로 갈수록 불순물의 농도가 감소되어 있는 스토리지 전극
-
3근거 선택
evidence_selection청구항 5를 통해 스토리지 전극의 재질이 인(P)을 불순물로 포함하는 폴리실리콘임을 확인한다.
- 상기 스토리지전극의 재질은 인(p)을 불순물로 포함하는폴리실리콘인특징으로 하는상기 반도체소자의 커패시터
-
4논리 통합
logical_integration스토리지 전극은 인(P)을 불순물로 갖는 폴리실리콘이며, 이 인(P)의 농도는 콘택홀의 저면부에서 상부 방향으로 갈수록 낮아진다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation스토리지 전극의 불순물(인) 농도는 콘택홀의 저면부에서 상부로 갈수록 감소하는 특성을 가진다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대해 위치에 따른 농도 변화를 명확히 기술하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
스토리지 전극은 인(P)을 불순물로 포함하는 폴리실리콘 재질로 구성되며, 불순물의 농도는 콘택홀의 저면부에서 상부로 갈수록 감소한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 인(P)을 불순물로 사용하는 폴리실리콘 스토리지 전극을 채택하되, 콘택홀의 깊이에 따라 불순물 농도를 구배(gradient) 형태로 조절하는 기술적 특징을 가진다.