문맥 (context)
[청구항 1]
기판 위에 형성된 게이트전극과
상기 게이트전극 위에 형성된 절연층과
상기 게이트전극 위에 형성되고, 서로 소정간격 대응되어 형성된 소스전극 및 드레인전극과
상기 소스전극 및 드레인전극 위에 형성되고, 상기 소스전극과 드레인전극에 각각 평면적으로 겹쳐 형성된 옴익콘택층과
상기 각 옴익콘택층과, 옴익콘택층 사이에 노출된 절연층위에 형성되고 피사체로부터 입사된 빛을 받아 광전류를 유발하는 반도체층과
상기 반도체층 위에 형성된 보호층
을 포함하는 센서 박막트랜지스터
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 반도체층은 수소를 포함한 아몰퍼스실리콘형성된센서 박막트랜지스터.
[청구항 5]
기판 위에 형성되는 게이트전극과
상기 게이트전극 위에 형성된 절연층과
상기 절연층 위에 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성된 제 1 반도체층과
상기 제 1 반도체층 위에 서로 소정간격 대응되어 형성된 제 1 옴익콘택층 과
상기 제 1 옴익콘택층 위에 형성되고, 상기 제 1 옴익콘택층에 각각 평면적으로 겹쳐 형성된 소스전극 및 드레인전극과
상기 소스전극 및 드레인전극 위에 형성되고, 상기 소스전극과 드레인전극에 각각 평면적으로 겹쳐 형성된 제 2 옴익콘택층과
상기 서로 소정간격 대응되어 형성된 제 2 옴익콘택층과 상기 제 2 옴익콘택층사이에 노출된 제 1 반도체층 위에 형성된 제 2 반도체층과
상기 제 2 반도체층 위에 형성된 보호층
을 포함하는 센서박막트랜지스터
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 제 1 반도체층과 제 2 반도체층은 수소를 포함한 아몰퍼스 실리콘형성된센서 박막트랜지스터.
[청구항 9]
게이트전극과, 드레인전극 및 소스전극과, 상기 소스전극과 드레인전극 위에 형성되고, 피사체에 반사되어 입사되는 빛을 받아 광전류를 발생시키는 반도체층과, 보호층을 포함하는 센서부와
상기 센서부의 드레인전극과 연결되어 상기 센서부의 광전류를 충전하는 충전부와
상기 충전부와 연결되고, 충전부의 전하를 제어신호에 따라 외부로 방출하는 스윗칭부
를 포함하는 이미지소자
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 반도체층은 수소를 포함한 아몰퍼스 실리콘형성된이미지소자.
[청구항 11]
게이트전극과, 피사체에 반사되어 입사된 빛을 받아 광전류를 발생시키는 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과
상기 제 1 반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하고 서로 소정간격 대응하여 형성된 소스전극 및 드레인전극과
상기 제 2 반도체층 위에 형성된 보호층을 포함하는 센서부와
상기 센서부의 드레인전극과 연결되어 상기 센서부의 광전류를 충전하는 충전부와
상기 충전부와 연결되어 있고, 충전부의 전하를 선택적으로 방출하는 스윗칭부
를 포함하는 이미지소자
[청구항 12]
제 11항에 있어서,상기 제 1 반도체층과 제 2 반도체층은 수소를 포함한 아몰퍼스 실리콘형성된이미지소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 11항에 따른 이미지소자의 센서부 구성 요소 중, 제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이에 위치하며 서로 소정간격 대응하여 형성되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 11항의 센서부 구성 요소 중 제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이에 위치하며 소정간격 대응하여 형성된 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11항에서 제 1 반도체층, 제 2 반도체층, 그리고 그 사이의 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 상기 제 1 반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하고 서로 소정간격 대응하여 형성된 소스전극 및 드레인전극
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 위치(제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이)와 형성 방식(소정간격 대응)에 부합하는 구절을 선택한다.
- 상기 제 1 반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하고 서로 소정간격 대응하여 형성된 소스전극 및 드레인전극
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 통해 제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이에 위치하는 구성 요소가 소스전극 및 드레인전극임을 확인한다.
- 상기 제 1 반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하고 서로 소정간격 대응하여 형성된 소스전극 및 드레인전극
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '소스전극 및 드레인전극'을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
소스전극 및 드레인전극을 제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이에 배치시켜 서로 소정간격 대응하도록 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이미지소자의 센서부에서 제 1 반도체층과 제 2 반도체층 사이에 소스전극 및 드레인전극을 배치하여 광전류를 발생시키는 구조를 정의한다.