다마신 공정으로 형성된 도전성 배선을 구비하는 반도체장치 및그 제조방법 document_id 1019980050455

[청구항 1] 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있으면서 상기 기판의 소정영역을 노출시키는 접촉홀을 갖는 제1 물질막 패턴 상기 제1 물질막 패턴 상에 형성된 식각저지막 패턴 상기 식각저지막 패턴 상에 형성되어 있고 상기 콘택홀과 그 둘레의 상기 식가저지막 패턴을 노출시키는 창(window)을 갖는 제2 물질막 패턴 상기 제2 물질막 패턴 상에 형성된 마스크층 패턴; 및 상기 콘택홀과 창에 채워진 도전성 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선을 구비하는 반도체 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기제1 및 제2 물질막은 각각 저유전율을 갖는 물질막인 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,유전율을 갖는 물질막은 유기계 폴리머막인 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 유기계 폴리머막은 비정질 탄화수소물질(α-c:h)막 , 비정질 탄화불소물질(α-c:f)막, 폴리 아릴린(polyarylene)막, 폴리아릴에테르(polyarylether)막, 플루오르화된 폴리아릴에테르(fluoronated polyarylether)막 및 bcb막으로 이루어진 군중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 마스크층 패턴 및 식각저지막은 상기 제1 및 제2 물질막보다 식각율이 낮은 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기제1 및 제2 물질막보다 식각율이 낮은 물질은 sin 또는 sion인 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 콘택홀 및 창의 내면과 상기 도전성 배선 사이에 장벽층(barrier layer)이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 장벽층은 금속 나이트라이드층 또는 실리사이드층인 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 9] 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 도전성 배선은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 금(au), 은(ag), 텅스텐 및 몰리브데늄(mo)으로 이루어진 군중 선택된 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 10] (a) 기판 상에 제1 물질막, 식각저지막 및 제2 물질막을 순차적으로 형성하는 단계 (b) 상기 제2 물질막 상에 다층 마스크를 형성하는 단계 (c) 상기 다층 마스크를 패터닝하여 상기 제2 물질막을 노출시키는 단계 (d) 상기 패터닝된 다층 마스크를 식각마스크로 사용하여 상기 제1 물질막에 상기 기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 동시에 상기 제2 물질막에 상기 콘택홀과 그 둘레의 상기 식각저지막을 노출시키는 창을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 콘택홀 및 창에 평탄화된 도전성 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선을 구비하는 반도체 장치 [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기(b) 단계는(b1) 상기 제2 물질막 상에 상기 식각저지막과 동일한 식각율을 갖는 제1 마스크층을 형성하는 단계;(b2) 상기 제1 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 물질막과 동일한 식각율을 갖는 제2 마스크층을 형성하는 단계; 및 (b3) 상기 제2 마스크층 상에 상기 제1 및 제2 마스크층과 동일한 식각 성질을 갖는 제3 및 제4 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기(c) 단계는,(c1) 상기 제4 마스크층 상에 상기 제4 마스크층의 소정영역을 노출시키는 노출시키는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계;(c2) 상기 제1 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제4 마스크층의 노출된 영역과 그 아래의 상기 제3 마스크층을 상기 제2 마스크층이 노출될 때 까지 이방성식각하는 단계;(c3) 상기 제1 감광막 패턴을 제거하는 단계;(c4) 상기 제1 감광막 패턴이 제거된 결과물 상에 상기 제3 및 제4 마스크층 패턴을 완전히 덮고 상기 제2 마스크층의 노출된 부분의 일부를 노출시키는 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계;(c5) 상기 제2 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 마스크층의 노출된 부분을 제거함으로써 상기 제1 마스크층을 노출시키는 단계;(c6) 상기 제2 감광막 패턴을 제거하는 단계; 및 (c7) 상기 제2 마스크층을 식각마스크로 사용하여 상기 제1 마스크층의 노출된 부분을 상기 제2 물질막이 노출될 때 까지 이방성식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치. [청구항 13] 제 10 항에 있어서,상기(d) 단계는,(d1) 상기 제2 물질막의 노출된 부분을 식각하여 그 아래의 상기 식각저지막을 노출시킴과 동시에 상기 제4 마스크 패턴 및 상기 제2 마스크 패턴의 노출된 부분을 제거하는 단계;(d2)상기 식각저지막의 노출된 부분을 제거하여 그 아래의 상기 제1 물질막을 노출시킴과 동시에 상기 제3 마스크 패턴 및 상기 제1 마스크 패턴의 노출된 부분을 제거하는 단계; 및 (d3) 상기 제1 마스크 패턴이 제거됨으로써 노출되는 상기 제2 물질막의 노출된 부분과 상기 제1 물질막의 노출된 부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선구비하는반도체 장치.