압전/전왜막의 저온성형방법 및 그 방법에 의해 성형된 압전/전왜막 document_id 1019990004285

[청구항 14] 제 13 항에 있어서,막을 성형하는 단계와 열처리하는 단계사이에 성형된 막을 건조하는단계를추가포함하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 성형된막건조하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 기판은 금속, 수지류의 고분자성 유기화합물 및 세라믹 중 선택된물질로이루어진것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 금속은 니켈(ni)또는스테인레스스틸인것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 18] 제 16 항에 있어서,상기 수지류의 고분자성 유기화합물은 폴리에스테르계,폴리이미드계또는테프론계수지인것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,상기 세라믹막은 산화알루미늄(al2o3), 산화지르코늄(zro2), 탄화규소(sic), 질화규소(si3n4), 이산화규소(sio2) 및 유리계 중 선택된물질로이루어진것특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 20] 제 13 항에 있어서,상기 세라믹페이스트를 기판에 적용하여 막을 성형할때프린팅법이용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 21] 제 13 항에 있어서,상기 세라믹페이스트를 기판에 적용하여 막을 성형할때몰딩법이용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 22] 제 13 항에 있어서,상기 세라믹페이스트를 기판에 적용하여 막을 성형할 때 딥코팅 또는 스핀코팅 혹은 스프레이코팅등과 같은코팅법이용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 23] 제 13 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물은 납(pb), 지르코늄(zr), 티타늄(ti)을 포함하는 성분으로 된 것을사용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 24] 제 13 항에 있어서,상기 성형된 막을 열처리하는온도하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,막을 성형하는 단계와 열처리하는 단계사이에 성형된 막을 건조하는단계를추가포함하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 성형된막건조하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 기판은 금속,수지류의고분자성유기화합물세라믹으로이루어진것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 금속은 니켈(ni)또는스테인레스스틸인것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 30] 제 28 항에 있어서,상기 수지류의 고분자성 유기화합물은 폴리에스테르계,폴리이미드계및테프론계수지중선택된것특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 31] 제 28 항에 있어서,상기 세라믹막은 산화알루미늄(al2o3), 산화지르코늄(zro2), 탄화규소(sic), 질화규소(si3n4), 이산화규소(sio2) 및 유리계 중 선택된물질로이루어진것특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 32] 제 25 항에 있어서,상기 세라믹페이스트를 기판에 적용하여 막을 성형할때프린팅법이용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 33] 제 25 항에 있어서,상기 세라믹페이스트를 기판에 적용하여 막을 성형할때몰딩법이용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 34] 제 25 항에 있어서,상기 세라믹페이스트를 기판에 적용하여 막을 성형할 때 딥코팅 또는 스핀코팅 혹은 스프레이코팅등과 같은코팅법이용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 35] 제 25 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물은 납(pb), 지르코늄(zr), 티타늄(ti)을 포함하는 성분으로 된 것을사용하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 36] 제 25 항에 있어서,상기 성형된 막을 열처리하는온도하는것을특징으로 하는압전/전왜막. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 제조된 초미세 세라믹산화물분말을 분산시키기 전에 700-900℃에서 추가로 열처리하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 전기영동증착법이용한압전/전왜 막형소자. [청구항 58] 제 56 항 또는 제 57 항에 있어서,상기 압전/전왜 막형소자를 성형하는 단계와 열처리하는 단계사이에 성형된 막을 건조하는단계를추가포함하는것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 59] 제 58 항에 있어서,상기 성형된막건조한것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 60] 제 56 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말의 입자크기가 0.01-0.1㎛인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 61] 제 56 항에 있어서,상기 기판은 금속,수지류의고분자성유기화합물세라믹인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 62] 제 61 항에 있어서,상기 금속은 니켈(ni)또는스테인레스 스틸인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 63] 제 61 항에 있어서,상기 수지류의 고분자성 유기화합물은 폴리에스테르계,폴리이미드계또는테프론계수지중선택된것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 64] 제 61 항에 있어서,상기 세라믹은 산화알루미늄(al2o3), 산화지르코늄(zro2),규소(si), 탄화규소(sic), 질화규소(si3n4), 이산화규소(sio2) 또는 유리(glass)계중선택된것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 65] 제 56 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물은 납(pb), 지르코늄(zr), 티타늄(ti)을 포함하는성분으로된것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 66] 제 65 