고전력 금속산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 document_id 1019980033624

[청구항 1] 드레인역할을 하는 제1도전형의 반도체 기판 상기 반도체 기판위에 형성되어 있고, 상기 반도체 기판보다 저농도인 제1도전형의 에피택셜층 상기 에피택셜층내의 상기 에피택셜층의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태로 형성되어 있는 제2도전형의 바디 영역 상기 바디 영역내의 상기 바디 영역의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태로 형성되어 있는 한 쌍의 제1도전형의 소스 영역 상기 에피택셜층위의 상기 소스영역들의 일부 및 채널이 형성되는 바디영역의 위에 형성되어 있는 게이트절연막 상기 게이트절연막위 에 형성되어 있는 게이트도전막 상기 게이트도전막의 윗면과 측면을 감싸면서 형성되어 있는 절연막; 및 상기 절연막이 덮혀 있지 않는 상기 소스영역들 및 바디 영역의 위에 형성되어 있는 소스 콘택을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전력 mosfet [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 바디영역은 두가지의 도핑 프로파일을 가지며, 상기 바디 영역내의 상기 채널이 형성되는 영역은 얕은 접합깊이 및 저농도 도핑농도를 가지며, 상기 바디 영역내의 상기 소스영역들의 아래영역과 상기 소스영역들 사이의 중앙영역은 깊은 접합깊이를 가지며 상기 채널이 형성되는 영역보다 상대적으로 고농도도핑농도가지는것을특징으로 하는고전력 mosfet. [청구항 3] 드레인역할을 하는 제1도전형의 반도체 기판 상기 반도체 기판위에 형성되어 있고, 상기 반도체 기판보다 저농도인 제1도전형의 에피택셜층 상기 에피택셜층내의 상기 에피택셜층의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태로 형성되어 있는 제2도전형의 바디 영역 상기 바디 영역내의 상기 바디 영역의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태로 형성되어 있는 한 쌍의 제1도전형의 소스 영역 상기 에피택셜층위의 상기 소스영역들의 일부 및 채널이 형성되는 바디영역의 위에 형성되어 있는 게이트절연막 상기 게이트절연막위 에 형성되어 있는 게이트도전막 상기 게이트도전막의 윗면과 측면을 감싸면서 형성되어 있는 절연막 상기 절연막이 덮혀 있지 않는 상기 소스영역들 및 바디 영역의 위에 형성되어 있는 소스 콘택; 및 상기 에피택셜층에 상기 소스영역이 형성되어 있지 않는 제2도전형의 상기 바디 영역을 갖는 역방향 과잉전류 바이패스 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전력 mosfet [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 바디영역은 두가지의 도핑 프로파일을 가지며, 상기 바디 영역내의 상기 채널로 동작되는 영역은 얕은 접합깊이 및 저농도 도핑농도를 가지며, 상기 바디 영역내의 상기 소스영역들이 형성되는 영역과 상기 소스영역들 사이의 중앙영역은 깊은 접합깊이를 가지며 상기 채널이 형성되는 영역보다 상대적으로 고농도도핑농도가지는것을특징으로 하는고전력 mosfet. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 역방향 과잉전류 바이패스 영역을 이루는 상기 바디 영역은 상기 채널이 형성되는 바디 영역에 비해 상대적으로 고농도도핑농도가지는것을특징으로 하는고전력 mosfet. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 역방향 과잉전류 바이패스 영역의 측면의 접합 깊이는 상기 소스영역이 형성되어 있는상기바디영역의측면의접합깊이일치하는것을특징으로 하는고전력 mosfet. [청구항 7] 제3항, 제4항, 제5항, 또는 제6항에 있어서,상기 역방향 과잉전류 바이패스 영역은 소스본딩패드영역 및 활성영역이 끝나는모서리부분형성되어있는것을특징으로 하는고전력 mosfet. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 활성영역이 끝나는 모서리 영역은 활성영역과 터미네이션 영역이 만나는 부분,게이트본딩 패드주변및게이트 버스라인주위등포함하는것을특징으로 하는고전력 mosfet.