반도체 장치 및 그 제조방법 document_id 1019990005792

[청구항 32] 제 31 항에 있어서,상기 반도체 칩의 주면은, 제1 방향으로 연장되는 한쌍의 긴 변과, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 한쌍의 짧은 변을 가지는 직사각형이고, 상기 전원리드의 인너리드부에서의 제1 부분은, 상기 제1 방향으로 연장되는 부분과 상기 제1 방향에 대하여 비스듬히 연장되는 부분을 가지며,상기 복수의 제1 본딩와이어는, 상기 전원리드의 인너리드부에서의 상기 제1 방향으로 연장되는부분본드되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,상기 복수의 본딩패드는, 상기 전원리드의 인너리드부의 상기 제1 방향으로 연장되는 부분을 따라서배열되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 전원리드는전원전압리드인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 35] 제 33 항에 있어서,상기 전원리드는기준전압리드인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 36] 제 31 항에 있어서,상기 전원리드는 접착층에 의해 상기 반도체칩의 주면에 본드되어 있으며, 상기 접착층은열가소성접착제포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 37] 제 32 항에 있어서,상기 복수의 독립된 영역은, 상기 전원리드의 상기 제1 방향으로 연장되는부분각각해당하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 38] 제 32 항에 있어서,상기 복수의 독립된 영역은, 상기 전원리드의 상기 제1 방향으로 연장되는 부분 및 상기 제1 방향에 대하여 비스듬히 연장되는제2부분각각해당하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 39] 제 31 항에 있어서,상기 전원리드의 상기 제1 부분은, 상기 반도체 칩의 두께 방향에 있어서 상기 반도체 칩의 주면에 본드된 부분보다 상기 반도체 칩의 주면으로부터 더 이간된 부분을 가지고,상기 전원리드의 제1 부분의 이간된 부분과 상기 본드된 부분 사이에오프셋형성되는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 40] 제 39 항에 있어서,상기 전원리드의 제1 부분의 이간된 부분과 상기 신호리드의 제1 부분은, 상기 반도체 칩의 두께 방향에 있어서 상기 반도체 칩의 주면에서 실질적으로 동일한거리배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 전원리드는 상기 반도체 칩에 전원전압을 공급하는 제1 전원리드와, 상기 반도체 칩에 기준전압을 공급하는 제2 전원리드를 포함하고, 상기 제1 및 제2 전원리드는 상기 본딩패드를 사이에 두고 대향하도록각각배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 43] 제 41 항에 있어서,상기 신호리드와 상기 반도체 칩의 주면간의 거리는, 상기 전원리드와 상기 반도체 칩의 주면간의 거리보다 더 큰 것특징으로 하는반도체 장치. [청구항 44] 제 41 항에 있어서,상기 전원리드의 절곡부는,상기반도체 칩의단부내측배치되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 45] 제 41 항에 있어서,상기 반도체 칩의 단부에 대응하는 상기 전원리드 및 상기 신호리드부는, 상기 반도체 칩의 주면에서 10㎛이상이간하여있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 46] 제 41 항에 있어서,상기 접착층nan은열가소성접착제형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 47] 제 41 항에 있어서,상기 신호리드는 상기 전원리드보다 상기 본딩패드에서 더 떨어져 배치되고, 상기 신호리드를 상기 본딩패드에 전기적으로 연결하는 상기 본딩와이어는 상기 전원리드의 위를 지나연장되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 48] 제 41 항에 있어서,상기 전원리드는, 상기 반도체 칩의 주면에 평행한 평면내에서 구부러진절곡부각각갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 49] 제 41 항에 있어서,상기 반도체 칩의 주면은 보호막으로 코팅되고, 상기 전원리드에 전기적으로 연결된 전원배선이상기보호막하층에있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 50] 제 41 항에 있어서,와이어 본딩시에 상기 반도체 칩 상에 미칠 수 있는 충격을 흡수하기 위한 절연층이, 상기 본딩패드가 형성되는 영역을 제외한상기반도체 칩의주면상형성되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 51] 제 41 항에 있어서,상기 반도체 칩, 상기 전원리드의 인너리드부 및 상기 신호리드의 인너리드부는 수지패키지의 내부에 밀봉되고, 상기 전원리드의 아우터리드부 및 상기 신호리드의 아우터리드부는 상기 수지 패키지에서밖인출되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 53] 제 52 항에 있어서,상기 복수의 본딩패드를 따라 연장되는 리드는, 상기 반도체 칩에 전원전압을 공급하는 제1 전원리드에 연결된 제1 리드와, 상기 반도체 칩에 기준전압을 공급하는 제2 전원리드에 연결된 제2 리드를 포함하고, 상기 제1 및 제2 리드는 상기 본딩패드를 사이에 두고 대향하도록각각배치되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 54] 제 52 항에 있어서,돌기부가, 상기 본딩패드가 배열된 방향을 따라서 연장되는 리드의 일부에서 상기 본딩패드로부터 이간하는 방향으로 돌출하고, 상기 전원리드를 상기 본딩패드에 전기적으로 연결하는 상기 각각의 본딩와이어의 일단은상기돌기부본드되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 55] 제 52 항에 있어서,상기 전원리드로부터 분기리드가 상기 반도체 칩의 근방에 연재하고, 상기 전원리드를 상기 본딩패드에 전기적으로 연결하는 상기 각각의 본딩와이어의 일단은상기분기리드본드되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 접착층은 상기 전원리드 하부의 거의 모든영역연장되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 58] 제 56 항에 있어서,상기 접착층nan은상기전원리드하부의일부영역연장되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 59] 제 56 항에 있어서,상기 접착층nan은상기전원리드의본딩부의하부영역연장되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 61] 제 60 항에 있어서,상기 접착층nan은베이스절연테이프없이수지물질있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 62] 제 61 항에 있어서,상기 전원전압리드의 상기인너리드에서의 상기 주면에 배치된 부분은, 제1 부분, 제2 부분 및 상기 제1과 제2 부분 사이의 절곡부를 가지고,상기 제1 부분은, 상기 반도체 칩의 상기 두께방향에 있어서 상기 주면으로부터 상기 제2 부분보다 더 낮은 위치에 배치되며,상기 제1 본딩와이어 중 하나는 상기 제1 부분에 연결되고, 상기 제1 부분은상기반도체 칩의상기주면본드되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 63] 제 62 항에 있어서,상기 신호리드의 상기인너리드에서의 상기 주면에 배치된 부분의 단부는, 상기 제2 본딩와이어에 각각 연결되고,상기 신호리드의 상기 단부는, 상기 반도체 칩의 상기 두께방향에 있어서 상기 주면으로부터 상기 전원전압리드의 상기 제2 부분과 실질적으로 동일한위치배치되는것을특징으로 하는반도체 장치.