문맥 (context)
[청구항 1]
기판 위에 형성된 블랙매트릭스와
상기 블랙매트릭스 위에 형성된 절연층과
상기 절연층 위에 아일랜드형태로 형성된 반도체층과
상기 반도체층 위에 서로 소정간격 대응되어 형성된 옴익콘택층과
상기 옴익콘택층 위에 형성되고, 상기 옴익콘택층과 각각 평면적으로 겹쳐 형성되는 소스전극 및 드레인전극과
상기 소스/드레인전극과 상기 소스전극 과 드레인전극 사이에 노출된 반도체층 위에 형성된 보호층과
상기 보호층 위에 형성되고, 상기 반도체층의 표면에 캐리어를 유도하는 게이트전극
을 포함하는 센서 박막트랜지스터
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 게이트전극은 인듐-틴-옥사이드(ito), 산화주석(sno2), 티타늄옥사이드(tio)의투명도전성물질중선택된하나인센서 박막트랜지스터.
[청구항 5]
기판위에 형성된 제 1 게이트전극과
상기 제 1 게이트전극 위에 형성된 절연층과
상기 절연층 위에 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성된 반도체층과
상기 반도체층 위에 서로 소정간격 대응되어 형성된 옴익 콘택층과
상기 옴익콘택층위에 형성되고, 상기 옴익콘택층과 평면적으로 겹쳐 형성된 소스전극 및 드레인전극과
상기 소스/드레인전극과 상기 소스전극과 드레인전극 사이에 노출된 반도체층 위에 형성된 보호층과
상기 보호층위에 형성되고, 상기 반도체층의 표면에 캐리어를 유도하는 제 2 게이트전극을 포함하는 센서 박막트랜지스터
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 제 2 게이트전극은 인듐-틴-옥사이드(ito), 산화주석(sno2), 티타늄옥사이드(tio)의투명도전성물질중선택된하나인센서 박막트랜지스터.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 게이트전극은 인듐-틴-옥사이드(ito), 산화주석(sno2), 티타늄옥사이드(tio)의투명도전성물질중선택된하나인이미지소자.
[청구항 12]
제 11항에 있어서,상기 제 2 게이트전극은 인듐-틴-옥사이드(ito), 산화주석(sno2), 티타늄옥사이드(tio)의투명도전성물질중선택된하나인이미지소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 센서 박막트랜지스터에서 반도체층의 표면에 캐리어를 유도하는 역할을 수행하는 구성요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 1에서 반도체층 표면에 캐리어를 유도하는 기능을 수행하는 구성요소를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 1의 구성요소 중 '반도체층의 표면에 캐리어를 유도하는'이라는 기능적 설명이 포함된 구절을 추출한다.
- 상기 보호층 위에 형성되고, 상기 반도체층의 표면에 캐리어를 유도하는 게이트전극
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 기능과 직접적으로 연결된 '게이트전극' 구절을 선택한다.
- 상기 반도체층의 표면에 캐리어를 유도하는 게이트전극
-
4논리 통합
logical_integration문맥상 '캐리어를 유도하는' 주체는 해당 기능이 기술된 '게이트전극'임을 확인할 수 있다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation반도체층 표면에 캐리어를 유도하는 구성요소는 게이트전극이다.
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정답인 '게이트전극'을 최종 답변으로 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
게이트전극
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명의 센서 박막트랜지스터는 보호층 위에 형성된 게이트전극을 통해 반도체층 표면에 캐리어를 유도함으로써 소자의 동작을 제어한다.