반도체 시험장치 및 방법 document_id 1019990008989

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 접촉부를, 상기 접속단자가 접속할 때에 상기 접속단자의 표면에 형성되어 있는 산화막을 파괴할 수 있는두께또는경도구성한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연기판에 상기 접촉부와 대향하도록 상기 개구부 내로 연출된 연출부를 형성하고, 상기 연출부가 상기 접촉부를 부분적으로 지지하는구성으로한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 4] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 개구부 내에 상기 접촉부와 접하는 돌기부를 형성하고, 상기 접속단자가 접속할 때에 상기 접촉부가 상기 돌기부를 지점으로 하여 변위하는구성으로한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 돌기부를 탄성체에 의해형성한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 돌기부를 도전성재료에 의해형성한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기 돌기부의 형상을 구(球형상으로한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 8] 제4항에 있어서,상기 돌기부의 형상을 환상(環狀한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 9] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 접촉부의 선단부에선예부형성한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 10] 제1항 또는 제2항에 있어서,적어도 상기 접촉부의 표면 또는 상기 제1 접속전극과 접하는 부분의 일방에 거친면형성한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 11] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 접속전극의 적어도 상기 접촉부와 접하는 부분에 거친면형성한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 12] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 콘택터의 상기 배선기판에의 장착시에, 상기 콘택터와 상기 배선기판의 위치결정을 행하는위치결정기구설치한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 13] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 콘택터에, 상기 접속단자와 전기적 접속이 필요없는 위치에 상기 개구부만이 존재하는비접속부설치한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 14] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 접촉부의 선단부의 방향을, 상기 콘택터와 상기 반도체 장치와의 열팽창차에 기인하여 발생하는 상기 접속단자와 상기 접촉부와의 상대적 변위방향에 의거하여설정한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 15] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 접촉부의 상기 접속단자가 접촉하는 부위에슬릿형성한것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 16] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 배선기판은 다층기판인것을특징으로 하는반도체 시험장치. [청구항 17] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연기판을 유연한 절연성 수지박막으로 형성함과 동시에, 상기 접촉부를 가요성을 가진 도전성 금속층에 의해형성한것을특징으로 하는반도체 시험장치.