문맥 (context)
[청구항 1]
제 1 도전형의 반도체 기판;
상기 반도체 기판 상에 형성되고, 소자분리영역과 소자활성영역으로 구분된 제 2 도전형의 에피텍셜층
소자분리영역 내에, 상기 에피텍셜층 을 관통하여 형성된 트랜치
상기 트랜치 내벽에 형성된 절연막
상기 트랜치를 매립하여 형성되고, 상기 반도체 기판과 전기적으로 접속된 전도막
상기 트랜치 상단 양측에 형성되어 트랜치볼록코너부를 둘러싸는 제 1 도전형의 불순물영역
소자활성영역 내의 상기 에피텍셜층 표면일부에 형성된 제 2 도전형의 베이스영역 및 제 1 도전형의 에미터영역; 및
상기 베이스영역, 에미터영역 및 전도막에 각각 접촉되게 형성된 베이스전극, 에미터전극 및 콜렉터전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 전도막은,제 1 도전형의 불순물이 고농도로 주입된폴리실리콘형성된것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터는,소자분리영역내의 상기 에피텍셜층 표면에 선택산화법으로 형성된 소자분리막을 더 구비하고, 상기 트랜치는 상기 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여형성된것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 바이폴라 트랜지스터는,상기 전도막 아래에 상기 반도체 기판보다 고농도로 형성된제1도전형의불순물영역더구비하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
트랜치구조를 갖는 바이폴라 트랜지스터에서 전도막이 반도체 기판과 전기적으로 접속되기 위해 트랜치는 어떤 구조적 특징을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation트랜치구조를 갖는 바이폴라 트랜지스터에서 전도막이 반도체 기판과 전기적으로 접속되기 위해 트랜치가 갖는 구조적 특징을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 전도막이 트랜치를 매립하여 형성되며 반도체 기판과 전기적으로 접속된다는 점과, 청구항 3에서 트랜치가 소자분리막, 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여 형성된다는 점을 추출한다.
- 상기 트랜치를 매립하여 형성되고, 상기 반도체 기판과 전기적으로 접속된 전도막
- 상기 트랜치는 상기 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여형성된것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터
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3근거 선택
evidence_selection전도막이 기판과 접속될 수 있도록 트랜치가 관통하는 대상(소자분리막, 불순물영역, 에피텍셜층)에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 트랜치는 상기 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여형성된것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터
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4논리 통합
logical_integration전도막이 트랜치 내에 매립되어 기판과 접속되려면, 트랜치가 기판 상부의 층들(소자분리막, 불순물영역, 에피텍셜층)을 관통하여 기판 방향으로 형성되어야 함을 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation트랜치는 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여 형성되는 구조적 특징을 갖는다.
- 상기 트랜치는 상기 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여형성된것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 트랜치가 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여 형성된다는 점을 명시하여 답변을 생성한다.
- 상기 트랜치는 상기 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여형성된것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터
최종 답변 (final_answer)
트랜치는 소자분리막, 제 1 도전형의 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여 형성되는 구조적 특징을 갖는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
전도막이 반도체 기판과 전기적으로 연결될 수 있도록, 트랜치가 상부의 소자분리막, 불순물영역 및 에피텍셜층을 관통하여 형성되는 구조를 제공한다.