탄화실리콘금속-절연체반도체전계효과트랜지스터 document_id 1019980709957

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기p형 탄화실리콘 베이스층은, 상기 베이스층의 뒷면 공핍을 방지하면서 상기 트랜지스터의 온 상태 저항을 감소하기 위하여 선택된 상기 탄화실리콘 베이스층의 캐리어농도및상기탄화실리콘 베이스층의두께중최소한하나구비하는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계효과 트랜지스터. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기p형 탄화실리콘 베이스층의 두께는, 상기 탄화실리콘 표동층내에 형성된 상기 p형 탄화실리콘 영역들을 갖지 않는 상응하는 탄화실리콘 전계효과 트랜지스터에서의 뒷면 공핍을 방지하기 위하여 필요한 두께보다 작은두께갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계효과 트랜지스터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기p형 탄화실리콘 베이스층은 약 5㎛보다 적은두께갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계효과 트랜지스터. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기p형 탄화실리콘 베이스층은 약 2×1018㎝-3보다 적은캐리어농도갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계효과 트랜지스터. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제2 에피택셜층은 약 5㎛보다 적은두께갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 제2 에피택셜층은 약 2×1018㎝-3보다 작은캐리어농도갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 트랜지스터의 단위셀. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 절연층은산화층으로이루어지는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기n형영역들은 상기 제2 에피택셜층위에 형성된 n형 탄화실리콘의 제3 에피택셜층으로 이루어지며, 상기 제2 에피택셜층의 맞은편에 상부표면을 가지며, 상기 제1 및 제2 트렌치는 상기 제3 및 제2 에피택셜층들을 통과하여아래확장되는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 12] 제6항에 있어서,상기 제1 에피택셜층과 상기 기판사이에 형성된 n형탄화실리콘의완충층더구비하는것을특징으로 하는금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제2 에피택셜층은 약 5㎛보다 적은두께갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 제2 에피택셜층은 약 2×1018㎝-3보다 작은캐리어농도갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 제1 에피택셜층과 상기 기판사이에 형성된 n도전형탄화실리콘의완충층더구비하는것을특징으로하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기n형영역들은 상기 제2에피택셜층위에 형성된 n형 탄화실리콘의 제3 에피택셜층으로 이루어지고, 상기 제2 에피택셜층의 반대편의 상부표면을 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 제1 및 상기 제2 트렌치는 상기 제3 및 상기 제2 에피택셜층들을 통과하여 아랫방향확장되는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 탄화실리콘은 4h탄화실리콘으로이루어지는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 제2 에피택셜층은 약 5㎛보다 적은두께갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 23] 제19항에 있어서,상기 절연층은산화층으로이루어지는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 24] 제19항에 있어서,상기 소오스 콘택 아래의 상기 제2 에피택셜층내에 형성된 p도전형 탄화실리콘의 제2 영역을 더 구비하고, 상기 p도전형 탄화실리콘의 제2 영역은 상기 제2 에피택셜층보다 더 높은캐리어농도갖는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 25] 제19항에 있어서,상기 탄화실리콘은 4h탄화실리콘으로이루어지는것을특징으로하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀. [청구항 26] 제19항에 있어서,상기 제1 에피택셜층과 상기 기판사이에 형성된 n도전형탄화실리콘의완충층더구비하는것을특징으로 하는탄화실리콘 금속-절연체 반도체 전계 효과 트랜지스터의 단위셀.