문맥 (context)
[청구항 1]
제1도전형의 불순물이 도핑된 베이스를 사이에 두고 그 양면에 각각 제2도전형의 불순물이 도핑된 에미터 및 콜렉터가 각각 접합된 이종 접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서,
상기 에미터 및 콜렉터는 상기 베이스 보다 좁은 폭으로 서로 대향하도록 접합되고,
상기 베이스의 에미터 접합면에서 에미터가 접합되지 않은 가장자리 노출면 상에 접합된 제1베이스 금속층
상기 베이스의 콜렉터 접합면에서 콜렉터가 접합되지 않은 가장자리 노출면 상에 접합된 제2베이스 금속층
상기 콜렉터의 상기 베이스 대향면 상에 접합된 제2도전형의 불순물이 도핑된 콜렉터 접촉층
상기 콜렉터 접촉층의 상기 콜렉터 대향면에 접합된 콜렉터 금속층
상기 에미터의 상기 베이스 대향면 상에 접합된 제2도전형의 불순물이 도핑된 에미터 접촉층
상기 에미터 접촉층의 상기 에미터 대향면에 접합된 에미터 금속층
상기 에미터 금속층의 상기 에미터 접촉층 대향면에 접합된 접지용 금속층
상기 접지용 금속층과 전도성 접착물을 통하여 접합된 캐리어 기판; 및
상기 접지용 금속층과 상기 전도성 접착물을 통하여 접합된 접지 금속; 을
구비한 것을 특징으로 하는 기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1베이스 금속층의 상기 베이스 대향면 상에 형성된제3베이스금속층더구비한것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제2베이스 금속층의 상기 베이스 대향면 상에 형성된제4베이스금속층더구비한것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 4]
제1항 내지 제3항에 있어서,상기 제1베이스 금속층과 상기 제2베이스 금속층은 상기 베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀을 통하여전기적서로접속된것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제2베이스 금속층은 합금 혹은 단일 금속으로 형성되어베이스패드금속접속된것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 6]
제1항 내지 제3항에 있어서,상기 접지용 금속층과 상기 접지 금속이 상기 케리어 기판의 관통홀을 통하여전기적접속된것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 제1도전형은 n형이고,상기제2도전형인것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 제1도전형은 p형이고,상기제2도전형인것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 케리어 기판은 소정값 이상의 열전도도를 갖는반도체혹은금속판형성된것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 반도체는 si 이고,상기금속판인것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
기판 전이 이종접합 바이폴라 트랜지스터에서 제1베이스 금속층과 제2베이스 금속층이 전기적으로 서로 접속되는 방법은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation기판 전이 이종접합 바이폴라 트랜지스터에서 제1베이스 금속층과 제2베이스 금속층이 전기적으로 연결되는 구체적인 방법을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 제1베이스 금속층과 제2베이스 금속층의 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 제1베이스 금속층과 상기 제2베이스 금속층은 상기 베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀을 통하여전기적서로접속된것을특징으로 하는기판 전이 이종 접합 바이폴라 트랜지스터
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3근거 선택
evidence_selection두 금속층이 접속되는 수단인 '베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀'을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 제1베이스 금속층과 상기 제2베이스 금속층은 상기 베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀을 통하여전기적서로접속된것
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4논리 통합
logical_integration제1베이스 금속층과 제2베이스 금속층이 베이스 가장자리의 관통홀을 통해 전기적으로 연결된다는 논리를 구성한다.
- 상기 제1베이스 금속층과 상기 제2베이스 금속층은 상기 베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀을 통하여전기적서로접속된것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로, 두 금속층은 베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀을 통해 전기적으로 접속된다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀을 통하여 전기적으로 서로 접속된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 베이스의 가장자리 영역에 형성된 관통홀을 이용하여 제1베이스 금속층과 제2베이스 금속층을 전기적으로 연결함으로써 트랜지스터의 구조적 연결성을 확보하는 기술을 포함한다.