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반도체 소자 및 반도체 소자의 배선형성방법 document_id 1019980032140

출원번호
1019980032140
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 하부도전부재가 형성되어 있는 반도체 기판 상기 반도체 기판의 전면에 형성되어 있고, 상기 하부도전부재의 일부를 노출하는 콘택홀을 갖는 층간절연막 상기 콘택홀의 일부를 채우고 있고 도전물질로 이루어져진 콘택플러그 상기 콘택플러그 위에 형성되어 있는 배선층을 구비하고, 상기 콘택플러그의 표면이 상기 층간절연막의 표면으로부터 리세스되도록 함으로써, 상기 콘택플러그와 상기 배선층의 계면이 상기 콘택홀의 내부에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 콘택홀의 측벽과 밑면상에장벽금속층더구비하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 장벽금속층은 티타늄층과 티타늄나이트라이드층의 적층구조로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 콘택플러그의 상부면에 층간도전층을 더 구비함으로써, 상기 콘택플러그와 상기 배선층과의접촉특성향상시키는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 층간 도전층은 티타늄,티타늄나이트라이드구리로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 콘택플러그는텅스텐으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 배선층은알루미늄으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
본 반도체 소자에서 콘택플러그의 표면이 층간절연막의 표면으로부터 리세스됨으로써 얻어지는 구조적 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    콘택플러그의 표면이 층간절연막으로부터 리세스됨으로써 발생하는 구조적 특징을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 콘택플러그의 표면이 층간절연막의 표면으로부터 리세스되는 조건과 그에 따른 결과를 추출한다.

    • 상기 콘택플러그의 표면이 상기 층간절연막의 표면으로부터 리세스되도록 함으로써, 상기 콘택플러그와 상기 배선층의 계면이 상기 콘택홀의 내부에 존재하는 것을 특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에 직접적으로 대응하는 구조적 특징인 '콘택플러그와 배선층의 계면이 콘택홀 내부에 존재함'을 근거로 선택한다.

    • 상기 콘택플러그와 상기 배선층의 계면이 상기 콘택홀의 내부에 존재하는 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    리세스 구조를 통해 콘택플러그와 배선층이 만나는 지점(계면)이 층간절연막 표면이 아닌 콘택홀 내부로 위치하게 됨을 연결한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    추출된 정보를 바탕으로 콘택플러그와 배선층의 계면이 콘택홀 내부에 존재한다는 결론을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 답변을 추출된 문구 그대로 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
상기 콘택플러그와 상기 배선층의 계면이 상기 콘택홀의 내부에 존재하는 것을 특징으로 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
콘택플러그를 층간절연막보다 낮게 형성(리세스)함으로써, 배선층과 콘택플러그가 만나는 계면을 콘택홀 내부로 위치시키는 구조적 특징을 가진다.