문맥 (context)
[청구항 1]
제1 도전형의 반도체기판;
상기 반도체기판에 형성된 제2 도전형의 반도체영역
상기 반도체영역 내에 형성된 제2 도전형의 드레인
상기 드레인 하부의 상기 반도체영역 내에 형성되며, 제2 도전형의 고농도의 매몰 불순물층
상기 반도체영역과 소정거리 이격된 반도체기판에 형성된 제1 도전형의 바디영역(body region)
상기 바디영역 내에 형성된 제2 도전형의 소오스
상기 반도체기판 상에, 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극; 및
상기 소오스 및 드레인과 각각 접속된 소오스전극 및 드레인전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 디모스(dmos) 트랜지스터
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 드레인과 상기 고농도의 매몰 불순물층을 연결시키도록 형성된 제2 도전형의 싱크(sink)영역더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제2 도전형은 n형이며,상기 드레인, 고농도의 매몰 불순물층,및싱크영역불순물의농도인것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 드레인의 하부에,상기 고농도의 매몰 불순물층을 감싸는모양의저농도의매몰불순물층더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제2 도전형의 반도체영역은,제2도전형의에피택셜층인것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제2 도전형의 반도체영역은,제2 도전형의 웰 영역과, 상기 웰의 상부에 형성된제2도전형의에피택셜층으로이루어진것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 바디영역의 하부에,상기 바디영역의 바닥면과 접촉하도록 형성된고농도의제1 도전형의제1불순물영역더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 드레인과 소오스 사이의 상기 반도체영역의 표면에는 필드산화막이 형성되어 있으며, 상기 필드산화막의 하부에는, 소자의 내압특성을 향상시키기 위한제1 도전형의제2불순물영역더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 바디영역 내에,상기 소오스와 인접하며, 상기 바디영역보다 불순물의 농도가 높은제1 도전형의제3불순물영역더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 드레인 양측의 상기 필드산화막 상에,상기 드레인의 가장자리에 전계가 집중되는 것을 방지하기 위한 필드 플레이트(field plate) 역할을 하는도전막패턴더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 11]
제1 도전형의 반도체기판;
상기 반도체기판에 형성된 제2 도전형의 반도체영역
상기 반도체영역 내에 형성된 제2 도전형의 드레인
상기 반도체영역과 소정거리 이격된 반도체기판에 형성된 제1 도전형의 바디영역(body region)
상기 바디영역 내에 형성된 제2 도전형의 소오스
상기 바디영역의 하부에, 상기 바디영역의 바닥면과 접촉하도록 형성된 고농도의 제1 도전형의 제1 불순물영역
상기 반도체기판 상에, 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극; 및
상기 소오스 및 드레인과 각각 접속된 소오스전극 및 드레인전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 디모스(dmos) 트랜지스터
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 바디영역 내에,상기 소오스와 인접하며, 상기 바디영역보다 불순물의 농도가 높은제1 도전형의제3불순물영역더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 13]
제11항에 있어서,상기 드레인 하부의 상기 반도체영역 내에 형성된제2도전형의고농도의매몰불순물층더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 드레인과 상기 고농도의 매몰 불순물층을 연결시키도록 형성된 제2 도전형의 싱크(sink) 영역; 및상기 드레인의 하부에 형성되며, 상기 고농도의 매몰 불순물층을 감싸는모양의저농도의매몰불순물층더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 제2 도전형은 n형이며,상기 드레인, 고농도의 매몰 불순물층,및싱크영역불순물의농도인것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 16]
제11항에 있어서,상기 제2 도전형의 반도체영역은,제2도전형의에피택셜층인것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 17]
제11항에 있어서,상기 제2 도전형의 반도체영역은,제2 도전형의 웰 영역과, 상기 웰 영역의 상부에 형성된제2도전형의에피택셜층으로이루어진것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 18]
제11항에 있어서,상기 드레인과 소오스 사이의 상기 반도체영역의 표면에는 필드산화막이 형성되어 있으며, 상기 필드산화막의 하부에는, 소자의 내압특성을 향상시키기 위한제1 도전형의제2불순물영역더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
[청구항 19]
제11항에 있어서,상기 드레인 양측의 상기 필드산화막 상에,상기 드레인의 가장자리에 전계가 집중되는 것을 방지하기 위한 필드 플레이트(field plate) 역할을 하는도전막패턴더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전력 디모스(dmos) 트랜지스터에서 드레인의 가장자리에 전계가 집중되는 것을 방지하기 위해 필드 플레이트(field plate) 역할을 수행하는 구성 요소는 무엇이며, 해당 요소는 어디에 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation전력 디모스 트랜지스터에서 드레인 가장자리의 전계 집중을 방지하는 필드 플레이트 역할을 하는 구성 요소와 그 형성 위치를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 10(및 19)에서 필드 플레이트 역할을 하는 구성 요소와 위치에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 드레인 양측의 상기 필드산화막 상에,상기 드레인의 가장자리에 전계가 집중되는 것을 방지하기 위한 필드 플레이트(field plate) 역할을 하는도전막패턴더구비하는것을특징으로 하는전력 디모스(dmos) 트랜지스터
-
3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 '도전막패턴'과 위치인 '드레인 양측의 필드산화막 상'을 선택한다.
- 상기 드레인 양측의 상기 필드산화막 상에,상기 드레인의 가장자리에 전계가 집중되는 것을 방지하기 위한 필드 플레이트(field plate) 역할을 하는도전막패턴
-
4논리 통합
logical_integration필드 플레이트 역할을 수행하는 요소는 '도전막패턴'이며, 이는 '드레인 양측의 필드산화막 상'에 형성됨을 연결한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation추출된 정보를 바탕으로 구성 요소는 도전막패턴, 위치는 드레인 양측의 필드산화막 상임을 결론짓는다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변을 추출 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
도전막패턴, 드레인 양측의 필드산화막 상
핵심 해석 (core_interpretation)
드레인 가장자리의 전계 집중을 완화하여 소자의 신뢰성을 높이기 위해, 필드산화막 상에 도전막패턴을 형성하여 필드 플레이트 역할을 수행하도록 한다.