마이크로일렉트로닉스웨이퍼물질표면세척방법 document_id 1019980704380

[청구항 1] 알칼리의 수용성용액과, 자유염기-금속이온 그리고 2 내지 10의 -oh그룹을 포함하는 폴리하이드록시 복합물로 구성되고 상기 폴리하이드록시 복합물은 다음식을 가지며 ho - z - oh, 상기 식에서 -z-는 -r-, -(-r 1 -o-) x -r 2 - 또는 -r 3 - 이며 상기 │ (oh)y -r-, -r 1 -, -r 2 - 그리고 -r 3 -는 알킬렌 라디칼이고, x는 전체 정수의 수가 1 내지 4, y는 전체정수의 수가 1 내지 8, 복합물에서 탄소원자의 수는 10을 초과하지 않으며, 그리고 수용성용액내에 존재하는 물은 최소한 조성물 중량의 약 40%를 포함되도록 구성되는 세척조성물과, 상기 세척조성물내에서 웨이퍼 표면물질을 세척하기위해 충분한 온도와 시간동안 상기 웨이퍼표면물질이 상기 세척조성물과 접촉되도록 하는 과정과, 상기 웨이퍼물질 표면평활도를 유지하는 동안 금속오염을 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척을 위한 프로세스 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 세척조성물에 있어 중량에 의해 25%의 양까지 존재하고, 상기 폴리하이드록시 복합물은 세척조성물에 있어 중량에 의해 약 50%의 양까지 존재함을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 세척조성물에 있어 중량에 의해 약 0.05% 내지 약 10%의 양까지 존재하고, 상기 폴리하이드록시 복합물은 세척조성물에 있어 중량에 의해 약 5% 내지 약 40%의 양까지 존재함을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 세척조성물에는 금속 킬레이트복합물이 세척조성물 중량의 약 0.01 내지 약 5%의 양까지 더 포함함을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은, 수산화암모늄과, 또는 알킬그룹이 치환되지않는 알킬그룹이거나 수산기 또는 알콕시라디칼 그리고 이들의 혼합물로 치환되는 알킬그룹을 갖는 테트라알킬수산화암모늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은, 테트라메틸수산화암모늄, 테트라에틸수산화암모늄, 트리메틸-2-하이드록시에틸 수산화암모늄, 수산화암모늄 그리고 이들의 혼합물로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 7] 제 2 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 알칸올아민임을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 8] 제 2 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 알칸 디아민임을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 폴리하이드록시복합물은, 한센 수소결합 용해성척도가 7.5cal1/2cm-3/2보다 더 큰 고도의 친수성인 알칸 디올과 그리고 비시날 알칸폴리올로 이루어지는 그룹으로 부터 선택됨을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 폴리하이드록시복합물은, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 테트라프로필렌글리콜, 2-메틸-2,4-펜탄디올 그리고 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 알칸디올임을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 폴리하이드록시복합물은, 만니톨, 에리트리톨, 소비톨, 자일리톨, 아도니톨, 글리세롤 그리고 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 그룹에서 선택되는 비시날 알칸 폴리올임을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 12] 제 4 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.07중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 0.50중량%의 수산화암모늄용액, 약 36중량%의 디에틸렌글리콜, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는 수용성용액으로 구성됨을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 13] 제 4 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.07중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 2.5중량%의 수산화암모늄, 에틸렌글리콜과 디에틸렌글리콜로 구성되는 그룹에서 선택된 약 35중량%의 글리콜, 약 0.08중량%의 빙초산, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는 수용성용액으로 구성됨을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 14] 제 2 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.5중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 4중량%의 1,3-펜탄디아민, 약 50중량%의 디에틸렌글리콜, 약 1중량%의 아세트산, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는 수용성용액으로 구성됨을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 15] 제 2 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.5중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 4중량%의 1,3-펜탄디아민, 약 50중량%의 디에틸렌글리콜, 약 0.6중량%의 염산, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는 수용성용액으로 구성됨을 특징으로 하는 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척위한프로세스. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 상기 세척조성물내에서 25중량%의 양까지이고, 상기 폴리하이드록시복합물은 세척조성물의 약 50중량%양존재함을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면세척용 세척조성물. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 약 0.05중량% 내지 10중량%의 양까지이고, 상기 폴리하이드록시복합물은 약 5중량% 내지 약 40중량%까지의양존재함을특징으로 하는마이트로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면세척용 세척조성물. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 세척조성물에는 금속 킬레이트복합물이 세척조성물 중량의 약 0.01 내지 약 5%의양더포함함을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 20] 제 17 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은, 수산화암모늄과, 또는 알킬그룹이 치환되지않는 알킬그룹이거나 수산기 또는 알콕시라디칼 그리고 이들의 혼합물로 치환되는 알킬그룹을 갖는 테트라알킬수산화암모늄으로 구성되는그룹선택됨을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은, 테트라메틸수산화암모늄, 테트라에틸수산화암모늄, 트리메틸-2-하이드록시에틸 수산화암모늄, 수산화암모늄 그리고 이들의 혼합물로 구성되는그룹선택됨을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 22] 제 17 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 알칸올아민특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 23] 제 16 항에 있어서,상기 알칼리와 자유염기-금속이온은 알칸 디아민특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 24] 제 16 항에 있어서,상기 폴리하이드록시복합물은, 한센 수소결합 용해성척도가 7.5cal1/2cm-3/2보다 더 큰 고도의 친수성인 알칸 디올과 그리고 비시날 알칸폴리올로 이루어지는 그룹으로부터선택됨을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 폴리하이드록시복합물은, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 테트라프로필렌글리콜, 2-메틸-2,4-펜탄디올 그리고 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 알칸디올특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 26] 제 24 항에 있어서,상기 폴리하이드록시복합물은, 만니톨, 에리트리톨, 소비톨, 자일리톨, 아도니톨, 글리세롤 그리고 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 그룹에서 선택되는 비시날 알칸 폴리올특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물 [청구항 27] 제 19 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.07중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 0.50중량%의 수산화암모늄, 약 36중량%의 디에틸렌글리콜, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는수용성용액구성됨을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 28] 제 19 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.07중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 2.5중량%의 수산화암모늄, 에틸렌글리콜과 디에틸렌글리콜로 구성되는 그룹에서 선택된 약 35중량%의 글리콜, 약 0.08중량%의 빙초산, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는수용성용액구성됨을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 29] 제 17 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.5중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 4중량%의 1,3-펜탄디아민, 약 50중량%의 디에틸렌글리콜, 약 1중량%의 아세트산, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는수용성용액구성됨을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물. [청구항 30] 제 17 항에 있어서,상기 세척조성물은, 약 0.5중량%의 테트라메틸수산화암모늄, 약 4중량%의 1,3-펜탄디아민, 약 50중량%의 디에틸렌글리콜, 약 0.6중량%의 염산, 약 0.09중량%의 에틸렌디아민테트라 아세트산 그리고 물로 이루어지는 잔유물발란스를 포함하는수용성용액구성됨을특징으로 하는마이크로일렉트로닉스 웨이퍼물질 표면 세척용 세척조성물.