문맥 (context)
[청구항 1]
셀 트랜지스터등이 형성된 반도체 기판상에 선택적으로 콘택홀을 갖고 형성되는 층간 절연층의 콘택홀내에 매립되는 플러그층과,
상기 플러그층에 콘택되어 산화물이 전도체인 물질로 형성되는 제 1 하부 전극층과,
상기 제 1 하부 전극층상에 그와 동일한 면적을 갖고 차례로 적층 형성되는 산소 확산 방지막 그리고 제 1 하부 전극층보다 일함수가 큰 물질로 이루어진 제 2 하부 전극층과,
상기 제 1 하부 전극층,산소 확산 방지막,제 2 하부 전극층의 측면에 [제1하부전극층+산소확산방지막+제2하부전극층]보다 더높은 높이를 갖고 측벽 형태로 형성되는 제 3 하부 전극층과,
내부에 산소 확산 방지막을 갖는 제 1,2,3 하부 전극층의 표면과 층간 절연층의 일부에 걸쳐 형성되는 유전막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 커패시터의 구조
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,제 1 하부 전극층은 ru,ir,rh,os,sn등과 같은 산화물이 전도체인 금속 원소 또는 이러한 원소가 포함된혼합체인것을특징으로 하는반도체 소자의 커패시터의 구조.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,제 2 하부 전극층은 pt박막두께인것을특징으로 하는반도체 소자의 커패시터의 구조.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,플러그층과 제 1 하부 전극층의 반응을 방지하기 위한 확산 방지막이플러그층과제1하부 전극층사이더구비되는것을특징으로 하는반도체 소자의 커패시터의 구조.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,제 1 하부 전극층의 상부 표면 그리고 제 2 하부 전극층의 상하 표면에 각각 형성되는 제 1,2,3점착층더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 커패시터의 구조.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 소자의 커패시터 구조에서 제 1 하부 전극층, 산소 확산 방지막, 제 2 하부 전극층의 측면을 감싸며 이들보다 더 높은 높이로 형성되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제 1 하부 전극층, 산소 확산 방지막, 제 2 하부 전극층의 측면을 감싸며 이들보다 더 높은 높이로 형성되는 구성 요소를 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 제 1 하부 전극층, 산소 확산 방지막, 제 2 하부 전극층의 관계와 높이 조건을 설명하는 구절을 추출한다.
- 제 1 하부 전극층,산소 확산 방지막,제 2 하부 전극층의 측면에 [제1하부전극층+산소확산방지막+제2하부전극층]보다 더높은 높이를 갖고 측벽 형태로 형성되는 제 3 하부 전극층
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '측면을 감싸며'와 '더 높은 높이'라는 조건에 부합하는 '제 3 하부 전극층'에 관한 구절을 선택한다.
- 제 1 하부 전극층,산소 확산 방지막,제 2 하부 전극층의 측면에 [제1하부전극층+산소확산방지막+제2하부전극층]보다 더높은 높이를 갖고 측벽 형태로 형성되는 제 3 하부 전극층
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4논리 통합
logical_integration제 1, 2 하부 전극층 및 산소 확산 방지막의 측면을 측벽 형태로 감싸면서, 이들의 적층 높이보다 더 높게 형성되는 구성 요소는 제 3 하부 전극층임을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '제 3 하부 전극층'을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정답을 형식에 맞춰 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제 1 하부 전극층, 산소 확산 방지막, 제 2 하부 전극층의 측면을 감싸며 이들보다 더 높은 높이로 제 3 하부 전극층이 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제 1, 2 하부 전극층 및 산소 확산 방지막의 측면을 측벽 형태로 감싸며 이들보다 높은 높이를 갖는 제 3 하부 전극층을 포함하는 커패시터 구조에 관한 것이다.