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물은 pzt, pmn, 또는 그들의 고용체(pzt-pmn)복합산화물인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 67] 제 66 항에 있어서,상기 세라믹산화물분말은 니켈(ni), 란타늄(la), 바륨(ba), 아연(zn), 리튬(li), 코발트(co), 카드뮴(cd), 세륨(ce), 크롬(cr), 안티몬(sb), 철(fe), 이트륨(y), 탄탈(ta), 텅스텐(w), 스트론튬(sr), 칼슘(ca), 비스무스(bi), 주석(sn), 망간(mn) 중 하나 또는 그이상의성분을추가포함하는것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 68] 제 56 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말을 분산시키는 유기분산매로는알콜류또는아세톤류사용한것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 69] 제 56 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말을 분산시키는 유기분산매의 함량은세라믹산화물분말인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 70] 제 56 항에 있어서,상기 세라믹졸 용액의 베이스가 되는 유기용매는 아세트산, 디메틸포름아미드, 메톡시에탄올,알콜류또는글리콜류중선택된것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 71] 제 56 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말의 분산액과 상기 세라믹졸 용액은 세라믹졸 용액의 함량이 세라믹산화물분말에 대해 1-500중량부혼합된것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 72] 제 56 항에 있어서,상기 압전/전왜막형소자두께인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 73] 제 72 항에 있어서,상기 압전/전왜막형소자두께인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 74] 제 56 항에 있어서,상기 성형된 압전/전왜 막형소자를 열처리하는온도인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 76] 제 75 항에 있어서,상기 제조된 초미세 세라믹산화물분말을 분산시키기 전에 700-900℃에서 추가로 열처리하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 전기영동증착법이용한압전/전왜 막형소자. [청구항 77] 제 75 항 또는 제 76 항에 있어서,상기 압전/전왜 막형소자를 성형하는 단계와 열처리하는 단계사이에 성형된 막을 건조하는단계를추가포함하는것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 78] 제 77 항에 있어서,상기 성형된막건조한것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 79] 제 75 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말의 입자크기가 0.01-0.1㎛인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 80] 제 75 항에 있어서,상기 기판은 금속,수지류의고분자성유기화합물세라믹인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 81] 제 80 항에 있어서,상기 금속은 니켈(ni)또는스테인레스 스틸인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 82] 제 80 항에 있어서,상기 수지류의 고분자성 유기화합물은 폴리에스테르계, 폴리이미드계,또는테프론계수지중선택된것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 83] 제 80 항에 있어서,상기 세라믹은 산화알루미늄(al2o3), 산화지르코늄(zro2),규소(si), 탄화규소(sic), 질화규소(si3n4), 이산화규소(sio2) 또는 유리(glass)계중선택된것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 84] 제 75 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물은 납(pb), 지르코늄(zr), 티타늄(ti)을 포함하는성분으로된것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 85] 제 84 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물은 pzt, pmn, 또는 그들의 고용체(pzt-pmn)복합산화물인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 86] 제 85 항에 있어서,상기 세라믹산화물분말은 니켈(ni), 란타늄(la), 바륨(ba), 아연(zn), 리튬(li), 코발트(co), 카드뮴(cd), 세륨(ce), 크롬(cr), 안티몬(sb), 철(fe), 이트륨(y), 탄탈(ta), 텅스텐(w), 스트론튬(sr), 칼슘(ca), 비스무스(bi), 주석(sn), 망간(mn) 중 하나 또는 그이상의성분을추가포함하는것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 87] 제 75 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말을 분산시키는 유기분산매로는알콜류또는아세톤류사용한것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 88] 제 75 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말을 분산시키는 유기분산매의 함량은세라믹산화물분말인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 89] 제 75 항에 있어서,상기 세라믹졸 용액의 베이스가 되는 유기용매는 아세트산, 디메틸포름아미드, 메톡시에탄올,알콜류또는글리콜류중선택한것특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 90] 제 75 항에 있어서,상기 초미세 세라믹산화물분말의 분산액과 상기 세라믹졸 용액은 세라믹졸 용액의 함량이 세라믹산화물분말에 대해 1-500중량부혼합한것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 91] 제 75 항에 있어서,상기 압전/전왜막형소자두께인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 92] 제 91 항에 있어서,상기 압전/전왜막형소자두께인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자. [청구항 93] 제 75 항에 있어서,상기 성형된 압전/전왜 막형소자를 열처리하는온도인것을특징으로 하는압전/전왜 막형소자.