문맥 (context)
[청구항 22]
제 21 항에 있어서,상기 보호 코팅층은 포토레지스트, 빛활성화합물(pac)을 포함하지 않는 포토레지스트, 및 스핀 온 유리(sog)로 된 군선택되는반도체 웨이퍼.
[청구항 23]
제 22 항에 있어서,상기 보호 코팅층은 포토레지스트이고 상기 동을 제거하는 프로세스는 상기 포토레지스트를 패터닝하여 상기 상부면 에지 및 측면으로부터 포토레지스트를 제거하는 공정포함하는반도체 웨이퍼.
[청구항 24]
제 23 항에 있어서,상기 웨이퍼는 디스크이고 스핀 척 및 적어도 1개의 포토레지스트 에칭액 분무 노즐을 갖는 에지 비드 제거(ebr) 공구가 상기 웨이퍼 디스크를 회전시켜 상기 상부면위의 상기 측면으로부터 약 8mm의 범위내에 포토레지스트 에칭액을 분무하도록 제공되어, 상기 포토레지스트가 상기 웨이퍼의 측면 및 상부면 에지를 노출하도록패터닝되는반도체 웨이퍼.
[청구항 25]
제 24 항에 있어서,상기 웨이퍼는 적어도 1개의 똑바른 상부면 에지 및 측면을 포함하고, 상기 포토레지스트를 패터닝하는 프로세스는 포토레지스트 현상액을 분무하기 전에, 상기 웨이퍼의 상부면에 근접하게 배치되는 쉐도우마스크를 통해서 상기 포토레지스트를 노광하여, 상기 포토레지스트의 노광 부분을 화학적으로 변화시키는 공정포함하는반도체 웨이퍼.
[청구항 26]
제 23 항에 있어서,상기 포토레지스트를 분무하는 프로세스는 상기 포토레지스트를 약 95℃ 또는 그 미만의 온도로 약 60초 미만의 시간 동안 소성하는 공정을 포함하여, 상기 저온 프로세스에 의해 동의 산화가방지되는반도체 웨이퍼.
[청구항 27]
제 21 항에 있어서,상기 동에칭액은 약 30% 미만의 농도의 초산 용액으로서, 상기 동 혼입물이 저온에서 제거되어 산화가최소로 되는반도체 웨이퍼.
[청구항 30]
제 29 항에 있어서,적어도 1개의 위치가 상기 웨이퍼의 대략 중심 위에 있으며, 상기 웨이퍼에 비전해수를 분무하기 위한 제 3 용액 분무 노즐을 더 포함하여, 상기 비전해수를 이용하여 상기 웨이퍼로부터 에칭액 및 에칭액 화합물제거하는동 제거 시스템.
[청구항 31]
제 29 항에 있어서,적어도 1개의 위치가 대략 상기 웨이퍼의 외주상에 있으며, 상기 웨이퍼의 외주를 따라 상기 웨이퍼 상부면의 에지상에 보호 코팅 에칭액을 분무하는 제2 노즐을 더 포함하여, 상기 웨이퍼의 상부면으로 동 상호접속 구조를 마스크하는 보호 코팅이 상기 동에칭액을 분무하기 전에, 상기 상부면 에지 및 웨이퍼 측면제거되는동 제거 시스템.
[청구항 32]
제 31 항에 있어서,상기 웨이퍼가 상기 척상에 장착되어 있을 때, 상기 제 2 노즐이 상기 웨이퍼의 중심과 에지 사이의 복수의 위치들 사이에서 이동가능하고, 상기 제 2 노즐은 상기 웨이퍼의 중심과 에지 사이에서 이동하여, 상기 제 1 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼로부터 동을 제거한 후에, 상기 웨이퍼상에 남아 있는 보호 코팅완전히 제거하는동 제거 시스템.
[청구항 33]
제 31 항에 있어서,상기 체임버로부터 소정의 진공 상태에서 용액을 제거하기 위한 제 1 펌프더 포함하는동 제거 시스템.
[청구항 34]
제 31 항에 있어서,상기 보호 코팅 에칭액에 의해서 제거되는 상기 보호 코팅은 포토레지스트, 빛활성화합물(pac)을 포함하지 않는 포토레지스트, 및 스핀 온 유리(sog)로 된 군선택되는동 제거 시스템.
[청구항 35]
제 29 항에 있어서,상기 동에칭액은 약 30% 미만의 농도의 초산용액으로서, 동을 저온에서 제거하여 산화가최소로 되는동 제거 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
포토레지스트를 보호 코팅층으로 사용하는 반도체 웨이퍼에서, 동의 산화를 방지하기 위해 수행되는 저온 프로세스의 구체적인 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation포토레지스트를 보호 코팅층으로 사용하는 반도체 웨이퍼에서 동의 산화를 방지하기 위한 저온 프로세스의 구체적인 조건을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 26에서 포토레지스트를 소성하는 프로세스와 저온 프로세스에 의한 동의 산화 방지에 관한 내용을 확인한다.
- 상기 포토레지스트를 분무하는 프로세스는 상기 포토레지스트를 약 95℃ 또는 그 미만의 온도로 약 60초 미만의 시간 동안 소성하는 공정을 포함하여, 상기 저온 프로세스에 의해 동의 산화가방지되는반도체 웨이퍼
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3근거 선택
evidence_selection저온 프로세스의 구체적 조건인 온도와 시간 정보를 포함하는 구절을 선택한다.
- 약 95℃ 또는 그 미만의 온도로 약 60초 미만의 시간 동안 소성하는 공정을 포함
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4논리 통합
logical_integration추출된 온도(95℃ 미만)와 시간(60초 미만) 조건이 동의 산화를 방지하는 저온 프로세스의 조건임을 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 온도와 시간 조건을 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation확정된 조건인 '약 95℃ 또는 그 미만의 온도로 약 60초 미만의 시간 동안 소성하는 공정'을 최종 답변으로 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
약 95℃ 또는 그 미만의 온도로 약 60초 미만의 시간 동안 소성하는 공정
핵심 해석 (core_interpretation)
포토레지스트를 보호 코팅층으로 사용하는 반도체 웨이퍼 공정에서, 동의 산화를 방지하기 위해 포토레지스트를 95℃ 미만의 저온에서 60초 미만 동안 소성하는 조건을 제공한다.