문맥 (context)
[청구항 1]
실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판 상에 형성된 매몰산화막 및 상기 매몰산화막 상에 형성된 실리콘층으로 이루어지는 에스·오·아이 웨이퍼
상기 실리콘층 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 하부에 채널 영역이 유기되도록 상기 실리콘층 내에 형성된 소오스/드레인 영역으로 이루어지는 모스팻
상기 실리콘 기판의 일측 표면에 상기 매몰산화막과 콘택되도록 형성된 전도층; 및
상기 전도층과 상기 채널 영역이 전기적으로 연결되도록 상기 매몰산화막을 관통하여 형성된 전도성의 콘택층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 완전 공핍형 에스·오·아이 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 소오스/드레인 영역은 상기 매몰산화막과 콘택되도록형성된것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 실리콘층에 그의 활성 영역을 한정하는소자분리막형성되어있는것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 소자분리막은 상기 매몰산화막과 콘택되도록형성된것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 전도층은 붕소(b) 이온, 또는, 인(p) 이온으로 이루어진이온층인것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 전도층은 상기 실리콘 기판의 일측 표면에 매립된형태형성된것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 전도층은 도핑된폴리실리콘 패턴인것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 도핑된 폴리실리콘 패턴을 포함하여 상기 실리콘 기판 상에 표면 평탄화가 이루어진평탄화막더형성된것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 콘택층은 도핑된단결정 실리콘인것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 콘택층은 상기 매몰산화막 내에 이격되어 두개형성된것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 11]
제 1 항에 있어서,상기 실리콘층에 소오스/드레인 영역과 접하고, 상기 소오스/드레인 영역과는 반대 도전형인불순물영역더형성된것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 불순물 영역은 상기 콘택층을 통해상기전도층연결된것을특징으로 하는완전 공핍형 에스·오·아이 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
완전 공핍형 에스·오·아이 소자에서 전도층과 채널 영역을 전기적으로 연결하기 위해 매몰산화막을 관통하여 형성되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation완전 공핍형 에스·오·아이 소자에서 전도층과 채널 영역을 전기적으로 연결하기 위해 매몰산화막을 관통하는 구성 요소를 찾는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 전도층, 채널 영역, 매몰산화막, 그리고 이들을 연결하는 구성 요소에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 전도층과 상기 채널 영역이 전기적으로 연결되도록 상기 매몰산화막을 관통하여 형성된 전도성의 콘택층
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '전기적 연결'과 '매몰산화막 관통' 조건에 부합하는 구절을 선택한다.
- 상기 전도층과 상기 채널 영역이 전기적으로 연결되도록 상기 매몰산화막을 관통하여 형성된 전도성의 콘택층
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4논리 통합
logical_integration전도층과 채널 영역 사이의 전기적 연결을 위해 매몰산화막을 관통하여 형성된 구성 요소는 '전도성의 콘택층'임을 확인한다.
- 상기 전도층과 상기 채널 영역이 전기적으로 연결되도록 상기 매몰산화막을 관통하여 형성된 전도성의 콘택층
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '전도성의 콘택층'을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
전도성의 콘택층을 매몰산화막을 관통하도록 형성하여 전도층과 채널 영역을 전기적으로 연결한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 매몰산화막을 관통하는 전도성의 콘택층을 통해 실리콘 기판의 전도층과 실리콘층의 채널 영역을 전기적으로 연결하는 완전 공핍형 에스·오·아이 소자에 관한 것이다.