상호 접속 구조 및 그 형성 방법 document_id 1019990012728

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 sn, in, zr, ti, c, n, o, cl, s로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 구성 요소와 구리포함하는상호 접속 구조물. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 약 0.1 nm와 약 100 nm 사이의 두께갖는상호 접속 구조물. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 바람직하게 약 1 nm와 약 100 nm 사이의 두께갖는상호 접속 구조물. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,확산 장벽층을 더 포함하며, 상기 확산 장벽층 상에 상기 구리 합금 시드층증착되는상호 접속 구조물. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 확산 장벽층이 ta, tan, w, tasin, tin, wn, wsin, tialn, tisin으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료증착되는상호 접속 구조물. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 스퍼터링, 이온화 스퍼터링(ionized sputtering), 화학 진공 증착, 증발, 전자화학적 수단으로 구성된 그룹으로부터 선택된 기법을 통해 상기 장벽층 상증착되는상호 접속 구조물. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 실질적으로 구리로 형성된 몸체가 약 0.001 내지 약 10 중량 퍼센트의 농도를 갖는 c, n, cl, o, s로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 합금 구성 요소와 구리형성되는상호 접속 구조물. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 금속 화합물, 금속 고용체(metal solid solution) 혹은 두 금속상 혼합물형성되는상호 접속 구조물. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층은 약 0.25 내지 1.5원자포함하는구리인상호 접속 구조물. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 구조물이 온 칩(on-chip) 혹은 오프 칩사용되는상호 접속 구조물. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 구조물이 tab, bga 혹은 pga에 대한 배선 리드(wiring lead), 비아(via), 라인(line), 스터드(stud)로 구성된그룹선택된부재인상호 접속 구조물. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 구조물이 2와 10개 사이의 배선 레벨을 가진 다중 레벨구조물인상호 접속 구조물. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 구조물이 기증착된 금속 실리사이드 혹은 w 스터드층 및 w 국부 상호 접속부 상형성되는상호 접속 구조물. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 상기 구리 도전체 몸체의 전기 저항율보다 큰 전기 저항율갖는상호 접속 구조물. [청구항 17] 제 15 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 약 0.1 nm와 약 100 nm 사이의 두께갖는상호 접속 구조물. [청구항 18] 제 15 항에 있어서,실질적으로 구리로 형성된 상기 구리 도전체 몸체가 약 0.001과 약 10 중량 퍼센트 사이의 농도를 갖는 c, n, cl, o로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 합금 구성 요소와 구리형성되는상호 접속 구조물. [청구항 19] 제 15 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 금속 화합물, 금속 고용체 혹은 두 금속상 혼합물형성되는상호 접속 구조물. [청구항 20] 제 15 항에 있어서,상기 구조물이 tab, bga 혹은 pga에 대한 배선 리드, 비아, 라인, 스터드로 구성된그룹선택된부재인상호 접속 구조물. [청구항 21] 제 15 항에 있어서,상기 구조물이 2와 10개 사이의 배선 레벨을 가진 다중 레벨구조물인상호 접속 구조물. [청구항 22] 제 15 항에 있어서,상기 구조물이 기증착된 금속 실리사이드 상형성되는상호 접속 구조물. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층과 상기 전자 소자 사이에 개재된 확산 장벽층더 포함하는상호 접속 시스템. [청구항 25] 제 24 항에 있어서,상기 확산층이 ti, ta, wb, mo, tan, w, wn, tin, tasin, wsin, tialn, tisin으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료증착되는상호 접속 시스템. [청구항 26] 제 23 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 약 0.1 nm와 약 100 nm 사이의 두께갖는상호 접속 시스템. [청구항 27] 제 23 항에 있어서,상기 구조물이 tab, bga 혹은 pga에 대한 배선 리드), 비아, 라인, 스터드로 구성된그룹선택된부재인상호 접속 시스템. [청구항 28] 제 23 항에 있어서,실질적으로 구리로 형성된 상기 구리 도전체 몸체가 약 0.001과 약 10 중량 퍼센트 사이의 농도를 갖는 c, n, o, cl, s로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 합금 구성 요소와 구리형성되는상호 접속 시스템. [청구항 29] 제 23 항에 있어서,상기 구리 합금 시드층이 금속 화합물, 금속 고용체 혹은 두 금속상 혼합물형성되는상호 접속 시스템. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 금속이 구리의 전기 저항율과 상당히 유사한 전기 저항율갖는상호 접속 시스템. [청구항 32] 제 30 항에 있어서,상기 금속은 ag, mo, w, co로 구성된 그룹선택되는상호 접속 시스템. [청구항 33] 제 30 항에 있어서,상기 금속 시드층이 약 0.1 nm와 약 100 nm 사이의 두께갖는상호 접속 시스템. [청구항 34] 제 30 항에 있어서,확산 장벽층을 더 포함하며, 상기 확산 장벽층 상에 상기 금속 시드층증착되는상호 접속 시스템. [청구항 35] 제 30 항에 있어서,상기 확산 장벽층은 ti, ta, nb, mo, tan, w, wn, tin, tasin, wsin, tialn, tisin으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료증착되는상호 접속 시스템. [청구항 36] 제 30 항에 있어서,상기 구조물이 온 칩(on-chip) 혹은 오프 칩사용되는상호 접속 시스템. [청구항 37] 제 30 항에 있어서,상기 구조물이 tab, bga 혹은 pga에 대한 배선 리드, 비아, 라인, 스터드로 구성된그룹선택된부재인상호 접속 시스템. [청구항 38] 제 30 항에 있어서,상기 구조물이 2와 10개 사이의 배선 레벨을 가진 다중 레벨구조물인상호 접속 시스템.